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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "物理気相蒸着"に関連した英語例文

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"物理気相蒸着"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 11



例文

物理気相蒸着(PVD)装置とPVD法を開示する。例文帳に追加

To provide a physical vapor deposition (PVD) apparatus and a PVD method. - 特許庁

ターゲットと基板支持部を有する物理気相蒸着チャンバで用いられる電力供給源を提供する。例文帳に追加

To provide a power supply for use in a physical vapor chamber having a target and a substrate support. - 特許庁

本発明の集積回路装置は、下部電極と、下部電極上の誘電膜と、誘電膜上の物理気相蒸着(PVD)上部電極とRFバイアスを用いるイオン化された物理気相蒸着(IPVD)上部電極とが積層された上部電極とを含んだMIMキャパシタとを備える。例文帳に追加

The integrated circuit device includes the MIM capacitor including: a lower electrode; a dielectric film on the lower electrode; and an upper electrode formed by stacking a physical vapor deposition (PVD) upper electrode on the dielectric film and an ionized physical vapor deposition (IPVD) upper electrode using an RF bias. - 特許庁

物理気相蒸着法PVD法及び化学蒸着法CVD法を共に適用して形成されたキャパシタの上部電極を含む半導体装置のキャパシタ及びその製造方法が開示される。例文帳に追加

To provide a capacitor of which the upper electrode is formed at high speed and which is excellent in electrical characteristics, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

例文

本発明は、一般に、大面積の基板の堆積の均一性を高めるために陽極の表面積を増やした物理気相蒸着(PVD)チャンバで、基板の表面を処理する装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for processing a surface of a substrate in physical vapor deposition (PVD) chamber that has an increased anode surface area to improve the deposition uniformity on large area substrates, and to provide a method therefor. - 特許庁


例文

本発明は、一般に、大面積基板における堆積の均一性を向上させるため、大きな陽極表面積を有する物理気相蒸着(PVD)チャンバにおいて、基板表面を処理する装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for processing a surface of a substrate in physical vapor deposition (PVD) chamber that has an increased anode surface area to improve the deposition uniformity on large area substrates, and to provide a method therefor. - 特許庁

基板支持部に対しスパッタリング電圧でターゲットをバイアスし、物理気相蒸着チャンバ内でアーク放電が検出された後、約1秒間に約10回又はそれ以上、逆方向電圧でターゲットをバイアスするように構成された電源を備えている。例文帳に追加

The power supply comprises a power source configured to bias the target with a sputtering voltage relative to the substrate support and configured to bias the target with a reverse voltage about 10 or more times for a period of about one second after an arc is detected inside the physical vapor deposition chamber. - 特許庁

セラミック基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により接着層及び厚膜の高密度の電伝導層を形成し、優れた放熱特性及び電的な特性を有するセラミック印刷回路基板の原板及びその原板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an original plate of a ceramic printed circuit board which has superior heat dissipation characteristics and electric characteristics by forming an adhesion layer and a thick electric conductive layer of high density on a ceramic board by a sputtering method for physical vapor deposition, and to provide a method of manufacturing the original plate. - 特許庁

金属基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により絶縁層及び厚膜の高密度の電伝導層を形成し、優れた放熱特性及び電的な特性を有する金属印刷回路基板の原板及び原板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an original plate of a metal printed circuit board which has superior heat dissipation characteristics and electric characteristics by forming an insulating layer and a thick electric conductive layer of high density on a metal board by a sputtering method for physical vapor deposition, and to provide a method of manufacturing the original plate. - 特許庁

例文

前記方法は、基板上に有機金属化学蒸着工程によって第1導電性金属化合物膜を形成し、前記第1導電性金属化合物膜上に物理気相蒸着工程によって第2導電性金属化合物膜を形成することを含む。例文帳に追加

The semiconductor forming method of this invention comprises a step to form a primary conductive metal compound film on a substrate by an organometallic chemical vapor deposition process, and a step to form a secondary conductive metal compound film on the primary conductive metal compound film by a physical vapor deposition process. - 特許庁

例文

ターボチャージャに回動可能に支持されているリングプレートに固定配置され、タービンロータを回転させる排ガスの量を制御するノズルベーンの翼角を設定するピンとして、母材であるオーステナイト系ステンレスにAl、Cr、Si、及びNからなる物理気相蒸着した厚さ約2μmの硬質皮膜を形成したものを用いる。例文帳に追加

A pin fixedly disposed at a ring plate turnably supported to the turbocharger, to set the angle of a nozzle vane for controlling the amount of exhaust gas rotating a turbine rotor, is formed with a hard coating with a thickness of about 2 μm on austenite stainless steel used as a base material by physical vapor phase deposition of Al, Cr, Si and N. - 特許庁

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