「"フッ化ケイ素"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

フッ化ケイ素、リン酸を含んでなるエッチング用組成物には、錯化剤、過酸化水素を含んでも良い。例文帳に追加

The composition for etching constituted, containing silicon fluoride and phosphoric acid may, contain complexing agents and hydrogen peroxide. - 特許庁

フッ化金属類を使用した四フッ化ケイ素の除去方法および回収方法例文帳に追加

REMOVAL AND RECOVERY OF SILICON TETRAFLUORIDE BY USE OF METAL FLUORIDES - 特許庁

フッ化ケイ素及び水を含んでなる酸化タンタルのエッチング用組成物を用いる。例文帳に追加

An etching compound of tantalum oxide, containing hydrogen fluoride and water, is employed. - 特許庁

フッ化物、塩化物、及び錯化剤を含んでなるエッチング用組成物、或いはフッ化ケイ素、リン酸を含んでなるエッチング用組成物を用いる。例文帳に追加

A composition for etching constituted, containing fluoride, chloride, and complexing agent, or the a composition for etching constituted, containing silicon fluoride and phosphoric acid is used. - 特許庁

フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、四フッ化ケイ素、ヘキサフルオロケイ酸等のフッ化物、及び塩化水素酸、塩化アンモニウム等の塩化物を含んでなるエッチング用組成物を用いる。例文帳に追加

A composition for etching containing a fluoride such as hydrofluoric acid, ammonium fluoride, silicon tetrafluoride, or hexafluorosilicic acid, and a chloride such as hydrochloric acid or ammonium chloride, is used. - 特許庁

前記フッ素化合物をフッ化ケイ素、フッ化炭素、フッ化窒素の中から選ばれるものとし、該フッ素化合物と反応してフッ素ガスを遊離する物質が酸素とする。例文帳に追加

The fluorine compound is selected from silicon fluoride, carbon fluoride, and nitrogen fluoride and the substance which reacts with the fluorine compound and liberates fluorine gas is oxygen. - 特許庁

フッ化ケイ素０．００１〜５重量％及びリン酸９０〜９９．９９重量％を含んでなる酸化ハフニウム用エッチング組成物を用いる。例文帳に追加

The etching compound is used for hafnium oxide including silicon fluoride of 0.001 to 5 wt.% and phosphoric acid of 90 to 99.99 wt.%. - 特許庁

従ってスート１をフッ化水素雰囲気に保持すると、スート１の表面から内部に拡散したフッ化水素がスートのガラスと反応して四フッ化ケイ素が生じる。例文帳に追加

Then, if soot 1 is held in a hydrogen fluoride atmosphere, the hydrogen fluoride diffused from the surface into the inside of the soot 1 reacts with the glass of the soot and produces the silicon tetrafluoride. - 特許庁

次いで、管路９のバルブ８を開いて、ガス充填容器３から反応容器２の内部にフッ化水素ガス７を送給し、気相の四フッ化ケイ素２５を生成する。例文帳に追加

A valve 8 on a line 9 is opened, and hydrogen fluoride gas 7 is fed from a gas filled vessel 3 into the reaction vessel 2, and silicon tetrafluoride 25 in gas phase is produced. - 特許庁

その供与分子は正に荷電した銅を金属銅に還元し、バリア層表面でフッ素と反応して揮発性フッ化ケイ素を生成し、それにより拡散バリア層と銅膜間の付着力を促進する、きれいな界面層を形成する。例文帳に追加

Thereby, the adhesion between the diffusion barrier layer and the copper film is accelerated and a clean interface layer can be formed. - 特許庁

式CxFy（式中x, yは２以上の整数）で表される不飽和フッ化炭素ガスと式SiaFb（式中a, bは１以上の整数）で表されるフッ化ケイ素ガスを原料ガスとして用いる。例文帳に追加

An unsaturated carbon fluoride gas expressed by formula CxFy (wherein, x, y are each 2 or more integer) and a silicon fluoride gas expressed by SiaFb (wherein, a, b are each 1 or more integer), are used as raw material gases of the fluorinated amorphous carbon film. - 特許庁

リチウムイオン二次電池に用いられる非水電解液に、オキサラト錯体をアニオンとするリチウム塩と共に、１，２−ビス（ジメチルフルオロシリル）エタンの如きフッ化ケイ素化合物とを、又はそれら二成分と、ハロゲン原子を有する炭酸エステルとを、更に含有させた。例文帳に追加

A nonaqueous electrolyte solution used for a lithium ion secondary cell further contains a compound of silicon fluoride such as 1,2-bis-(dimethylfluorosilyl)ethane together with a lithium salt having an oxalato complex as anion, or these two components and carbonate ester having halogen atoms. - 特許庁

式（II）の光学活性な環状エポキシ化合物に、アミンの存在下、又はアミンとアンモニウム塩との存在下、又はアミンと水との存在下で、四フッ化ケイ素を反応させることにより、式（Ｉ）の新規な光学活性含フッ素環状化合物を製造する。例文帳に追加

The new optically active fluorine-containing cyclic compound of formula (I) is produced by reacting silicon tetrafluoride with an optically active cyclic epoxy compound of formula (II) in the presence of an amine or in the presence of the amine and water. - 特許庁

更に、バルブ８を閉じたうえ、管路１１のバルブ１０を開き、気相の四フッ化ケイ素２５をスクラバ４へ導入させ、同時に、管路１５のバルブ１４を開いて、スクラバ４内へ水２６を噴霧し、ケイ酸塩スラッジ２７を生成する。例文帳に追加

The valve 8 is closed, and a valve 10 on a line 11 is opened, and the silicon tetrafluoride 25 in gas phase is introduced to a scrubber 4, and at the same time, a valve 14 on a line 15 is opened and water 26 is sprayed into the scrubber 4, and a sludge of silicates 27 is produced. - 特許庁

高周波プラズマＣＶＤ法を用いてシリコン系薄膜を形成する方法において、原料ガスにフッ化ケイ素及び水素を含み、前記原料ガス中にシリコン原子に対して０．１ｐｐｍ以上０．５ｐｐｍ以下の酸素原子を含有させることを特徴とする。例文帳に追加

In this method for forming a silicon-based thin film by using the high-frequency plasma CVD method, a feed gas should contain silicon fluoride, hydrogen, and an oxygen atom that is equal to or more than 0.1 ppm and equal to or less than 0.5 ppm to a silicon atom. - 特許庁

処理容器１内のサセプタ２にＳｉウエハＷを載置してプラズマエッチングを行なうに際して、処理ガス供給系２３よりフッ化硫黄またはフッ化炭素たとえばＳＦ_６／Ｏ_２ガス系にフッ化ケイ素たとえばＳｉＦ_４を添加した混合ガスをエッチングガスとして処理容器１に導入する。例文帳に追加

For the plasma etching to an Si wafer W placed on a susceptor 2 within a processing vessel 1, a mixed gas obtained by adding silicon fluoride, for example, SiF4 to phosphorus fluoride or carbon fluoride, for example, SF_6/O_2 gas system is introduced as the etching gas to the processing vessel 1 from a processing gas supplying system 23. - 特許庁

導電性基体上に、少なくともアモルファスシリコンを主体とする光導電層と、表面層と、光導電層と表面層の間に、少なくとも１層の中間層を有する電子写真感光体であって、表面層が金属フッ化物(フッ化ケイ素を除く)を有しており、かつ、中間層が金属の酸化物を有している電子写真感光体を作製する。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor is manufactured that has at least a photoconductive layer, composed mainly of amorphous silicon and a surface layer on a conductive base and further has at least one interlayer between the photoconductive layer and the surface layer, wherein the surface layer comprises a metal fluoride (excluding silicon fluoride) and the interlayer has a metal oxide. - 特許庁