「ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

低電気抵抗値と厚いｎ型窒化ガリウム系コンタクト層を具えた窒化ガリウム系発光ダイオードの提供。例文帳に追加

To provide a gallium nitride-based light emitting diode having a low electric resistance value and a thick n-type gallium nitride-based contact layer. - 特許庁

平坦化層２１は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１５と発光層との間に設けられ、また窒化ガリウム系半導体領域からなる。例文帳に追加

A flattening layer 21 is formed between the n-type gallium-nitride-based semiconductor layer 15 and the light-emitting layer 17, and includes a gallium-nitride-based semiconductor region. - 特許庁

昇華法における窒化ガリウムの分解が抑制されて製造効率が向上した窒化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a gallium nitride single crystal, by which the decomposition of gallium nitride can be suppressed in a sublimation method, and the production efficiency is improved. - 特許庁

基板Ｂが露出するまで電流拡散層Ｄ、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ、及びｎ型窒化ガリウム層Ｎを一度にエッチングする。例文帳に追加

A current diffusion layer D, a P-type gallium nitride layer P, and an N-type gallium nitride layer N are etched at the same time until a substrate B is exposed. - 特許庁

酸化ガリウム支持基体３２の主面３２ａが単斜晶系酸化ガリウムの（１００）面に対して２度以上４度以下の角度で傾斜する。例文帳に追加

The principal surface 32a of the gallium oxide support base 32 is inclined at an angle of 2 to 4° to a (100) plane of the monoclinic gallium oxide. - 特許庁

固体状三酸化二ガリウム（Ｇａ_2 Ｏ_3 ）を還元剤を用いて熱還元することで一酸化二ガリウム（Ｇａ_2 Ｏ）ガスを生成する。例文帳に追加

Solid digallium trioxide (Ga_2O_3) is thermally reduced using a reducing agent, so as to produce digallium monoxide (Ga_2O) gas. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、並びにランプ例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP - 特許庁

低抵抗、高密度窒化ガリウム系成形物、直流スパッタリングを可能とする窒化ガリウム系スパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride molded article having a low resistance and a high density, and to provide a gallium nitride sputtering target which allows direct current sputtering. - 特許庁

窒化ガリウムを、低温、低圧において結晶成長させることができる窒化ガリウムの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing gallium nitride capable of growing a crystal at a low temperature and a low pressure. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそれを用いたランプ例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND LAMP USING IT - 特許庁

ガリウム化合物の回収率を向上させ、産業廃棄物の発生を抑制したガリウム化合物の濃縮方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium compound concentration method with an improved gallium compound recovery ratio and capable of suppressing generation of industrial wastes. - 特許庁

比抵抗が高く、クラックの発生率が低い窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム層の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride substrate which has high resistivity and a low rate of occurrence of cracks, and to provide a method for forming a gallium nitride layer. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体領域もｎ型窒化ガリウム系半導体層と発光層との間に位置する。例文帳に追加

The gallium-nitride-based semiconductor region is also situated between the n-type gallium-nitride-based semiconductor layer 15 and the light-emitting layer 17. - 特許庁

ガリウムの含有量が多すぎると表面の肌荒れが生じるので、ガリウムの含有量は500重量ppm以下とする。例文帳に追加

Since the roughening of the surface is developed in the case of containing the gallium too much, the content of the gallium is regulated to ≤500 wt.ppm. - 特許庁

ガリウム化合物、砥粒および切削油を含む澱物からガリウム分を簡便にかつ著しく濃縮して回収する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for recovering a gallium content from a precipitate contg. a gallium compd., abrasive grains and cutting oil in such a manner that it is easily and remarkably concentrated. - 特許庁

窒化ガリウム層成長時に発生する歪みを減らしてクラックがない窒化ガリウム基板を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of fabricating a gallium nitride (GaN) substrate free of cracks by reducing bending which may occur in a Gan layer growing process. - 特許庁

また、研磨対象物は、サファイア、窒化ガリウム、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム又はリン化インジウムからなることが好ましい。例文帳に追加

The object to be polished is preferably of sapphire, gallium nitride, silicon carbide, gallium arsenide, indium arsenide, or indium phosphide. - 特許庁

ガリウムフタロシアニンの２分子がスルホニル分子と配位した２量体の新規ガリウムフタロシアニン化合物を電荷発生剤として用いる。例文帳に追加

The novel gallium phthalocyanine compound which is a dimer in which two molecules of gallium phthalocyanine coordinate with a sulfonyl molecule is used as a charge generating material. - 特許庁

酸化ガリウム単結晶の再現性を確保することができる酸化ガリウム単結晶の製造装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a process for producing a gallium oxide single crystal by which the reproducibility of the gallium oxide single crystal is secured. - 特許庁

貫通ピットの無い窒化ガリウム系半導体基板を安価に得ることができる窒化ガリウム系半導体基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a gallium nitride semiconductor substrate, whereby the gallium nitride semiconductor substrate without any penetrated pit can be obtained at a low cost. - 特許庁

エピタキシャル成長装置（有機金属気相成長装置）に搬入し、ガリウム極性面１０_Gaに窒化ガリウムエピタキシャル層を形成する。例文帳に追加

A gallium nitride epitaxial layer is formed on the gallium polarity plane 10_Ga, by transportation into an epitaxial growth device (organic metal vapor-phase growth device). - 特許庁

昇華による酸化ガリウム化合物膜の消失を防ぐために、間隔を設けて別の酸化ガリウム化合物膜を配置する。例文帳に追加

Another gallium oxide compound film is arranged with a space interval in order to prevent the dissipation of the gallium oxide compound film by sublimation. - 特許庁

ガリウム化合物の切削屑や研磨屑等から、高い純度のガリウムを回収することが可能な技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique which can recover gallium with high purity from the scrap, polishing waste or the like of a gallium compound. - 特許庁

酸化ガリウムの融点（１９００℃）よりも低温で酸化ガリウムの単結晶を成長させる方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method of growing a single crystal of gallium oxide at a lower temperature than the melting point (1,900°C) of gallium oxide. - 特許庁

次に、露出しているガリウム砒素半導体基板２の裏面を研磨等することにより、ガリウム砒素半導体基板２の板厚を薄肉化する。例文帳に追加

The thickness of the GaAs semiconductor wafer is thinned with its exposed back side ground or the like. - 特許庁

ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３およびｐ型窒化ガリウム系半導体層１５はホモ接合１７を成す。例文帳に追加

The layer 13 and the layer 15 compose a homo junction 17. - 特許庁

ガリウム化合物、砥粒および切削油を含む澱物からガリウム分を簡便にかつ著しく濃縮して回収する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for recovering a gallaium content from a precipitate contg. a gallium compd. abrasive grains and cutting oil in such a manner that it is easily and remarkably concentrated. - 特許庁

ニ　ＩＩＩ—Ｖ族化合物（ガリウム又はインジウムの化合物に限る。）例文帳に追加

d) III-V compounds (limited to gallium or indium compounds  - 日本法令外国語訳データベースシステム

この合金は、ガリウム、インジウム、錫、またはそれらの任意の組み合わせを含む。例文帳に追加

This alloy includes gallium, indium, tin, or arbitrary combinations of them. - 特許庁

上記金属はマグネシウム、亜鉛、ガリウム、鉛又は錫である。例文帳に追加

The metal is magnesium, zinc, gallium, lead, or tin. - 特許庁

インジウムガリウムナイトライド層を有する高電子移動度トランジスタ例文帳に追加

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR HAVING INDIUM GALLIUM NITRIDE LAYER - 特許庁

高絶縁性単結晶窒化ガリウム薄膜を有する半導体デバイス例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGHLY INSULATING MONOCRYSTALLINE GALLIUM NITRIDE THIN FILM - 特許庁

酸化ガリウムを触媒とする窒化ホウ素ナノチューブの製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING BORON NITRIDE NANOTUBE USING GALLIUM OXIDE AS CATALYST - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体素子及び窒化ガリウムエピタキシャル基板例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL SUBSTRATE - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物デバイスのための窒化ガリウムインジウム平滑構造例文帳に追加

GALLIUM INDIUM NITRIDE SMOOTH STRUCTURE FOR GROUP III NITRIDE DEVICES - 特許庁

単結晶立方晶系窒化ガリウムナノチューブとその製造方法例文帳に追加

SINGLE CRYSTAL CUBIC GALLIUM NITRIDE NANOTUBE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

マンガンがドープされた窒化ガリウムナノワイヤーの製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING MANGANESE-DOPED GALLIUM NITRIDE NANO-WIRE - 特許庁

窒化ガリウムインジウムの分離封じ込めヘテロ構造発光デバイス例文帳に追加

INDIUM GALLIUM NITRIDE SEPARATE CONFINEMENT HETEROSTRUCTURE LIGHT EMITTING DEVICE - 特許庁

インジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR INCLUDING INDIUM - 特許庁

ドレイン電極２３は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５上に設けられる。例文帳に追加

A drain electrode 23 is arranged on the gallium nitride epitaxial layer 15. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体層のｐ型電極形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING P-TYPE ELECTRODES OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

窒化ガリウム及び窒化アルミニウムのエピタキシャル成長方法例文帳に追加

EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR GALLIUM NITRIDE AND ALUMINUM NITRIDE - 特許庁

窒化ガリウム層を有する多層構造基板及びその製造方法例文帳に追加

MULTILAYER STRUCTURE SUBSTRATE HAVING GALLIUM NITRIDE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

高出力の窒化ガリウムショットキー・ダイオード素子を提供する。例文帳に追加

To provide a high-output gallium nitride Schottky diode element. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体トランジスタおよびその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁