「あとガス」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

熱可塑性ポリエステル樹脂の溶融押出し時に、ポリエステルに対して不活性でかつ常温常圧で気体であるガスを注入し溶融混練りさせた後、口金部においてシート状に成形すると同時に圧力開放して発泡させ、内在する気泡径の平均値が５０〜５００μｍの範囲にあるシートを連続的に同時二軸延伸することを特徴とする熱可塑性ポリエステル樹脂発泡フィルムの製造方法。例文帳に追加

The method for producing the thermoplastic polyester resin foamed film comprises injecting a thermoplastic polyester resin under melt extrusion with a gas inert to the polyester and gaseous at normal temperatures and pressures followed by melt kneading, subjecting the melt to sheet molding at a die and simultaneously foaming the melt by pressure release into a sheet with cells 50-500 μm in mean size, which is then subjected to continuous simultaneous biaxial orientation. - 特許庁

上底吹き転炉で、出鋼後の炉内残留スラグに上吹きランスおよび炉底部羽口よりガスを吹き付け、転炉内張り耐火物表面をスラグコーティングする方法において、該スラグの鉄酸化物濃度が１５％超で、かつ、該スラグ厚みが２００ｍｍ以下である場合には、手段１は該スラグを転炉より排出せず炉内にとどめたまま次吹錬を行い、該スラグ厚みを２００ｍｍ超とした後にスラグスプラッシュコーティングを行うことを特徴とするスラグコーティング方法。例文帳に追加

This slag coating method on a lining refractory surface in the converter is executed by injecting gas from a top-blown lance and a tuyere at the furnace bottom part to the residual slag in the furnace after tapping steel in the top-bottom combined-blown converter. - 特許庁

ガス吸着法による細孔分布において、細孔半径が１０〜５００Åの範囲以内の細孔容積が０．０１ｍｌ／ｇ以上の酸化マグネシウムに磁性微粒子を接合させ、レーザー回折散乱法により測定した体積基準の９０％以上が１５０μｍ以下であることを特徴とする複合吸着剤、及び当該複合吸着剤を反応系内のｐＨを８〜１１にコントロールしながら処理対象排水に接触させ、充分にリン成分を吸着させた後、磁力を利用することにより固液分離する排水の処理方法。例文帳に追加

In the wastewater treatment, the composite adsorbent is brought into contact with the wastewater, while the pH of the reaction system is adjusted at 8-11 to attain sufficient adsorption of the phosphorus component, then subjected to solid-liquid separation through the use of magnetic force. - 特許庁

多孔質石英ガラス母材１をフッ素化合物含有雰囲気下で加熱して多孔質石英ガラス母材中にフッ素を添加する工程Ｉの後、フッ素化合物含有雰囲気または不活性ガス雰囲気下でさらに高温で加熱して透明ガラス化する工程ＩＩを有する石英ガラスの製造方法において、前記工程Ｉにおける多孔質石英ガラス母材の開気孔率が７０％以上であることを特徴とする石英ガラスの製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the quartz glass comprising a process I for adding fluorine into the porous quartz glass preform 1 by heating the porous quartz glass preform 1 under a fluorine compound-containing atmosphere and a successive process II for heating at a higher temperature under a fluorine compound-containing atmosphere or an inert gas atmosphere to vitrify, the opened porosity of the porous quartz glass preform in the process I is ≥70%. - 特許庁

化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。例文帳に追加

When a GaN crystal is grown on an AlN layer after sequentially forming an SiC layer and the AlN layer on an Si substrate 12 by a chemical vapor deposition method, the Si substrate 12 having a nitride semiconductor thin film is manufactured by generating nitrogen-based radical by blowing ammonia gas onto a heated mesh-shaped tungsten catalyst 14 and growing the GaN crystal by reacting the generated radical and an organic gallium compound on the AlN layer. - 特許庁