「"SPIN FILTER"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SPIN FILTER AND SPINNING STATE SEPARATING METHOD例文帳に追加

スピンフィルタ及びスピン状態分離方法 - 特許庁

SPIN FILTER AND SPIN STATE SEPARATING METHOD例文帳に追加

スピンフィルタおよびスピン状態分離方法 - 特許庁

SPIN SEPARATION METHOD, SPIN FILTER, AND SPIN TRANSISTOR例文帳に追加

スピンの分離方法、スピンフィルタ、スピントランジスタ - 特許庁

SPIN FILTER EFFECT ELEMENT, AND SPIN TRANSISTOR例文帳に追加

スピンフィルタ効果素子及びスピントランジスタ - 特許庁

SPIN FILTER EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

スピンフィルタ効果素子及びそれを用いた磁気デバイス - 特許庁

The direction of the magnetization of a magnetic material 5_R for reading for composing a spin filter in reading is the same as that of the magnetization of a fixed layer 1.例文帳に追加

読み出し時のスピンフィルタを構成する読み出し用強磁性体５_Ｒの磁化の向きは、固定層１の磁化の向きと同一である。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element MR is electrically connected to the second wiring W2 without interposing a spin filter SF.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子ＭＲは、スピンフィルタＳＦを介することなく第２配線Ｗ２に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a spin filter capable of obtaining a spin deflection angle sufficient for separating a spinning state of different carriers propagating through a semiconductor, and to provide a spinning state separating method.例文帳に追加

磁場や磁性体を用いなくても、半導体中を伝搬するキャリアの異なるスピン状態を分離するのに充分なスピンの偏向角度を得ることができるスピンフィルタおよびスピン状態分離方法を提供する。 - 特許庁

To provide a spin filter capable of obtaining a spin deflection angle sufficient for separating the spinning state of different carriers propagating through a semiconductor, and to provide a spinning state separating method.例文帳に追加

不均一磁場や磁性体を用いなくても、半導体中を伝搬するキャリアの異なるスピン状態を分離するのに充分なスピンの偏向角度を得ることができるスピンフィルタおよびスピン状態分離方法を提供する。 - 特許庁

To provide a spin filter capable of obtaining a sufficient deflection angle of the spin for separating a different spin state which a carrier traveling in a semiconductor has, and to provide a method for separating the spin state.例文帳に追加

半導体中を伝搬するキャリアが有する異なるスピン状態を分離するのに充分なスピンの偏向角度を得ることができるスピンフィルタおよびスピン状態分離方法を提供する。 - 特許庁

To provide a spin transistor having a sufficiently high resistance change rate between a source electrode and a drain electrode, when the magnetization directions of a spin polarized carrier injection layer and a spin filter layer are parallel and anti-parallel, and its manufacturing method.例文帳に追加

スピン偏極キャリア注入層とスピンフィルタ層の磁化の向きが平行の場合と反平行の場合における、ソース・ドレイン電極間の抵抗変化率が十分に大きなスピントランジスタ、及びこのようなスピントランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer by interposing the thin film layer into ferromagnetic layers of the magnetoresistance effect element or the interface between them and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing an inexpensive high quality single crystal insulating iron oxide film which has a flat and smooth surface and is free from the deterioration in the characteristics caused by N_2 or the like, and with which high efficiency spin injection is possible even in a coherent tunnel mechanism of a spin filter-type tunnel magnetoresistance element.例文帳に追加

平滑面を有し、Ｎ_２等により特性が劣化されていない、スピンフィルタ型トンネル磁気抵抗素子のコヒーレントトンネル機構でも高効率なスピン注入が可能な、安価で高品質の単結晶絶縁酸化鉄膜の作製方法を実現する。 - 特許庁

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer made of oxide or nitride by inserting the thin film layer into a ferromagnetic layer of the magnetoresistance effect element or the interface between the ferromagnetic layer and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁

When a gate insulation layer 12 of different thickness is inserted in the y-axis direction, an effective gate voltage being applied to a two-dimensional electron gas channel 14 has a gradient in the spin filter 10, and spin orbit interaction of the two-dimensional electron gas channel 14 beneath a gate electrode 11 causes spatial gradient in the y-axis direction.例文帳に追加

スピンフィルタ１０は、ｙ軸方向に厚さの異なったゲート絶縁層１２を挿入することにより、二次元電子ガスチャネル１４にかかる有効なゲート電圧の勾配が生じるため、ゲート電極１１の下にある二次元電子ガスチャネル１４のスピン軌道相互作用はｙ軸方向に空間的に勾配を生じるようになっている。 - 特許庁

When a read-out current I_R is supplied between the second wiring W2 for the supply of the read-out current I_R and the common wiring WC since this is not through the spin filter SF, a spin polarized current is not supplied to the inside of the magnetoresistance effect element MR, and the reversal of the magnetization of the magnetically sensitive layer F becomes difficult.例文帳に追加

読み出し電流Ｉ_Ｒの供給用の第２配線Ｗ２と共通配線ＷＣとの間に、読み出し電流Ｉ_Ｒを供給すると、これはスピンフィルタＳＦを介していないため、磁気抵抗効果素子ＭＲ内には、スピン分極電流が供給されず、感磁層Ｆの磁化反転は困難となる。 - 特許庁

When a gate insulation layer 12 of different thickness is inserted in the y-axis direction, an effective gate voltage being applied to a two-dimensional electron gas channel 14 has a gradient in the spin filter 10, and the g-factor of the two-dimensional electron gas channel 14 beneath a gate electrode 11 causes spatial gradient in the y-axis direction.例文帳に追加

スピンフィルタ１０は、ｙ軸方向に厚さの異なったゲート絶縁層１２を挿入することにより、二次元電子ガスチャネル１４にかかる有効なゲート電圧の勾配が生じるため、ゲート電極１１の下にある二次元電子ガスチャネル１４のｇ−因子はｙ軸方向に空間的に勾配を生じるようになっている。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The electron spin utilization element 10 comprises: an electron spin filter part 1 for selectively allowing an up-spin electron or a down-spin electron to flow; an electron spin acting part 9 for allowing a tunnel current to occur by the spin acting; an electron spin detecting part 5 for selectively detecting the up-spin electron or the down-spin electron; and a substrate 6 with the respective parts mounted thereon.例文帳に追加

この電子スピン利用素子１０は、アップスピン電子又はダウンスピン電子の何れかを選択的に流す電子スピンフィルタ部１と、スピン作用によりトンネル電流を生起する電子スピン作用部９と、アップスピン電子又はダウンスピン電子の何れかを選択的に検知する電子スピン検知部５と、これらを搭載する基板６と、を備えて構成される。 - 特許庁