「ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

窒化ガリウム半導体層は、サファイア基板上の下層の窒化ガリウム層をエッチングして、下層の窒化ガリウムにおける少なくとも一つの柱および下層の窒化ガリウム層における少なくとも一つの溝を規定することによって製造される。例文帳に追加

A gallium nitride semiconductor layer is manufacturing by providing at least one column and at least one groove in a lower gallium nitride layer formed on a sapphire substrate by etching the gallium nitride layer. - 特許庁

電子障壁層１６は、第３の窒化ガリウム系半導体からなる。例文帳に追加

The electron barrier layer 16 is made from a third gallium nitride-based semiconductor. - 特許庁

窒化ガリウム透明導電酸化膜オーム電極の作成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM OHM ELECTRODE ON NITRIDE GALLIUM FILM - 特許庁

炭化水素の含有量が4質量ppm未満の高純度トリメチルガリウム。例文帳に追加

Provided is a high-purity trimethylgallium having a hydrocarbon content of <4 mass ppm. - 特許庁

結晶性に優れた窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体を得る。例文帳に追加

To obtain a gallium nitride (GaN) compound semiconductor of superior crystallinity. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体のバルク結晶製造方法例文帳に追加

PRODUCTION OF BULK CRYSTAL OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層への電極形成方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF ELECTRODE ON N-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体素子及び電極形成方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE - 特許庁

窒化ガリウムからなる中空の球状粒子及びその製造方法例文帳に追加

HOLLOW SPHERICAL PARTICLE FORMED FROM GALLIUM NITRIDE AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその負極例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS NEGATIVE ELECTRODE - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

まず、ｎ型ドーパントを含む窒化ガリウム層を基板上に形成する。例文帳に追加

Initially, a gallium nitride layer including an n-type dopant is formed onto a substrate. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法例文帳に追加

GROWTH METHOD FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL - 特許庁

まずサファイア基板上で窒化ガリウム層を成長させる。例文帳に追加

First, a gallium nitride layer is grown on a sapphire substrate. - 特許庁

Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法例文帳に追加

HEAT TREATING METHOD FOR P-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL - 特許庁

シリコン基板上に単結晶チッカガリウムを成長させる製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR GROWING MONOCRYSTAL GALLIUM NITRIDE ON SILICON SUBSTRATE - 特許庁

多層膜反射層およびそれを用いた窒化ガリウム系発光素子例文帳に追加

MULTILAYER FILM REFLECTING LAYER AND GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING ELEMENT USING THE SAME - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシー層構造とその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXY LAYER STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

基板から分離された窒化ガリウムの膜をエピタキシーにより製造する方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE FILM SEPARATED FROM SUBSTRATE BY EPITAXY - 特許庁

垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING DIODE ELEMENT HAVING PERPENDICULAR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

第１半導体領域４２は、窒化ガリウム（GaN）で形成されている。例文帳に追加

The first semiconductor region 42 is formed from gallium nitride (GaN). - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶エピタキシー構造例文帳に追加

CRYSTAL EPITAXY STRUCTURE OF GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

Ｓｉ基板結晶上における窒化ガリウム結晶成長方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL OVER SILICON SUBSTRATE CRYSTAL - 特許庁

チャネル層１４は、第２の窒化ガリウム系半導体からなる。例文帳に追加

The channel layer 14 is made from a second gallium nitride-based semiconductor. - 特許庁

鉄を含む窒化ガリウム層５１を基板５０上に形成する。例文帳に追加

A gallium nitride layer 51 containing iron is formed on a substrate 50. - 特許庁

熱処理により、窒化ガリウム系半導体膜１３ｇが形成される。例文帳に追加

A gallium nitride semiconductor film 13g is formed by a thermal treatment. - 特許庁

窒化物ベースの半導体構造に用いる窒化ガリウム基板を製造する。例文帳に追加

To manufacture a gallium nitride substrate used for a nitride-based semiconductor structure. - 特許庁

格子パラメータを変化させる元素を含有する窒化ガリウムデバイス基板例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE DEVICE SUBSTRATE CONTAINING LATTICE PARAMETER ALTERING ELEMENT - 特許庁

ガリウム染色およびフェムト秒剥離を使用する石英欠陥除去例文帳に追加

REMOVAL OF QUARTZ DEFECT USING GALLIUM DYEING AND FEMTOSECOND PEELING - 特許庁

半導体エピウェハの製造方法及びガリウム砒素基板例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR EPI WAFER AND GALLIUM ARSENIC SUBSTRATE - 特許庁

ｐ型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING ELEMENT WITH P-TYPE DOPANT MATERIAL DIFFUSION PREVENTING LAYER - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

自己分離を用いた窒化ガリウム単結晶基板の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTALLINE SUBSTRATE USING SELF-SPLIT - 特許庁

分極反転層を具えた窒化ガリウム系発光ダイオード例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE PROVIDED WITH POLARIZATION INVERTED LAYER - 特許庁

窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び光ピックアップ装置例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND OPTICAL PICKUP DEVICE - 特許庁

窒化ガリウム系発光ダイオード用オーミック電極層の形成方法例文帳に追加

FORMATION METHOD OF OHMIC ELECTRODE LAYER FOR GALLIUM- NITRIDE LIGHT EMITTING DIODE - 特許庁

垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASE LED DEVICE WITH VERTICAL STRUCTURE AND ITS MANUFACTURE METHOD - 特許庁

三塩化ガリウムを製造するための大容量送達システム例文帳に追加

HIGH VOLUME DELIVERY SYSTEM FOR PRODUCING GALLIUM TRICHLORIDE - 特許庁

高発光効率の窒化ガリウム系発光ダイオード及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE OF HIGH LUMINOUS EFFICIENCY AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

窒化ガリウム系半導体デバイスのための基板を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate for a gallium nitride-based semiconductor device. - 特許庁

格子間不整合基体における窒化ガリウムデバイスを分離する方法例文帳に追加

METHOD FOR SEPARATING GALLIUM NITRIDE DEVICE ON LATTICE- MISMATCHED SUBSTRATE - 特許庁

クラックの発生が抑えられた窒化ガリウムの半導体層を得ること。例文帳に追加

To obtain a semiconductor layer of gallium nitride where cracks are hardly generated. - 特許庁

第２層１２はｐ型単結晶の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなっている。例文帳に追加

The second layer 12 comprises a p-type single crystal gallium nitride(GaN). - 特許庁

第１層１１はｎ型単結晶の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなっている。例文帳に追加

The first layer 11 comprises an n-type single crystal gallium nitride(GaN). - 特許庁