「"n TYPE"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ELECTRODE OF N-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体の電極 - 特許庁

n-TYPE DIAMOND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンド半導体 - 特許庁

n-TYPE ZnS SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加

ｎ型ＺｎＳ半導体薄膜 - 特許庁

The substrate 2 consists of n-type GaAs.例文帳に追加

基板２は、ｎ型ＧａＡｓからなる。 - 特許庁

COMPOSITION FOR N-TYPE THERMOELECTRIC ELEMENT例文帳に追加

ｎ型熱電素子用組成物 - 特許庁

n-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL例文帳に追加

ｎ型熱電変換材料 - 特許庁

EQUIPMENT IN WHICH N-TYPE SEMICONDUCTOR IS INCORPORATED例文帳に追加

ｎ−型半導体を有する装置 - 特許庁

A n-type impurity concentration of the second n-type layer 112 is higher than those of the first n-type layer 111 and the third n-type layer 113.例文帳に追加

第２ｎ型層１１２のｎ型不純物濃度は、第１ｎ型層１１１、第３ｎ型層１１３のｎ型不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

An n-type dopant is added to the second n-type semiconductor layer 19.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９には、ｎ型ドーパントが添加されている。 - 特許庁

N-TYPE INORGANIC SEMICONDUCTOR, N-TYPE INORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｎ型無機半導体、ｎ型無機半導体薄膜及びその製造方法 - 特許庁

An n-type substrate 1 is grounded with an n-type well 2 formed on its surface.例文帳に追加

n型の基板1は接地され、表面にn型のウエル2が形成されている。 - 特許庁

An n-type cladding layer 103 is formed over an n-type substrate 101.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１０３はｎ型基板１０１の上方に形成される。 - 特許庁

N-TYPE THERMOELECTRIC MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND N-TYPE THERMOELECTRIC ELEMENT例文帳に追加

Ｎ型熱電材料及びその製造方法並びにＮ型熱電素子 - 特許庁

An n-type ZnMgO layer is formed on the surface of the n-type ZnO layer (c).例文帳に追加

（ｃ）ｎ型ＺｎＯ層表面上に、ｎ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。 - 特許庁

In addition, an N^--type area 5b is formed within the N-type area 5.例文帳に追加

また、Ｎ型領域５内には、Ｎ^−型領域５ｂを形成する。 - 特許庁

An n-type electrode 5 is bonded to the n-type contact layer 21.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層２１には、ｎ型電極５が接合されている。 - 特許庁

The obtained n-type GaN includes n-type carriers in proportion to the oxygen concentration.例文帳に追加

酸素濃度に比例したｎ型キャリアをもつｎ型ＧａＮとなる。 - 特許庁

To prevent n type inversion, and to reduce inter-n type diffusion layer leakage currents.例文帳に追加

ｎ型反転を防止し、ｎ型拡散層間の漏れ電流を抑制する。 - 特許庁

The deep n-type well is provided with a first deep n-type well 105.例文帳に追加

ディープｎ型ウェルは、第一のディープｎ型ウェル１０５を備える。 - 特許庁

The n-type layer 3 is provided with an n^+type GaN layer 6, an n^-type GaN layer 7, and an n^-type AlGaN layer 8, and the n^-type AlGaN layer 8 is formed at a portion contacting the p-type GaN layer 4 in the n-type layer 3.例文帳に追加

ｎ型層３は、ｎ^＋型ＧａＮ層６と、ｎ^−型ＧａＮ層７と、ｎ^−型ＡｌＧａＮ層８とを備えており、ｎ型層３において、ｐ型ＧａＮ層４に接する部分にｎ^−型ＡｌＧａＮ層８が形成されている。 - 特許庁

Thus, the n type buffer layer 3 is spatially separated from an SJ structure 4, and the concentration of the n type impurity at a connection part 14 between the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5 is made lower than the concentration of the n type impurity in the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5.例文帳に追加

これにより、ｎ型バッファー層３とＳＪ構造４とが空間的に分離され、ｎ型バッファー層３とｎ型ピラー領域５との間の接続部１４におけるｎ型不純物の濃度が、ｎ型バッファー層３及びｎ型ピラー領域５におけるｎ型不純物の濃度よりも低くなる。 - 特許庁

The soft recovery diode includes an n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 13 formed on the n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 14 formed on the n^- type base layer 13, and an n^+ type anode layer 15 formed on the n^- type base layer 14.例文帳に追加

ｎ^＋型半導体基板１２と、上記ｎ^＋型半導体基板１２上に形成されたｎ^−型ベース層１３と、上記ｎ^−型ベース層１３上に形成されたｎ^−型ベース層１４と、上記ｎ^−型ベース層１４上に形成されたｐ^＋型アノード層１５とを備える。 - 特許庁

After an n-type semiconductor region 8A is formed by introducing an n-type impurity ion, an n-type semiconductor region 8B is formed by introducing an n-type impurity ion at a region that is adjacent to the n-type semiconductor region 8A.例文帳に追加

ｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ａを形成した後、ｎ型半導体領域８Ａと隣接する領域にｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ｂを形成する。 - 特許庁

An N-type layer 5a composed of an N-type epitaxial layer 5 in which, for example, an N+-type drain layer 13 is formed is surrounded by a P-type drain isolation layer 6 extending from a surface of the N-type epitaxial layer 5 to an N+-type buried layer 2.例文帳に追加

Ｎ＋型ドレイン層１３等が形成されたＮ型エピタキシャル層５からなるＮ型層５ａを、Ｎ型エピタキシャル層５の表面からＮ＋型埋め込み層２まで延在するＰ型ドレイン分離層６で取り囲む。 - 特許庁

In an upper layer of the N-type region 5a, an N-type doped silicon film 11 having an impurity concentration higher than the N-type region 5a and equivalent to those of the N-type regions 6, 8 is formed in contact with the N-type region 5a.例文帳に追加

Ｎ型領域５ａの上層には、不純物濃度がＮ型領域５ａより高く、Ｎ型領域６，８と同程度のＮ型ドープトポリシリコン膜１１がＮ型領域５ａに接触して形成されている。 - 特許庁

Since the concentration of the n-type impurity of an n+-type drift region 18b is higher than that of the n-type impurity of n-type drift regions 18a, 12a, and 12b, the resistance of the n+-type drift region 18b is lower than that of the regions.例文帳に追加

ｎ^+型ドリフト領域１８ｂのｎ型不純物濃度は、ｎ型ドリフト領域１８ａ、１２ａ、１２ｂのｎ型不純物濃度より高いので、ｎ^+型ドリフト領域１８ｂの抵抗は、これらの領域の抵抗より低い。 - 特許庁

An n^+-type drain layer 15 having the impurity concentration higher than the n^--type offset layer 13 is formed at the n^--type offset layer 13.例文帳に追加

ｎ-型オフセット層１３には、ｎ-型オフセット層１３より高い不純物濃度を有するｎ+型ドレイン層１５が形成されている。 - 特許庁

On the other hand, a shallow N+ type semiconductor 3 is formed by diffusing high concentration N type impurities from one surface side of the N- type semiconductor substrate.例文帳に追加

また，Ｎ−型半導体基板の上記一方の表面側から高濃度のＮ型不純物を拡散して，浅いＮ＋型半導体を形成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 in which an n^- type drift layer 6 and an n^+ type semiconductor layer 7 are sequentially formed on an n^+ type substrate 5 is prepared.例文帳に追加

Ｎ^+型基板５の上に順にＮ^-型ドリフト層６、Ｎ^+型半導体層７が形成された半導体基板１を用意する。 - 特許庁

An n-type semiconductor is epitaxially grown on an n-type low resistance substrate 1 and a trench is formed on the n-type semiconductor.例文帳に追加

ｎ型低抵抗基板１の上にｎ型半導体をエピタキシャル成長させ、そのｎ型半導体にトレンチを形成する。 - 特許庁

An n type buffer layer 3 is formed on an n^+ type substrate 2, and an n^- type buffer layer is formed on this.例文帳に追加

ｎ^＋型基板２上にｎ型バッファー層３を形成し、その上にｎ^−型バッファー層を形成する。 - 特許庁

Then, an n-type semiconductor region 8C is formed by introducing an n-type impurity ion into a region that is adjacent to the n-type semiconductor region 8B.例文帳に追加

続いて、ｎ型半導体領域８Ｂと隣接する領域にｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ｃを形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 16 is embedded in the n^--type offset layer 13 between the n^+-type source layer 14 and the n^+-type drain layer 15.例文帳に追加

ｎ+型ソース層１４とｎ+型ドレイン層１５との間のｎ-型オフセット層１３にはシリコン酸化膜１６が埋め込まれている。 - 特許庁

An n-type semiconductor 2 is formed by epitaxial growth on an n-type low-resistance board 1, and trenches 4 are formed on the n-type semiconductor 2.例文帳に追加

ｎ型低抵抗基板１の上にｎ型半導体２をエピタキシャル成長させ、そのｎ型半導体にトレンチ４を形成する。 - 特許庁

On a surface of the n-type semiconductor substrate 13, a collector n^+ type region 16 and an emitter n^+ type region 17 are formed apart each other.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１３の表面部には、コレクタｎ^+ 型領域１６とエミッタｎ^+ 型領域１７が互いに離れて形成されている。 - 特許庁

An n-type silicon layer 12 is formed on an n^+ type silicon wafer 11w, and a plurality of trenches 13 are formed in the n-type silicon layer 12.例文帳に追加

ｎ^＋型のシリコンウェーハ１１ｗ上にｎ型シリコン層１２を形成し、ｎ型シリコン層１２に複数本のトレンチ１３を形成する。 - 特許庁

An n-type InN layer 104 is formed in a part on the n-type AlGaN layer 103, and an Ni/Pt/Au electrode 106 is formed on the n-type InN layer 104.例文帳に追加

n型AlGaN層103上の一部にはn型InN層104が形成されており、n型InN層104上にはNi/Pt/Au電極106が形成されている。 - 特許庁

A deep N+ type region 14 is formed in an N- type layer 13b to reach an N+ type layer 13a.例文帳に追加

Ｎ−型層１３ｂに、Ｎ＋型層１３ａに達するようにディープＮ＋型領域１４が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises an n^+-type source region 31, an n^+-type drain region 11, a p^--type body region 41 and an n^--type drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

An n-type semiconductor 22 is formed on the surface of an n-type silicon substrate 21, and a mask oxide film is formed on the surface of the n-type semiconductor 22.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板２１の表面にｎ型半導体２２を形成し、ｎ型半導体２２の表面にマスク酸化膜を形成する。 - 特許庁

On a back surface of an n-type GaAs substrate 1, an n-type electrode Au-Ge layer and an n-type electrode Ni layer are sequentially deposited by a sputtering method.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極Ｎｉ層とをスパッタにより順次蒸着する。 - 特許庁

An N^--type drift layer 2, a P^+-type layer 3, and an N^+-type layer 5 are sequentially formed on an N^+-type substrate 1 using an epitaxial growth.例文帳に追加

Ｎ^+型基板１の上に、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３、Ｎ^+型層５を順にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

An n+-type source layer 4 is formed on the surface of the p-type well layer 2, and an n+-type drain layer 6 is formed on the surface of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

ｐ型ウエル層２の表面にｎ^+ 型ソース層４が形成され、ｎ型ドリフト層３の表面にｎ^+ 型ドレイン層６が形成される。 - 特許庁

The first semiconductor layer 20 is equipped with an N-type contact layer 21, an N-type clad layer 22, and an N-type guide layer 23 successively laminated on a board 10 side.例文帳に追加

第１の半導体層２０は、基板１０の側から順に、ｎ型コンタクト層２１，ｎ型クラッド層２２，ｎ型ガイド層２３を有している。 - 特許庁

The layer structure LS1 includes an n-type high concentration carrier layer 3, an n-type light absorbing layer 5, and an n-type cap layer 7.例文帳に追加

層構造体ＬＳ１は、ｎ型の高濃度キャリア層３、ｎ型の光吸収層５、及びｎ型のキャップ層７を含んでいる。 - 特許庁