「"isolation technology"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a highly reliable semiconductor device by providing a trench isolation technology to prevent the formation of secondary structural materials such as a nitride.例文帳に追加

窒化物などの副次的な構成物の形成を防止したトレンチ分離技術を提供し、以て信頼性を向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To enable detection by a single detecting circuit in an LSI adopting the ground-line isolation technology and two or more power supply system circuits, even when a bidirectional ESD stress is impressed on two power supply system circuits.例文帳に追加

接地線分離技術および複数の電源系回路を採用したLSI において、２つの電源系回路に双方向のESD ストレスが印加された場合でも１つの検出回路で検出可能とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for reducing the transmission loss of an input signal, while preventing latchup by a parasitic element caused, when forming a control circuit on the same semiconductor substrate as that of an IGBT (insulating gate bipolar transistor), by using a junction isolation technology.例文帳に追加

接合分離技術を用いてＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）と同一半導体基板上に制御回路を形成する際に発生する寄生素子によるラッチアップを防止しつつ、入力信号の伝送損失を低減する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To fabricate a transistor in which reverse short channel effect does not take place by suppressing formation of a recess through etching of the sidewall part of an isolation pattern formed on a semiconductor pattern when a pad oxide film, a sacrifice oxide film, and the like, are removed by etching thereby solving the problem in an STI(shallow trench isolation) technology.例文帳に追加

パッド酸化膜、犠牲酸化膜等のエッチング除去時に半導体基板に形成した素子分離パターンの側壁部がエッチングされて窪みが形成されるのを抑制してＳＴＩ技術の課題を解決し、逆狭チャネル効果を生じないトランジスタの形成を可能にする。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of two capacitors C1 and C2 comprising a polysilicon capacitor and an n-type transistor formed, for instance, on a semiconductor substrate 11 comprising a p-type silicon substrate with its element separated, for instance, by an STI (Shallow Trench Isolation) technology.例文帳に追加

この半導体装置は、例えばＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ ＴｒｅｎｃｈＩｓｏｌａｔｉｏｎ）技術により素子分離された例えばｐ型のシリコン基板からなる半導体基板１１に、ポリシリコンキャパシタからなる２つのキャパシタＣ１およびＣ２とｎ型トランジスタとを備えて構成されている。 - 特許庁