「"copper atoms"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the copper wiring 10 with such a structure constructed, current is likely to relatively easily flow in more the central section than the upper section, and the scattering of copper atoms in the upper section is likely to be suppressed, further, this allows the scattering of copper atoms from an interface at a cap film 14 to be suppressed.例文帳に追加

このような構造にしたＣｕ配線１０では、その上部よりも中央部に比較的電流が流れやすくなり、その上部のＣｕ原子の拡散が抑えられるようになり、また、それにより、キャップ膜１４界面からのＣｕ原子の拡散が抑えられるようになる。 - 特許庁

To reduce the number of wiring layers of a preventing wall that prevents diffusion of fuse copper atoms, while cutting a fuse reliably without enlarging the layout area of a fuse element.例文帳に追加

ヒューズ素子のレイアウト面積を増大させることなく確実にヒューズを溶断するとともに、ヒューズ銅原子の拡散を防止する防護壁の配線層数を低減する。 - 特許庁

To provide an agent for forming a film for a semiconductor device which can prevent the diffusion of copper atoms and form a film having excellent interlayer insulation on the surface of copper.例文帳に追加

本発明は、銅原子の拡散を防止でき、且つ良好な層間絶縁性を有する被膜を銅表面に形成することができる半導体装置用の被膜形成剤を提供することを課題とする。 - 特許庁

Thus the copper diffusion preventive film DCF1b is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1S before the copper wiring forming step, thereby the diffusion of copper atoms (including copper compounds) from the back surface of the semiconductor substrate 1S can be prevented.例文帳に追加

このように、銅配線の形成工程の前に、半導体基板１Ｓの裏面に銅拡散防止膜ＤＣＦ１ｂを形成することにより、半導体基板１Ｓの裏面から銅原子（銅化合物を含む）が拡散することを防止できる。 - 特許庁

Furthermore, the copper atoms are ones in which a monoatomic layer of copper is formed on the surface of platinum or platinum alloy by under-potential precipitation, and as a carrier, carbon black, carbon nanotube, and carbon nanofiber etc. are used.例文帳に追加

さらに、銅原子は、アンダーポテンシャル析出により白金または白金合金の表面に銅の単原子層が形成されたもので、担体にはカーボンブラック、カーボンナノチューブおよびカーボンナノファイバーなどを使用する。 - 特許庁

Thus, nonmetallic atoms such as oxygen atoms or the like coupled to the surface of the substrate 3 are removed by the hydrogen fluoride to expose the surface of the substrate 3, and the surface of the exposed substrate 3 is bonded to copper atoms in the mixed solution.例文帳に追加

半導体基板３の表面に結合していた酸素原子等の非金属原子が弗化水素によって除去されて半導体基板３の表面が露出し、該露出した半導体基板３の表面と上記混合水溶液中の銅原子とが結合する。 - 特許庁

After copper atoms composing the copper layer 14 are diffused into the aluminium film 11 by annealing the silicon substrate 10, the other region of the aluminium film 11 except for the wiring formation region is removed and wiring composed of the residual aluminium film 11 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１０に対してアニールを行なって、銅層１４を構成する銅原子をアルミニウム膜１１の内部に拡散させた後、アルミニウム膜１１における配線形成領域以外の他の領域を除去して、残存するアルミニウム膜１１からなる配線を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has the copper wiring 3 formed in a first insulating film 2 on a substrate 1 and a silicon carbonitride film 4 formed on the copper wiring 3 and a first insulating film 2, wherein copper atoms in the copper wiring 3 and constituent atoms of the silicon carbonitride film 4 are microscopically bonded together.例文帳に追加

基板１上の第１の絶縁膜２中に形成された銅配線３と、銅配線３及び第１の絶縁膜２の上に形成されたシリコン炭化窒化膜４を有し、銅配線３内の銅原子とシリコン炭化窒化膜４の構成原子とが微視的に結合する。 - 特許庁

To surely suppress diffusion and penetration of copper atoms into a metal silicide film, while using a diffusion barrier layer composed of manganese oxide in the form of a thin film as a diffusion barrier layer between the metal silicide film and a copper contact plug body.例文帳に追加

金属シリサイド膜と銅コンタクトプラグ本体との間の拡散バリア層として、薄膜の酸化マンガンで構成された拡散バリア層を用いてはいるものの、金属シリサイド膜への銅原子の拡散、侵入を確実に抑止することができるようにする。 - 特許庁

Also provided is a manufacturing method of the micro/nano structure comprising manufacturing the nano tube, which is hollow, by self-organizing through irradiating the surface of a metallic copper with a high energy beam in low vacuum so as to bond oxygen atoms remaining in the low vacuum atmosphere to excited copper atoms.例文帳に追加

及び、低真空中で金属銅の表面に高エネルギービームを照射して、励起した銅原子と低真空中に残留する酸素原子とを結合させつつ、自己組織化によって、内部が中空なナノチューブを製造することを特徴とするマイクロ・ナノ構造体の製造方法。 - 特許庁

The plating bath is used for forming a plating film made of a copper alloy containing molybdenum on a body to be plated, and includes a copper ion feed source and a molybdenum ion feed source, wherein the molar ratio between the copper atoms and molybdenum atoms in the plating bath lies in the range of 12.6:87.4 to 0.5:99.5.例文帳に追加

被めっき体上にモリブデンを含有する銅合金からなるめっき膜を形成するために用いられるものであり、銅イオン供給源とモリブデンイオン供給源とを含み、めっき浴中の銅原子とモリブデン原子とのモル比が１２．６：８７．４〜０．５：９９．５の範囲であることを特徴とするめっき浴とする。 - 特許庁

To improve an electro-migration resistance of a copper wiring by preventing copper atoms in the copper wiring from diffusing into an insulating film during heat treatment so that occurrence of a leakage current between wirings is prevented, and preventing occurrence of voids at the interface between the copper wiring and the insulating film through improvement is tight-adhesion between the copper wiring and the insulating film.例文帳に追加

熱処理時における銅配線中の銅原子の絶縁膜中への拡散を阻止することにより、配線間におけるリーク電流の発生を防止すると共に、銅配線と絶縁膜との密着性を向上させて銅配線と絶縁膜との界面にボイドが発生する事態を防止することにより、銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。 - 特許庁

To provide a technology for suppressing the deterioration of performance in the semiconductor element such as a MISFET formed on a main surface of the semiconductor substrate by suppressing the diffusion of copper atoms attached to a back surface of the semiconductor substrate from the back surface into the semiconductor substrate, in a semiconductor device where copper wiring is used in a wiring layer.例文帳に追加

配線層に銅配線を使用する半導体装置において、半導体基板の裏面に付着した銅原子が半導体基板の裏面から内部へと拡散することを抑制し、半導体基板の主面に形成されているＭＩＳＦＥＴなどの半導体素子の特性劣化を抑制できる技術を提供する。 - 特許庁