SILICON TETRAFLUORIDEとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF MANUFACTURING SILICON TETRAFLUORIDE AND MANUFACTURING APPARATUS USING THE SAME例文帳に追加

四フッ化ケイ素の製造方法、及びそれに用いる製造装置 - 特許庁

When silicon tetrafluoride gas is brought into contact with silicon to remove phosphorus and arsenic contained in the silicon tetrafluoride produced by the reaction of hydrogen fluoride with silicon, the contact of the silicon tetrafluoride gas with silicon is performed at 300-800°C under a condition of (V/Q)≥k.例文帳に追加

珪素とフッ化水素との反応で生成した四フッ化珪素ガス中に含有するリン、ヒ素を除去するため該四フッ化珪素ガスを珪素と接触させるに際し、３００〜８００℃の範囲で、（Ｖ／Ｑ）≧ｋの条件で珪素と該四フッ化珪素ガスを接触させる。 - 特許庁

Phosphorus and arsenic which are impurities contained in silicon tetrafluoride are removed by bringing the silicon tetrafluoride into contact with at least one of a metal selected from silicon (Si) or germanium (Ge) at ≥300°C and further adding ≥1 vol.% water into the silicon tetrafluoride.例文帳に追加

四フッ化珪素中に含まれる不純物であるリン、ヒ素を除去するために、珪素（Ｓｉ）、またはゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれる少なくとも一つの金属と３００℃以上の温度で接触させ、さらには、四フッ化珪素中に１ｖｏｌ％以上の水素を含有させる。 - 特許庁

Hydrofluoric acid or hydrogen fluoride reacts with glass to form silicon tetrafluoride and water.例文帳に追加

フッ化水素酸あるいはフッ化水素は、ガラスと反応して四フッ化ケイ素と水になる。 - 特許庁

REMOVAL AND RECOVERY OF SILICON TETRAFLUORIDE BY USE OF METAL FLUORIDES例文帳に追加

フッ化金属類を使用した四フッ化ケイ素の除去方法および回収方法 - 特許庁

When silicon tetrafluoride is produced by reacting silicon with hydrogen fluoride, a container in which silicon tetrafluoride has been solidified is filled with gaseous helium under ≥10 kPa pressure and then evacuated to ≤1 kPa pressure.例文帳に追加

珪素とフッ化水素をで反応させて四フッ化珪素を製造するにおいて、四フッ化珪素を固化させた容器内に１０ｋＰａ以上の圧力のヘリウムガスを満たし、続いて該容器を１ｋＰａ以下の圧力まで排気する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining purified silicon tetrafluoride gas having high purity by efficiently purifying the silicon tetrafluoride gas containing low boiling point components as impurities.例文帳に追加

不純物として、低沸点成分を含有する四弗化ケイ素ガスを効率よく精製し、高純度の精製四弗化ケイ素ガスを得る方法を提供する。 - 特許庁

A silicon tetrafluoride gas having a reduced content of low boiling point impurities is obtained by distilling the silicon tetrafluoride gas containing low boiling point components (such as nitrogen and oxygen) as impurities by pressurizing it at 0.2 MPa-3 MPa and cooling to liquify it to -90°C--15°C.例文帳に追加

不純物として低沸点成分（窒素、酸素等）を含有する四弗化ケイ素ガスを0.2MPa〜３MPaで加圧し、-90℃〜-15℃に冷却液化して蒸留することにより低沸点不純物含有量の減少した四弗化ケイ素ガスを取得する。 - 特許庁