「"electron beam heating"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The electron absorber 18 consisting of a reflection part for reflecting electrons and an absorption part for absorbing electrons is installed in a vapor deposition chamber 20 of the electron beam heating type vapor deposition apparatus 11.例文帳に追加

電子を反射する反射部と電子を吸収する吸収部とからなる電子線吸収体１８を、電子線加熱蒸着装置１１の蒸着室２０内に設置する。 - 特許庁

To provide a device for supplying a vapor depositing material which is capable of stably supplying the vapor depositing material to an evaporating source unit in the vapor deposition by electron beam heating, and to provide a vapor deposition apparatus.例文帳に追加

本発明の目的は，電子線加熱による蒸着において，蒸着材料を蒸発源装置に安定供給することができる蒸着材料供給装置及び蒸着装置を提供することにある。 - 特許庁

After the deposition of one batch is completed, heating of an aluminum metal which is a raw material for deposition by the electron beam from an electron beam heating device 6 is stopped, and a heating and heat- insulating device 9 is operated as soon as the evacuation is started.例文帳に追加

１バッチの蒸着終了後、電子ビーム加熱装置６からの電子ビームによる蒸着原料である金属アルミニウムの加熱が停止し、真空排気が開始されると同時に加熱保温装置９が作動する。 - 特許庁

To provide an electron absorber which is adaptable to continuous vapor deposition on a film base material of a large area as well by solving a problem that electrons heat other parts than a vapor deposition material by the reflection phenomenon or diffusion phenomenon, and an electron beam heating type vapor deposition apparatus using the same.例文帳に追加

電子が反射現象または拡散現象によって蒸着材料以外の箇所を加熱してしまう問題を解消し、大面積のフィルム基材への連続蒸着にも対応できる電子吸収体およびそれを用いた電子線加熱蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To enable the evaporation of a magnetic evaporation material of high melting point by an electron beam heating method, to eliminate troubles in evaporation or defects in a film caused by the magnetic field, and to enable formation and doping of a thin film through the vacuum deposition using the magnetic material of high melting point.例文帳に追加

電子線加熱法により磁性体高融点蒸発材料の蒸発を可能とすると共に、磁場による蒸発の障害や膜の欠陥を無くし、磁性体高融点材料を使用した真空蒸着による薄膜の形成やドーピングを可能とする。 - 特許庁

In a magnetic recording medium in which a magnetic layer 2 having a thickness of 50 nm or less is formed on a surface of one side of a non-magnetic support 1 by evaporating Co by electron beam heating, an average particle diameter of Co to be deposited is controlled to 10 nm or less by raising intensity of the electron beam.例文帳に追加

非磁性支持体１の一方の面に、電子ビーム加熱によってＣｏを蒸発させて、厚みが５０ｎｍ以下の磁性層２を形成する磁気記録媒体において、前記電子ビームの強度を上げて、前記蒸着されるＣｏの平均粒径を１０ｎｍ以下に制御する。 - 特許庁

To improve mechanical strength of a thin film simply and at a low cost, in depositing a thin film containing a first and second thin film materials by heating and evaporating each material using an electron beam heating method for the first material and a resistive heating method for the second material.例文帳に追加

第１薄膜材料を電子ビーム加熱法により、第２薄膜材料を抵抗加熱法によりそれぞれ加熱し蒸発させて、第１薄膜材料と第２薄膜材料とを含む薄膜を形成する場合において、簡単かつ低コストに薄膜の機械的強度を改善する。 - 特許庁

Since adverse influence is exerted on the film deposition when recoil atoms from an electron beam heating source 22 reach the substrate W to be treated, a recoil atom control board 23 for preventing the arrival of the recoil atoms at the substrate W to be treated is provided; thus the charge potential of the substrate W to be treated is controlled.例文帳に追加

電子ビーム加熱源２２からの反跳電子が被処理基板Ｗに到達してしまうと膜形成に悪影響を及ぼすため、被処理基板Ｗに反跳電子が到達するのを防ぐための反跳電子制御板２３を設けて、被処理基板Ｗのチャージ電位を制御する。 - 特許庁

The method for manufacturing the electrode for the lithium secondary battery includes a process where Li_2O is coupled with Co, and a process where a positive pole active material layer containing an Li-Co-O layer is formed on a collector 7 using an electron beam heating vacuum vapor- deposition apparatus 1.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、Ｌｉ_2ＯとＣｏとを組み合わせる工程と、電子ビーム加熱真空蒸着装置１を用いて、集電体７上にＬｉ−Ｃｏ−Ｏ層を含む正極活物質層を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The inside of a vacuum chamber 1 is provided with: a first vapor deposition source 10 consisting of a crucible 12 with silicon dioxide as a vapor deposition material 11; and a second vapor deposition source 20 consisting of a crucible 22 with silicon as a vapor deposition material 21, and they are independently heated by first and second electron beam heating apparatuses 13 and 23, so that silicon dioxide and silicon are evaporated, respectively.例文帳に追加

真空チャンバ１内には、二酸化ケイ素を蒸着物質１１とする坩堝１２からなる第１の蒸着源１０と、ケイ素を蒸着物質２１とする坩堝２２からなる第２の蒸着源２０とが設けられて、第１，第２の電子ビーム加熱装置１３，２３により独立に加熱してそれぞれ二酸化ケイ素及びケイ素を蒸発させる。 - 特許庁