「"n type semiconductor"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR SYNTHESIZING n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND THIN FILM例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド薄膜の合成法 - 特許庁

The n^+-type semiconductor region 14A is formed apart from the n^+-type semiconductor region 13A, and the n^+-type semiconductor region 14C is formed apart from the n^+-type semiconductor region 14A.例文帳に追加

ｎ+型半導体領域１４Ａは、ｎ+型半導体領域１３Ａと離隔して形成され、ｎ+型半導体領域１４Ｃはｎ+型半導体領域１４Ａと離隔して形成されている。 - 特許庁

METHOD OF MEASURING RESISTIVITY OF N TYPE SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

Ｎ型半導体ウェハの抵抗率測定方法 - 特許庁

n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド及びその製造方法 - 特許庁

An n^+-type semiconductor layer 2 is formed on an n-type semiconductor substrate 1, and a p-type epitaxial layer 3 is formed on the n^+-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１上には、ｎ^＋半導体層２が形成されており、ｎ^＋半導体層２上にｐ型エピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

The second N-type semiconductor layer 32 has lower impurity concentration than the first N-type semiconductor layer 30.例文帳に追加

第２の半導体層32の不純物濃度は、第１の半導体層30の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

A lightly doped N- type semiconductor layer 3 is formed on a heavily doped N+ type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

高濃度のＮ＋型の半導体基板２上に、低濃度のＮ−形の半導体層３を形成する。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 11 between the n^+-type semiconductor region 14A and the n^+-type semiconductor region 14C, an n^--type semiconductor region 14B is formed whose electric resistance is higher than that of the n^+-type semiconductor region.例文帳に追加

ｎ+型半導体領域１４Ａとｎ+型半導体領域１４Ｃとの間の半導体基板１１には、ｎ+型半導体領域より電気抵抗が高いｎ-型半導体領域１４Ｂが形成されている。 - 特許庁

the junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor 例文帳に追加

p型半導体とn型半導体の間の接合 - 日本語WordNet

The semiconductor substrate 11 is formed of an n-type semiconductor.例文帳に追加

半導体基板１１は、Ｎ型の半導体からなる。 - 特許庁

N-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR ORGANIC THIN FILM SOLAR CELL例文帳に追加

有機薄膜太陽電池用ｎ型半導体材料 - 特許庁

The n-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor.例文帳に追加

前記ｎ型半導体層は、窒化物半導体を含む。 - 特許庁

A second N-type semiconductor layer 32 is formed so as to come into contact with a first N-type semiconductor layer 30.例文帳に追加

Ｎ型の第１の半導体層30と接するようにＮ型の第２の半導体層32が形成されている。 - 特許庁

The C60 fullerene derivative is used for a charge transfer material, an n-type semiconductor material and an n-type semiconductor thin film and the like.例文帳に追加

該Ｃ６０フラーレン誘導体は、電荷移動材料、ｎ型半導体材料、ｎ型半導体薄膜等に利用できる。 - 特許庁

The n-side electrode contacts a part of the n-type semiconductor layer on the opposite side to the light-emitting layer of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ側電極は、ｎ型半導体層の発光層とは反対側でｎ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁

LOW-RESISTANCE n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドおよびその製造方法 - 特許庁

A trench 14 is formed on an N-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｎ−型半導体層１２にトレンチ１４を形成する。 - 特許庁

A second N-type semiconductor region comprising an epitaxial layer is formed on a first N^+-type semiconductor region 7.例文帳に追加

Ｎ^+形の第１の半導体領域７の上にエピタキシャル層から成るＮ形の第２の半導体領域を形成する。 - 特許庁

A p^+ type semiconductor region 20 is formed in a part of the n^-type semiconductor layer 14 apart from the n^+ type semiconductor region 18, so as to surround the n^+ type semiconductor region 18.例文帳に追加

ｎ^＋型半導体領域１８から離間してｎ^＋型半導体領域１８を取り囲むようにｎ^−型半導体層１４の一部にｐ^＋型半導体領域２０を形成する。 - 特許庁

In this case, the concentration of impurities in the n-type semiconductor region 8B becomes lower than that of impurities in the n-type semiconductor region 8A, and the concentration of impurities in the n-type semiconductor region 8C becomes smaller than that of impurities in the n-type semiconductor region 8B.例文帳に追加

この時、ｎ型半導体領域８Ａ中よりｎ型半導体領域８Ｂ中の不純物濃度が低くなり、ｎ型半導体領域８Ｂ中よりｎ型半導体領域８Ｃ中の不純物濃度が低くなるようにする。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 having an n-type semiconductor region 14 and a cathode side n^+-type semiconductor region 15 is prepared.例文帳に追加

Ｎ型半導体領域１４とカソード側Ｎ^＋型半導体領域１５とを有する半導体基板１０を用意する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a low resistance n-type semiconductor diamond containing lithium and nitrogen and the n-type semiconductor diamond.例文帳に追加

リチウムと窒素を含有した低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドの製造方法及びｎ型半導体ダイヤモンドを提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate is prepared which is such that an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer are stacked on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｎ型の半導体基板上にＮ型の半導体層とＰ型の半導体層が積層した半導体基板を用意する。 - 特許庁

The electrode is connected to the n-type semiconductor region.例文帳に追加

前記電極は、前記ｎ形半導体領域に接続される。 - 特許庁

An n-type semiconductor is epitaxially grown on an n-type low resistance substrate 1 and a trench is formed on the n-type semiconductor.例文帳に追加

ｎ型低抵抗基板１の上にｎ型半導体をエピタキシャル成長させ、そのｎ型半導体にトレンチを形成する。 - 特許庁

An n^+ type semiconductor region 18 is formed in a part of the n^- type semiconductor layer 14 above the thick film dielectric layer 38.例文帳に追加

厚膜誘電体層３８の上方においてｎ^−型半導体層１４の一部にｎ^＋型半導体領域１８を形成する。 - 特許庁

An n-electrode is connected to the undersurface of the n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板の下面にｎ電極が接続されている。 - 特許庁

A further feature of the structure includes an n-type semiconductor multiplication layer, an n-type semiconductor absorption layer, and a p-type contact layer.例文帳に追加

本発明の構造のさらなる特徴は、ｎ型半導体多重層と、ｎ型半導体吸収層と、ｐ型接触層とを備える。 - 特許庁

The metal layer 202 is disposed in contact with the n-type semiconductor layer 201.例文帳に追加

金属層２０２はｎ型半導体層２０１に接している。 - 特許庁

Next, the other main surface of the n-type semiconductor substrate 51 and a second n-type semiconductor region 22 are superposed, and fixed by the heat treatment.例文帳に追加

次に、Ｎ型半導体基板５１の他方の主面と、第２Ｎ型半導体領域２２とを重ね、熱処理によって固着させる。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, and a P-type semiconductor layer 3 is formed on the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体基板１の表面にＮ−型半導体層２を形成し、その上層にＰ型半導体層３を形成する。 - 特許庁

An n-type semiconductor 2 is formed by epitaxial growth on an n-type low-resistance board 1, and trenches 4 are formed on the n-type semiconductor 2.例文帳に追加

ｎ型低抵抗基板１の上にｎ型半導体２をエピタキシャル成長させ、そのｎ型半導体にトレンチ４を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device 101 has an N-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置１０１はＮ型の半導体基板１を備える。 - 特許庁

A plurality of first metal layers 34 are formed on the surface of the second N-type semiconductor layer 32 opposite to its other surface that is brought into contact with the first N-type semiconductor layer 30, coming into contact with the N-type semiconductor layer 32 at certain intervals.例文帳に追加

第２の半導体層32における第１の半導体層30と反対側の表面で、第２の半導体層32と接触するように、間隔をあけて複数の第１金属層34が形成されている。 - 特許庁

An n-type semiconductor 22 is formed on the surface of an n-type silicon substrate 21, and a mask oxide film is formed on the surface of the n-type semiconductor 22.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板２１の表面にｎ型半導体２２を形成し、ｎ型半導体２２の表面にマスク酸化膜を形成する。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、ｎ型、ｐ型半導体層の間に設けられる。 - 特許庁

An emitter E of the n-type semiconductor is jointed to the base B.例文帳に追加

ｎ型半導体からなるエミッタＥは、ベースＢに接合されている。 - 特許庁

Each of the semiconductor devices can include an n-type semiconductor region, an n+ region in the n-type semiconductor region, a metal gate, and a gate insulator.例文帳に追加

各半導体装置は、ｎ型半導体領域と、ｎ型半導体領域におけるｎ＋領域と、メタルゲートと、ゲート絶縁体とを有し得る。 - 特許庁

A back electrode 26 is arranged on the other N-type semiconductor substrate.例文帳に追加

また他方のｎ型半導体基板上に裏面電極２６を設ける。 - 特許庁

The insulated gate bipolar transistor includes: an N-type semiconductor layer 3; and a collector part formed on the surface part of the N-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

本発明の絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、Ｎ型半導体層３と、Ｎ型半導体層３の表面部に形成されたコレクタ部とを具備する。 - 特許庁

On a silicon substrate 10, an N^--type semiconductor region 11, a P-type semiconductor region 12, and an N^+-type semiconductor region 13 are formed.例文帳に追加

シリコン基板１０には、Ｎ^-型半導体領域１１、Ｐ型半導体領域１２およびＮ^+型半導体領域１３が形成されている。 - 特許庁

The first n-type semiconductor region 32_a is covered by the electricity-conducting plate 33_a.例文帳に追加

電導板３３_aによって第１のｎ型半導体領域３２_aを覆う。 - 特許庁

As a result, Bi_4Ti_3O_12 to which Nb has been added becomes an n-type semiconductor.例文帳に追加

従って、Ｎｂが添加されたＢｉ_4Ｔｉ_3Ｏ_12は、ｎ形の半導体となる。 - 特許庁

The first n-type semiconductor layer 13 is formed on a substrate 11.例文帳に追加

第１のｎ型半導体層１３は基板１１上に設けられている。 - 特許庁

The n-side electrode contacts a part of the n-type semiconductor layer on a second main surface of the n-type semiconductor layer, which is opposite to the light-emitting layer.例文帳に追加

前記ｎ側電極は、前記ｎ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第２主面において、前記ｎ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁