「ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目)

酸化ガリウム（Ga_2O_3）単結晶の表層部に窒化ガリウム（GaN）を含有した窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、酸化ガリウム単結晶の表面に窒素イオンをイオン注入して窒化ガリウム変性層を形成する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法である。例文帳に追加

In the method for manufacturing a gallium oxide single crystal complex having a nitrided gallium modification layer containing gallium nitride (GaN) on a surface layer part of the gallium oxide (Ga_2O_3) single crystal, nitrogen ions are implanted in the surface of the gallium oxide single crystal to form a gallium nitride modification layer. - 特許庁

例文

粗ガリウムを加熱してガリウム融解液とし、このガリウム融解液へマグネシウムを添加し融解させて、ガリウム融解液中の不純物との金属間化合物を生成させた後、このガリウム融解液を冷却して前記金属間化合物を析出浮遊させ、この析出浮遊した前記金属間化合物をガリウム融解液より分離除去することで精製ガリウムを得る。例文帳に追加

This refining method comprises heating the crude gallium into molten gallium, adding magnesium to the molten gallium and melting it to make it form an intermetallic compound with the impurities in the molten gallium, then cooling the molten gallium to precipitate the above intermetallic compound and suspend it up, and separating and removing the precipitated and suspended intermetallic compound from the molten gallium to obtain refined gallium. - 特許庁

ガリウム含有廃水中の懸濁固形物を除去する固液分離手段と、固液分離手段の処理水中のガリウムを吸着するガリウム吸着手段と、ガリウム吸着手段に液体を接触させ、ガリウム吸着手段が吸着しているガリウムを脱離させるガリウム脱離手段と、脱離したガリウムを含んだ前記液体を濃縮するガリウム濃縮手段とを有することを特徴とするガリウム含有廃水の処理装置。例文帳に追加

The treatment apparatus for the gallium-containing waste water has a solid liquid separation means for removing a suspended solid in the gallium-containing waste, a gallium adsorption means for adsorbing gallium in the treated water in the solid liquid separation means, a gallium releasing means for bringing a liquid into contact with the gallium adsorption means to release gallium adsorbed in the gallium adsorption means and a gallium concentrating means for concentrating the liquid containing the released gallium. - 特許庁

ガリウム含有廃水中のガリウムを濃縮する膜分離手段と、膜分離手段の濃縮水が導入され濃縮水中のガリウムを吸着するガリウム吸着手段とを有することを特徴とするガリウム含有廃水の処理装置。例文帳に追加

The device for treating waste water containing gallium is equipped with a membrane separating means to concentrate gallium in the waste water containing gallium and with a gallium adsorbing means where the concentrated water by the membrane separating means is introduced and the gallium in the concentrated water is adsorbed. - 特許庁

その後、窒化ガリウム粒子成長部３０において、予備反応管２１内で生成した塩化ガリウムと、窒化ガリウム結晶核生成部１０から輸送されたアンモニアガスとを、前記窒化ガリウム結晶核上で化学的に反応させ、成長させることによって目的とする窒化ガリウム粉末を得る。例文帳に追加

The objective gallium nitride powder is produced by subsequently chemically reacting gallium chloride produced in a preparatory reaction tube 21 with ammonia gas transported from the zone 10 for producing the gallium nitride crystal nucleus and growing the resultant product on the crystal nucleus of gallium nitride in the zone 30 for growing the gallium nitride particle. - 特許庁

窒化ガリウム結晶核生成部１０で、ガリウム蒸気とアンモニアガスとを化学的に反応させて窒化ガリウム結晶核を生成した後、この窒化ガリウム結晶核を窒化ガリウム粒子成長部３０に窒素キャリアガスなどによって輸送する。例文帳に追加

Gallium vapor is chemically reacted with ammonia gas to produce a crystal nucleus of gallium nitride in the zone 10 for producing a crystal nucleus of gallium nitride, and then the crystal nucleus of gallium nitride is transported by a nitrogen carrier gas and the like to the zone 30 for growing the gallium nitride particle. - 特許庁

非窒化ガリウム柱１００ａを含み、それらの間に溝１００ｂを規定する基板１００であって、その非窒化ガリウム柱１００ａは非窒化ガリウム側壁１００ｃおよび非窒化ガリウム頂部１００ｄを含み、溝１００ｂは非窒化ガリウム底１００ｅを含むものを用いる。例文帳に追加

A substrate 100 includes non-gallium nitride posts 100a that define trenches 100b therebetween, wherein the non-gallium nitride posts 100a include non-gallium nitride sidewalls 100c and non-gallium nitride tops 100d and the trenches 100b include non-gallium floors 100e. - 特許庁

本発明に従う発光素子は、酸化ガリウム基板の上にガリウムアルミニウムを含む酸化物と、前記ガリウムアルミニウムを含む酸化物の上にガリウムアルミニウムを含む窒化物と、前記ガリウムアルミニウムを含む窒化物の上に発光構造物と、を含む。例文帳に追加

The light emitting device includes an oxide including gallium aluminum over a gallium oxide substrate, a nitride including gallium aluminum over the oxide including gallium aluminum, and a light emitting structure over the nitride including gallium aluminum. - 特許庁

ガリウムイオンを含有する溶液を電解液として電解することにより、陰極にガリウムを電着させて金属ガリウムを得るガリウムの電解採取方法において、電解液としてのガリウムイオン含有溶液の温度を、冷却機器などを使用して、ガリウムの融点（２９．８℃）未満に制御しつつ電解を行うことで、電解時間を大幅に短縮することができる。例文帳に追加

In the gallium electrolysis collection method by which the metal gallium is obtained by electrodepositing gallium to a cathode by electrolyzing the solution containing the gallium ion as an electrolyte, the electrolyzation time can largely be shortened by performing the electrolyzation while controlling a temperature of the gallium-ion containing solution as the electrolyte to a temperature lower than a melting point (29.8°C) of the gallium by using a cooler or the like. - 特許庁

るつぼ１内に、予備合成されたヒ化ガリウム原料４と酸化ホウ素５とが充填され、そのるつぼ１内のヒ化ガリウム原料４が加熱溶融され、ヒ化ガリウム原料４の融液中のガリウムの量をヒ素の量よりも多くした状態でその融液の固化を完了して、カーボンが添加されたヒ化ガリウム結晶を成長させることにより、ヒ化ガリウム結晶が製造される。例文帳に追加

This production method comprises charging a presynthesized gallium arsenide material 4 and boron oxide 5 in a crucible 1, heating and melting the gallium arsenide material 4 in the crucible 1, and completing solidification of the melt of the material 4 in such a state that the amount of gallium in the melt is larger than that of arsenic to grow a carbon-added gallium arsenide crystal. - 特許庁

金属材料からなる保持部の上にガリウムあるいはガリウムを含む材料が配置されてなるターゲット構造であって、前記ガリウムあるいはガリウムを含む材料との界面にあたる前記保持部の表面上に、溶融状態のガリウムあるいはガリウムを含む材料との接触角が３０°以下である薄膜が形成されていることを特徴とするターゲット構造。例文帳に追加

The target structure constituted by arranging the gallium or gallium-containing material on the holding section of a metal material is characterized in that a thin film having a contact angle of not more than 30° to the gallium or gallium-containing material in a molten state is formed on the surface of the holding section corresponding to the interface with the gallium or gallium-containing material. - 特許庁

基板上に予形成された窒化ガリウム（０００１）表面上に、ガリウム金属クラスタが成長阻害要因として生成されない比率以下で、窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとの供給比を１：２以上としたガリウム原子供給過多状態において窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとを供給することにより、分子線エピタキシャル法で窒化ガリウムを成長させる。例文帳に追加

Gallium nitride is grown by the molecular beam epitaxial method by supplying nitrogen atoms N and gallium atoms Ga under a gallium atom oversupply condition under which the supply ratio of nitrogen atoms N and gallium atoms Ga is set at 1:2 or above at a ratio at which gallium clusters are not formed as a factor to hinder their growth or below onto a gallium nitride (0001) surface preformed on a substrate. - 特許庁