| 例文 (9件) |
あなた nの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
n is the number of the slice where you installed FreeBSD. 例文帳に追加
nは、 あなたが FreeBSDをインストールしたスライスの番号です。 - FreeBSD
The value of N depends on your network and the types of computers you are using to compile.例文帳に追加
Nの数値はあなたのネットワークとコンパイルに使うコンピュータのタイプに左右されます。 - Gentoo Linux
However, if you pass it a number it will update every N seconds, where N is the argument you passed. 例文帳に追加
しかし、数字を渡してやればあなたが与えた数字秒ごとに更新します。 - Gentoo Linux
To provide a method for reducing the content of nitrosamines (e.g., N'-nitroso nornicotine, 4-(methyl nitrosoamino)-1-(3-pyridyl)-1-butanone, N'-nitroso anatabine, and N'-nitroso anabasine) in tobacco.例文帳に追加
タバコ中のニトロソアミン(例えば、N'-ニトロソノルニコチン、4-(メチルニトロソアミノ)-1-(3-ピリジル)-1-ブタノン、N'-ニトロソアナタビン、N'-ニトロソアナバシン)の含量を削減する方法が提供される。 - 特許庁
As the p-type oxide semiconductor exhibiting photocatalytic property even in a visible light region, a perovskite type oxide expressed by formula: Ca(Zr_0.95Y_0.05)O_3-δ is cited, and as the n-type oxide semiconductor mentioned above, anatase-type titanium oxide is cited.例文帳に追加
可視光域でも光触媒特性を持つｐ型酸化物半導体としてＣａ（Ｚｒ_0.95Ｙ_0.05）Ｏ_3-δのペロブスカイト型酸化物が、また、上記ｎ型酸化物半導体としてアナターゼ型の酸化チタンが例示される。 - 特許庁
Upon injection of neutrons, the α rays generated at the ^10B diffusion layer 10 produce an electron-hole pair 16 at a depletion layer of the p-n junction 13, the electric charge of which is then collected to the analysis circuit portion for analysis.例文帳に追加
中性子の入射により^１０Ｂ拡散層１０で発生したα線は、ｐｎ接合１３の空乏層で電子−正孔対１６を発生し、その電荷は解析回路部に収集され、解析される。 - 特許庁
By operating the leading end 10a of second guide wire 10 extending through the laterally inclined opening 8 along the opening's circumferential edge 8A of the opening 8, the range of the leading end 10a free to progress is increased in the preset three-dimensional directions to expand the search range for penetrating pores like small blood flow routes n taking place at a blockaded part in vessels N, etc.例文帳に追加
横傾斜開口８から延出した第２ガイドワイヤ１０の先端部１０ａを横傾斜開口８の開口周縁８Ａに沿って操作することにより、その先端部１０ａが自在に進行できる範囲を予め設定した三次元的方向に広げ、血管Ｎなどの閉塞部に生じる小血流路ｎに対する貫通孔探索範囲の拡大化を図る。 - 特許庁
Any of a rutile type or a brookite type titanium oxide and a visible-light response type photocatalyst which is doped with N or S into titanium oxide or introduced an oxygen deficiency into an anatase type titanium oxide, is shown as the photocatalyst.例文帳に追加
前記光触媒はルチル型、ブルックカイト型の酸化チタン、この酸化チタンに窒素や硫黄をドープした可視光応答型光触媒、アナターゼ型酸化チタンに酸素欠損を導入した可視光応答型光触媒のいずれかが例示される。 - 特許庁
This coating composition for a photoelectric conversion element comprising a crystalline n-type semiconductor, titanium peroxide having an anatase type low-crystallinity and a low-boiling-point medium is applied to the upper surface of a transparent conductive film 2 formed on a transparent substrate 1, and sintered in a temperature condition of 50-250°C to form a semiconductor film 3 so that this photoelectric conversion element 10 is formed.例文帳に追加
透明性基板１上に形成された透明性導電膜２の上面に、結晶性ｎ型半導体と、アナターゼ型低結晶性を有する過酸化チタンと、低沸点媒体とからなる光電変換素子用塗布組成物を塗布し、５０℃〜２５０℃の温度条件下で、焼結することで、半導体膜３を成膜し、光電変換素子１０を形成する。 - 特許庁
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