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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "molecular layers"に関連した英語例文

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"molecular layers"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 16



例文

The sealing material 30 comprises thermoplastic high molecular layers 31 and 33 which are formed on the pair of current collectors 20 and 21 respectively and a crosslinked high molecular layer 32 interposed between the thermoplastic high molecular layers 31 and 33.例文帳に追加

そして、本発明において、封口材30は、一対の集電体20,21上に各々設けられた熱可塑性高分子層31,33、及び、これら熱可塑性高分子層31,33間に設けられた架橋高分子層32を備えている。 - 特許庁

The speaker diaphragm includes: two polymer layers; three low-molecular layers tightly adhered on both sides of the polymer layers; and skin layers tightly adhered on sides of the low-molecular layers, opposite to the contact surfaces with the polymer layers.例文帳に追加

二つの高分子層と、その両面に密着配置された三つの低分子層と、低分子層の高分子層との接触面とは反対側の面に密着配置されたスキン層とを有してなる、スピーカ用振動板により達成される。 - 特許庁

The diaphragm for the loudspeaker comprises: a high-polymer layer; two low-molecular layers closely arranged on both faces; and a skin layer closely arranged on a surface opposite to the contact face of the low-molecular layers with the high-polymer layer.例文帳に追加

高分子層と、その両面に密着配置された二つの低分子層と、低分子層の高分子層との接触面とは反対側の面に密着配置されたスキン層とを有してなる、スピーカ用振動板により達成される。 - 特許庁

The TiO film and the SrO film are respectively formed to have one or more molecular layers and twenty or less molecular layers, and are alternately and laminarly formed at a temperature150°C and ≤400°C, respectively, and at a pressure of 10 Torr or more and equal to an atmospheric pressure or less.例文帳に追加

TiO膜及びSrO膜は、各々温度150℃以上400℃以下、圧力10Torr以上大気圧以下で、各々1分子層以上、20分子層以下で交互に層状に形成させる。 - 特許庁

例文

The stacking direction of the molecular layers from the second layer onward of the array structure 4 is controlled by π-π interaction.例文帳に追加

また、配列構造体4の第2層以後の分子層の積層方向は、π-π相互作用によって制御される。 - 特許庁


例文

By repeating the second and the third steps alternately, the growth of a GaN thin film 303 having a thickness of two or more molecular layers can be also performed (refer to Fig.3(c)).例文帳に追加

第2と第3の工程を交互に繰り返すことにより、2分子層以上の厚さのGaN薄膜303を成長可能である(図3(c)参照)。 - 特許庁

By alternately repeating the step 2 and the step 3, a GaN thin film 303 with a thickness larger than that of two molecular layers is grown.例文帳に追加

工程2と工程3を交互に繰り返すことにより、2分子層以上の厚さのGaN薄膜303を成長させる。 - 特許庁

Particles 2 comprising an alkaline metal atom such as potassium, rubidium, or cesium are intercalated between planar molecular layers 1 comprising the graphen of graphite.例文帳に追加

グラファイトのグラフェンでなる平面状分子層1同士の間に、粒子2としてカリウム、ルビジウム、セシウムなどのアルカリ金属原子が挿入されている。 - 特許庁

Each group of layers of the superlattice includes a plurality of stacked base semiconductor molecular layers defining a base semiconductor portion and an energy-band-modifying layer on the base semiconductor portion.例文帳に追加

超格子の各層群は、基本半導体部分を定形する複数の積層された基本半導体分子層と、該基本半導体部分上のエネルギーバンド調整層と、を有する。 - 特許庁

例文

By repeating the second and third processes alternately, the growth of a GaN thin film 303 having a thickness of two or more molecular layers can be also performed (refer to Fig.3(c)).例文帳に追加

第2と第3の工程を交互に繰り返すことにより、2分子層以上の厚さのGaN薄膜303を成長することも可能である(図3(c)参照)。 - 特許庁

例文

To provide a surface analyzer capable of generating a neutralizing beam having the same energy, and analyzing accurately the surfaces of a thin film wherein molecular layers are the first to third surface layers.例文帳に追加

エネルギーが同じである中性化ビームを発生し、かつ分子層が表面第1層〜第3層までの薄膜の表面を正確に分析することことができる表面分析装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method removing a solid material composed of plural constituting elements by one atomic layer or by one molecular layer and capable of controlling the order of the atomic layers or the order of the molecular layers, and to provide a device therefor.例文帳に追加

複数の構成元素からなる固体材料を1原子層又は1分子層ずつ除去して、原子層オーダー又は分子層オーダーの制御が可能なドライエッチング方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The particles 2 intercalated between the planar molecular layers 1 enables the interlayer distance between the layers 2 between which the particles 2 are intercalated to be set at 0.8 to 1.2 nm.例文帳に追加

このような粒子2が平面状分子層1同士の間に挿入されていることにより、粒子2を挟む平面状分子層1同士の層間距離は、0.8〜1.2nmに設定されている。 - 特許庁

A short-period superlattice structure layer 4 in which an integral multiple of a plurality of two-dimensional compound semiconductor molecular layers are alternately laminated is provided on a semiconductor substrate 1, and in addition the self-forming quantum dot 5 is provided on the structure layer 4.例文帳に追加

半導体基板1上に複数の2元化合物半導体の分子層の整数倍が交互に積層された短周期超格子構造層4を設けるとともに、短周期超格子構造層4上に自己形成型量子ドット5を設ける。 - 特許庁

When forming the InGaN layer on the p-AlGaN layer, supply of trimethyl aluminum (TMA) is stopped and trimethyl indium (TMI) is supplied while keeping the growth temperature of the p-AlGaN layer thus increasing the supply amount of Ga source gas and forming an InGaN layer having a thickness of 1-2 molecular layers.例文帳に追加

p−AlGaN層上にInGaN層を形成する際、p−AlGaN層の成長温度を保持したまま、TMAの供給を停止してTMIを供給し、Ga源ガスの供給量を増やし、厚さ1〜2分子層のInGaN層を形成する。 - 特許庁

例文

After an InAs quantum dot, fabricated by S-K mode growth on a GaAs substrate, is embedded and planarized using GaAs, molecular-layer etching for etching molecular layers layer by layer is carried out continuously, without moving from the growth container.例文帳に追加

GaAs基板上にS−Kモード成長を利用して作製したInAs量子ドットをGaAsで埋め込んで表面を平坦にした後、分子層を一層、一層エッチングする分子層エッチングを、成長槽内から移動せずに連続的に行なう。 - 特許庁

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