「"resistive contact"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A gate line containing a gate electrode, a gate insulation film, a semiconductor layer, a resistive contact layer, a data line having a source electrode and a drain electrode are formed on the upper part of an insulation substrate.例文帳に追加

絶縁基板の上部に、ゲート電極を含むゲート線、ゲート絶縁膜、半導体層及び抵抗性接触層、ソース電極を有するデータ線及びドレーン電極を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of realizing a satisfactory low resistive contact with a substrate whose impurity concentration is relatively low, and to provide a simple and highly reliable method for manufacturing the semiconductor element.例文帳に追加

比較的不純物濃度の低い基板との間に良好な低抵抗性接触を実現可能な半導体素子、および、その簡便かつ信頼性の高い製造方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting diode comprises a board, an epitaxial structure installed on the board, a resistive contact electrode provided on the epitaxial structure, and the current block structure installed in the epitaxial structure.例文帳に追加

この発光ダイオードは、基板、基板上に設けたエピタキシアル構造、エピタキシアル構造上に設けた抵抗性接触電極およびエピタキシアル構造中に設けた電流ブロック構造を含む。 - 特許庁

The epitaxial structure is composed of a lower clad layer, an upper clad layer, a light emitting layer interposed between the upper and the lower clad layer, a window layer provided on the upper clad layer, and a contact layer provided between the window layer and the resistive contact electrode.例文帳に追加

エピタキシアル構造は、下クラッド層、上クラッド層、上クラッド層と下クラッド層の間に挟まれた発光層、上クラッド層上に設けた窓層、窓層と抵抗性接触電極の間に設けたコンタクト層を含む。 - 特許庁

Then, after forming a gate insulation film by laminating on each gate wiring silicon nitride within a temperature range not lower than 300°C and during a term not shorter than 5 minutes, each semiconductor layer and resistive contact layers are formed successively on the gate insulation film.例文帳に追加

次に、ゲート絶縁膜を３００℃以上の温度範囲で５分以上の間窒化ケイ素を積層して形成し、その上部に半導体層及び抵抗性接触層を順次に形成する。 - 特許庁

A source electrode which is insulated from the gate line and comes into contact with the resistive contact layer while crossing it is provided on the gate insulating film, and a drain electrode which includes a part arranged on double lines through a bent part and faces the data line and source electrode is formed.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の上部にはゲート線と絶縁されて交差して抵抗性接触層と接するソース電極を有し、屈曲部を通って二重の線上に配置されている部分を含むデータ線とソース電極と対向するドレイン電極が形成されている。 - 特許庁

The epitaxial structure is composed of a lower cladding layer, an upper cladding layer, a light emitting layer interposed between the upper cladding layer and the lower cladding layer, a window layer provided on the upper cladding layer, and a contact layer provided between the window layer and the resistive contact electrode.例文帳に追加

エピタキシアル構造は、下クラッド層、上クラッド層、上クラッド層と下クラッド層の間に挟まれた発光層、上クラッド層上に設けた窓層、窓層と抵抗性接触電極の間に設けたコンタクト層を含む。 - 特許庁

Related to a bipolar transistor, an external base region is formed of a base region 4B, having low impurity concentration and a heavily-doped external base region 8 with high impurity concentration, so that the resistive contact in the external base region is satisfactory, reducing parasitic capacity between a base and collector.例文帳に追加

バイポーラトランジスタは、外部ベース領域が不純物濃度が低いベース領域４Ｂ、及び、不純物濃度が高い高濃度外部ベース領域８で形成されるので、外部ベ−ス領域の抵抗性接触が良好となり、ベース・コレクタ間の寄生容量が低減する。 - 特許庁