「"電荷領域"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

従って、光子受容体のような電荷保持面上の電荷は、例えば、トナーと静電的に反応するように定められている正電荷の領域と、例えば、トナーと静電的に反応するように定められている負電荷領域も含んでいる。例文帳に追加

Consequently, charges on the charge holding plane, e.g. a photon acceptor, includes a positive charge area determined to react on toner electrostatically and a negative charge area determined to react on toner electrostatically. - 特許庁

この構造により、この装置の電荷領域内に高いダイナミック・レンジを保持し、また電荷検出ノード（２０８）と増幅器が不適当な電圧振幅により飽和するのを防ぐ。例文帳に追加

This structure maintains the high dynamic range available in the charge domain of the device, and avoids saturation caused by an inadequate voltage swing of the charge detection nodes (208) and amplifiers. - 特許庁

低比電荷領域を含めた極めて安定したトナーの帯電量制御と、均一なトナー層の形成とを実現することにより、良質な現像画像が得られるようにした構成簡易な現像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a developing device having simple constitution by which a good-quality developed image is obtained by realizing the stable control of the electrified amount of toner including a low specific charge area and the formation of a uniform toner layer. - 特許庁

また、制御部５６は電荷領域の電荷の転送の終了後であって、１フィールド分の電荷転送時間が経過する前に、次位の読み出し信号を出力する。例文帳に追加

In addition, the control section 56 outputs the next-order readout signal before the transfer time of one-field quantity of charges elapses after the transfer of the charges in the charge area ends. - 特許庁

浅インプラントは、ベース・コレクタ間空間電荷領域幅を低減し、抵抗を低減し、コレクタ・ベース間降伏特性を個別に適合化する。例文帳に追加

A shallow implantation reduces a width of a space charge region between a base and the collector, reduces a resistance, and individually optimizes a breakdown characteristic between the collector and the base. - 特許庁

たとえばキャリア濃度の低いＡｌＮ結晶層もしくはＡｌＧａＮ結晶層に逆バイアスを印加し、空間電荷領域を横方向に広げることにより、広い光感度領域が得られ高感度な受光素子が得られる。例文帳に追加

A wide light sensitive region is yielded to obtain a highly sensitive light receiving element by applying reverse bias to a low carrier concentration AlN crystal layer or AlGaN crystal layer and extending a space charge area laterally, for example. - 特許庁

ｎ型極低濃度半導体層３４ｂは、ターンオフ時に空間電荷領域を押し広げ、電子および正孔を速く排出することによって、高速ターンオフを実現する。例文帳に追加

The n-type ultra-low-density semiconductor layer 34b pushes and spreads the space charger region in the turn-off state to quickly discharge electrons and holes, achieving high-speed turn-off operation. - 特許庁

本発明の組成物は、以下：少なくとも１つの正電荷領域を有する、治療有効量のポリペプチド増殖因子；生理学的に受容可能な水混和性アニオン性ポリマー；生理学的に受容可能な水混和性の非イオン性ポリマー粘性制御剤；および水を含む、ヒドロゲルである。例文帳に追加

The composition is hydrogel comprising; a therapeutically effective amount of a polypeptide growth factor having at least one region of positive charge; a physiologically acceptable water-miscible anionic polymer; a physiologically acceptable water-miscible non-ionic polymeric viscosity controlling agent; and water. - 特許庁

端子部１２１ａから放出された電子はプレート電極５３近傍に形成された電界によって引き寄せられるので、電子の端子部への戻りや散乱、空間電荷領域の形成を防止して確実に捕捉することができ、配線の断線／短絡の検査を非接触で、しかも精度よく安定して行うことができる。例文帳に追加

Since the electrons discharged from the terminal part 121a are attracted by an electric field formed in the vicinity of the plate electrode 53, the electrons can be surely trapped while preventing return or scattering to the terminal part or formation of a spatial charge area, and inspecting for disconnection/short-circuit of the wiring can be accurately and stably performed in no contact. - 特許庁

イオン注入に起因する半導体ウェーハ等のワークピース上の過剰電荷を中和させるための手段であって、ワークピース表面の小さい領域上の過剰な正電荷を局所的に検出し、それに応答して、適切なドーズ量の電荷補償電子を電子放射源からワークピース上の上記過剰電荷領域に付加する。例文帳に追加

A means of neutralizing the excess charge on workpieces, such as semiconductor wafers, that results from ion-implantation processes, wherein the excess positive charge on a small area of the workpiece surface is locally sensed, and in response, an appropriate dose of charge-compensating electrons is delivered from an electron emission source to the area of excess charge on the workpiece. - 特許庁