「"抵抗値"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

抵抗値計算方法例文帳に追加

RESISTANCE VALUE CALCULATING METHOD - 特許庁

抵抗値補正回路例文帳に追加

RESISTANCE VALUE CORRECTING CIRCUIT - 特許庁

抵抗値検出回路例文帳に追加

RESISTANCE VALUE DETECTING CIRCUIT - 特許庁

抵抗値判定装置例文帳に追加

RESISTANCE VALUE DETERMINATION APPARATUS - 特許庁

その抵抗値を第１の抵抗値として記憶する。例文帳に追加

The resistance value is stored as a first resistance value. - 特許庁

第１の抵抗値は、第２の抵抗値の１／ｘ倍である。例文帳に追加

The first resistance value is 1/x times the second resistance value. - 特許庁

抵抗値補償方法、抵抗値補償機能を有する回路、回路の抵抗値試験方法，抵抗値補償プログラム及び回路の抵抗値試験プログラム例文帳に追加

METHOD, CIRCUIT HAVING FUNCTION AND PROGRAM OF RESISTANCE VALUE COMPENSATIONS, AND METHOD AND PROGRAM OF CIRCUIT RESISTANCE VALUE TESTS - 特許庁

ＲＧ１の抵抗値は、ＲＧ２の抵抗値とＲＥ２の抵抗値とを加算した値に等しい。例文帳に追加

A resistance value of RG1 is equal to the sum of a resistance value of RG2 and a resistance value of RE2. - 特許庁

第４抵抗値、第５抵抗値は、それに対応して流れる電流によりそれぞれ第１抵抗値と第２抵抗値に復帰可能にされる。例文帳に追加

The fourth resistance value and the fifth resistance value are made returnable to the first resistance value and the second resistance value, respectively, by currents flowing correspondingly thereto. - 特許庁

抵抗値ディジタル変換回路例文帳に追加

RESISTANCE VALUE DIGITAL CONVERTER CIRCUIT - 特許庁

抵抗値Ｒｌｉｎｅ、抵抗値Ｒｃａｐおよび抵抗値Ｒｍｏｓから、外部端子間の抵抗値Ｒｉを計算する。例文帳に追加

A resistance value Ri between outer terminals is calculated from the resistance value Rline, the resistance value Rcap and the resistance value Rmos. - 特許庁

抵抗値調整方法および抵抗器例文帳に追加

RESISTANCE-ADJUSTING METHOD AND RESISTOR - 特許庁

純水の比抵抗値調整装置例文帳に追加

DEVICE FOR ADJUSTING RESISTIVITY VALUE OF PURE WATER - 特許庁

抵抗膜の比抵抗値測定方法例文帳に追加

RESISTIVITY MEASURING METHOD FOR RESISTANT FILM - 特許庁

抵抗値測定用ワイヤプローブ例文帳に追加

WIRE PROBE FOR MEASURING RESISTANCE - 特許庁

抵抗値変化型記憶装置例文帳に追加

CHANGE IN RESISTANCE TYPE STORAGE DEVICE - 特許庁

抵抗器の抵抗値測定方法例文帳に追加

RESISTANCE VALUE MEASURING METHOD OF RESISTOR - 特許庁

そして、抵抗Ｒ１の抵抗値は抵抗Ｒ２の抵抗値よりも小さい。例文帳に追加

The resistance of the resistor R1 is smaller than the resistance of the resistor R2. - 特許庁

導体薄膜５０は、素子部３３の抵抗値よりも低い抵抗値を有する。例文帳に追加

The conductor thin-film 50 has the resistance value lower than that of the element 33. - 特許庁

チップ抵抗器の抵抗値修正方法および抵抗値修正装置例文帳に追加

METHOD OF CORRECTING RESISTANCE VALUE OF CHIP RESISTOR AND RESISTANCE VALUE CORRECTING APPARATUS - 特許庁

配線入力時に配線の寄生抵抗値をチェックして、その寄生抵抗値が許容配線抵抗値を超える場合は、対応する配線を変形することで寄生抵抗値を低減し、許容配線抵抗値を満たす配線を生成する。例文帳に追加

The parasitic resistance value of wiring is checked at input of the wiring; if the parasitic resistance value exceeds an allowable wiring resistance value, the corresponding wiring is deformed to reduce the parasitic resistance value to form wiring that meets the allowable wiring resistance value. - 特許庁

抵抗値補償方法、抵抗値補償機能を有する回路、回路の抵抗値試験方法、抵抗値補償プログラム、回路の抵抗値試験プログラム及びシステム例文帳に追加

METHOD FOR RESISTANCE VALUE COMPENSATION, CIRCUIT HAVING RESISTANCE VALUE COMPENSATION FUNCTION, TEST METHOD OF RESISTANCE VALUE OF CIRCUIT, RESISTANCE VALUE COMPENSATION PROGRAM, TEST PROGRAM OF RESISTANCE VALUE OF CIRCUIT, AND SYSTEM - 特許庁

ゲート放電抵抗部１０１は、抵抗値を抵抗４の抵抗値から抵抗４と抵抗５の合成抵抗で与えられる抵抗値に変更する。例文帳に追加

The gate discharge resistor portion 101 changes a resistance value from a resistance value of a resistance 4 to a resistance value provided by a synthetic resistance of a resistance 4 and a resistance 5. - 特許庁

各電流値と印加電圧とから抵抗値をそれぞれ求め、この抵抗値相互の差からコイル７の絶縁抵抗値を算出する。例文帳に追加

Resistance values are found respectively from the current values and applied voltages, and the insulating resistance value of the coil 7 is calculated from the difference between the resistance values. - 特許庁

第３状態は、第２電流により第２回路の抵抗値が第２抵抗値よりも大きな第５抵抗値に変化する。例文帳に追加

In a third state, the resistance value of the second circuit is changed into a fifth resistance value larger than the second resistance value by the second current. - 特許庁

ＧＣＵ２１は、グロープラグ１の補正前抵抗値を取得し、補正前抵抗値から目標抵抗値中間値Ｒ_4を設定する。例文帳に追加

A GCU (glow control unit) 21 acquires a pre-correction resistance value of a glow plug 1, and sets a target resistance value intermediate value R_4 from the pre-correction resistance value. - 特許庁

抵抗１５０の両端に電圧は、ＡＭＰ１６０で増幅され、抵抗値変換手段１７０で抵抗値に変換され、抵抗値が測定される。例文帳に追加

The voltage across the resistance 150 is amplified by AMP 160, and transformed into the resistance value by a resistance value transformation means 170 to measure the resistance value. - 特許庁

各電流値と印加電圧とから抵抗値をそれぞれ求め、この抵抗値相互の差からコイル７の絶縁抵抗値を算出する。例文帳に追加

Resistance values are respectively obtained from the current values and the applied voltages, and the insulating resistance value of the coil 7 is calculated from the difference in these resistance values. - 特許庁

第２状態は、第１電流により第１回路の抵抗値が上第１抵抗値及び第２抵抗値よりも大きな第４抵抗値に変化し、第４抵抗値に変化した後に流れる第２電流が第２抵抗値により支配的に決定される。例文帳に追加

In a second state, the resistance value of the first circuit is varied to a fourth resistance value larger than the first resistance value and the second resistance value by the first current and a second current, that flows after the change into the fourth resistance value, is dominantly determined by the second resistance value. - 特許庁

実動作用アベレージング抵抗ＭＲＡｐ及びＭＲＡｎの抵抗値は同一の抵抗値Ｒ１に設定され、ダミー用アベレージング抵抗ＤＲＡｐ及びＤＲＡｎの抵抗値は同一の抵抗値Ｒ２に設定され、抵抗値Ｒ１＜抵抗値Ｒ２の関係を持たせている。例文帳に追加

The actual operation averaging resistors MRAp and MRAn each have the same resistance value R1, the dummy averaging resistors DRAp and DRAn each have the same resistance value R2, and the relation that R1 is smaller than R2 is allowed. - 特許庁

ＴＭＲ素子の初期抵抗値を測定して第１の抵抗値とし、このＴＭＲ素子に通常使用電圧より高い印加電圧で通電した後の抵抗値を測定して第２の抵抗値とし、第１の抵抗値に対する第２の抵抗値の変化度合に応じてこのＴＭＲ素子の評価を行う。例文帳に追加

An initial resistance value of the TMR element is measured as a first resistance value, a resistance value obtained after applying a voltage higher than a normally-used voltage to the TMR element is measured as a second resistance value, and the TMR element is evaluated in accordance with a change degree of the second resistance value from the first resistance value. - 特許庁

（ａ）第１可変抵抗の抵抗値を外部抵抗の抵抗値に較正すると共に、第２可変抵抗の抵抗値を前記第１可変抵抗の抵抗値に較正する段階と、（ｂ）前記能動終端抵抗の抵抗値を前記外部抵抗の抵抗値に較正する段階とを備える。例文帳に追加

The calibrating method has a step (a) of calibrating the resistance value of a first variable resistance to the resistance value of an external resistance and calibrating the resistance value of a second variable resistance to the resistance value of the first variable resistance, and a step (b) of calibrating the resistance value of an active terminal resistance to the resistance value of the external resistance. - 特許庁

トナー一時捕獲部材２の抵抗値が帯電部材３の抵抗値より大きい。例文帳に追加

Resistance of the toner temporary capture member 2 is larger than resistance of the charging member 3. - 特許庁

第１の抵抗回路の総抵抗値が、第２の抵抗回路の総抵抗値より小さい。例文帳に追加

The total resistance of the first resistance circuit is smaller than that of the second resistance circuit. - 特許庁

抵抗値制御部１３には、比較器と、カウンタ回路と、抵抗値調整回路とが備えられる。例文帳に追加

A resistor value control unit 13 is provided with a comparator, a counter circuit and a resistor value adjusting circuit. - 特許庁

プローブ抵抗値測定方法、プローブ抵抗値測定用パッドを有する半導体装置例文帳に追加

METHOD OF MEASURING PROBE RESISTANCE VALUE, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PAD FOR MEASURING PROBE RESISTANCE VALUE - 特許庁

ゲイン抵抗Ｒ１の抵抗値は、オフセット抵抗Ｒ２の抵抗値より大きく設定されている。例文帳に追加

A resistance value of the gain resistor 1 is set to a value being larger than a resistance value of the offset resistor R2. - 特許庁

初期抵抗値と減圧後抵抗値とを比較することにより電子部品の不良を判断する。例文帳に追加

The defect of the electronic component is judged by comparing the initial resistance with the post-decompression resistance. - 特許庁

第１電極層の電気抵抗値と第２電極層の電気抵抗値とは同じである。例文帳に追加

An electric resistance value of the first electrode layer and an electric resistance value of the second electrode layer are the same. - 特許庁

また、Ｒ１＋Ｒ４の抵抗値は、Ｒ２およびＲ３の抵抗値よりも高く設定する。例文帳に追加

Also, the resistance value of the R1+R4 is set higher than the resistance values of the R2 and the R3. - 特許庁

接合抵抗値測定用半導体チップおよび半導体チップの接合抵抗値測定方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR CHIP FOR MEASURING JUNCTION RESISTANCE VALUE, AND METHOD FOR MEASURING JUNCTION RESISTANCE VALUE OF SEMICONDUCTOR CHIP - 特許庁

抵抗値算出部１２は当該電流値に基づいてＢ’相コイルのコイル抵抗値を算出する。例文帳に追加

The resistance value calculating section 12 calculates a coil resistance value of the B' phase coil based on the current value. - 特許庁

サブ中間部材4の電気抵抗値をメイン中間部材3の電気抵抗値よりも大きくしている。例文帳に追加

Electric resistance value of the sub-intermediate member 4 is made larger than electric resistance value of the main intermediate member 3. - 特許庁

第１の磁気抵抗素子(10)は第１の抵抗値状態と第２の抵抗値状態を有する。例文帳に追加

The first magneto resistive element (10) has a first resistance state and a second resistance state. - 特許庁

第２の磁気抵抗素子(20)は第３の抵抗値状態と第４の抵抗値状態とを有する。例文帳に追加

The second magneto resistive element (20) has a third resistance state and a fourth resistance state. - 特許庁