例文 (13件) |
"V region"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 13件
The part operating with 3 V (region A) and the part operating with 5 V (region B) are divided regularly.例文帳に追加
3Vで動作する部分(領域A)と、3Vまたは5Vで動作する部分(領域B)とを規則的に分けている。 - 特許庁
V_region variable region of immunoglobulin light and heavy chains, and T-cell receptor alpha, beta, and gammachains; codes for the variable amino terminal portion; can be made up from V_segments, D_segments, N_regions, and J_segments 例文帳に追加
V_region免疫グロブリン軽鎖及び重鎖,並びにT-細胞受容体アルファ鎖,ベータ鎖及びガンマ鎖の変異性領域。変異性アミノ末端部分についてのコード。V-segments,D-segments,N-regions,及び J-segmentsから構成可能。 - 特許庁
V_segment variable segment of immunoglobulin light and heavy chains, and T-cell receptor alpha, beta, and gammachains; codes for most of the variable region (V_region) and the last few amino acids of the leader peptide 例文帳に追加
V_segment免疫グロブリン軽鎖及び重鎖,並びに T-細胞受容体アルファ鎖,ベータ鎖及びガンマ鎖の変異性部分。変異性領域 (V_region)の殆どについて及びリーダー・ペプチドの最後の数アミノ酸についてのコード - 特許庁
In this antibody, CDRs of V region of the human antibody is substituted with CDRs of the mouse monoclonal antibody to the human IL-6R.例文帳に追加
この抗体においては、ヒト抗体のV領域のCDRがヒトIL-6Rに対するマウスモノクローナル抗体のCDRにより置き換えられている。 - 特許庁
To provide an immunoglobulin (Ig) light chain transgene formation containing DNA sequence coding human variable (V) region, joining (J) region and constant region of human immunoglobulin (Ig) protein.例文帳に追加
ヒト免疫グロブリン(Ig)タンパク質のヒト可変(V)領域、連結(J)領域、および定常領域をコードするDNA配列を含む、免疫グロブリン(Ig)軽鎖トランスジェン構成物を提供すること。 - 特許庁
To provide a positive electrode for non-aqueous electrolyte secondary battery and a non-aqueous electrolyte secondary battery showing a high potential of 4 V region, superior in high capacity, safety, and cycle characteristics, and also superior in high-temperature characteristics.例文帳に追加
4V領域の高電位を示し、高容量、安全性、サイクル特性に優れているとともに、高温特性にも優れた非水電解質二次電池用正極及び非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁
The present invention is featured by cloning VH and VL region genes constituting antibody molecules from mouse monoclonal antibody-producing cells which neutralize a botulinum neurotoxin, and producing various antibodies such as humanized antibodies and bispecific antibodies based on the genetic information of the V region.例文帳に追加
ボツリヌス神経毒素を中和するマウスモノクローナル抗体産生細胞より抗体分子を構成するVH領域及びVL領域遺伝子をクローニングし、このV領域の遺伝情報を元にしてヒト化抗体及び二重特異性抗体などの各種抗体を作製することを特徴とする。 - 特許庁
To manufacture a silicon single crystal wafer with the CZ method under stable condition which is capable of improving in electric performance such as oxidation high withstanding voltage surely without belonging to a hole rich V region, an OSF region, and a between lattice silicon rich I region.例文帳に追加
空孔リッチのV領域、OSF領域、そして格子間シリコンリッチのI域のいずれにも属さず、かつ確実に酸化膜耐圧等の電気特性を向上させることができるCZ法によるシリコン単結晶ウエーハを安定した製造条件下に製造する。 - 特許庁
The exhaust gas system comprises an exhaust gas guide element arranged in a V-region, and a housing 10 encircling exhaust gas outlets in both cylinder trains with air tightness and having at least one of exhaust gas outlet opening portions 16a, 16b.例文帳に追加
排気ガスシステムは、V領域に配置された排気ガス案内要素を備えるとともに、両方のシリンダ列における排気ガス出口を気密に囲み、かつ少なくとも1つの排気ガス出口開口部16a,16bを有するハウジング10を備える。 - 特許庁
To provide a mixed positive electrode active material having a plateau potential in 4 V region approximately equal to that of lithium cobaltate and having a large discharge capacity, and enable to obtain a nonaqueous electrolyte secondary battery superior in battery properties, such as the cycle property and a high-temperature property.例文帳に追加
コバルト酸リチウムとほぼ同等の4V領域にプラトーな電位を有し、かつ放電容量が大きい混合正極活物質材料を提供して、サイクル特性、高温特性などの電池特性に優れた非水電解質二次電池を得られるようにする。 - 特許庁
To obtain a non-aqueous electrolyte secondary battery that has a plateau potential in the 4 V region nearly equal to a lithium cobaltate battery and has excellent battery characteristics such as cycle characteristics and high temperature characteristics by providing a positive electrode active substance material having a large discharge capacity.例文帳に追加
コバルト酸リチウムとほぼ同等の4V領域にプラトーな電位を有し、かつ放電容量が大きい正極活物質材料を提供して、サイクル特性、高温特性などの電池特性に優れた非水電解質二次電池が得られるようにする。 - 特許庁
To provide a silicon single crystal which does not belong to any to a vacancy-enriched V-region, an OSF region, and an interstitial silicon- enriched region, or an I-region, when it is manufactured by a Czochralski method, which has excellent electrical characteristics and a gettering capability, and with which the yield of a device can be reliably improved, and to provide an epitaxial wafer.例文帳に追加
チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する際、空孔リッチのV領域、OSF領域、そして格子間シリコンリッチのI領域のいずれにも属さず、かつ優れた電気特性とゲッタリング能力を有し、デバイス歩留りを確実に向上させることができるシリコン単結晶及びエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁
To provide a silicon wafer and a method for manufacturing thereof, in which neither a COP nor a dislocation cluster is contained, a defect (grown-in defect containing oxide silicon) like oxygen precipitation nucleus which exists in an OSF nucleus and P_V region not actualized in an as-grown state is disappeared or reduced.例文帳に追加
COPや転位クラスターが含まれず、as−grown状態では顕在化していないOSF核やP_V領域に存在する酸素析出核のような欠陥(酸化シリコンを含むgrown−in欠陥)が消滅もしくは低減されているシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
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