「ディスクリート半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ガラス転移温度が高く、リードフレームやディスクリート素子への密着性が高いディスクリート素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an epoxy resin composition for sealing discrete devices, having high glass transition temperature and high adhesiveness to lead frames and discrete devices and to provide a semiconductor device produced by using the composition. - 特許庁

複数のディスクリート半導体とバスバーをプリント基板の取り付け孔に簡単に挿入できるようにすることである。例文帳に追加

To easily insert a plurality of discrete semiconductors and bus bars into mounting holes in a printed circuit board. - 特許庁

ディスクリート半導体装置１は、ヒートシンク５２の端部に設けられる半導体ディスクリート部品５１の上面とほぼ同じ高さの凸部３に構造材２が架けられ、その構造材２とヒートシンク５２の凸部３とが金属性のネジ４により固定されている。例文帳に追加

The discrete semiconductor device 1 includes a structural material 2 built on a protruding part 3 of substantially the same height as the upper surface of the semiconductor discrete part 51 provided at the end of a heatsink 52, in such a manner that the structural material 2 and the protruding part 3 of the heatsink 52 are fixed with a metallic screw 4. - 特許庁

所定の濃度を有する一導電型の半導体基板と、前記一導電型の半導体基板よりは濃度の低い前記一導電型のエピタキシャル層と前記一導電型のエピタキシャル層を貫通し、前記一導電型のエピタキシャル層よりは濃度の高い前記一導電型の拡散層とを備え、ディスクリートデバイスの電極を同一面に形成したディスクリートデバイス。例文帳に追加

The discrete device is equipped with one conductivity-type semiconductor substrate which is doped as high in concentration as prescribed, a one conductivity-type epitaxial layer lower in concentration than the one conductivity-type semiconductor substrate, a one conductivity-type diffusion layer which is higher in concentration than the one conductivity-type epitaxial layer, and electrodes which are all formed on the same side. - 特許庁

そして、そのケース１３の上にプリント基板を載せることでディスクリート半導体１２の半田端子１２ａとバスバー３２の半田付け端子３２ａをプリント基板の取り付け孔に同時に挿入することができる。例文帳に追加

When the printed circuit board is placed on that case 13, the soldering terminal 12a of the discrete semiconductor 12 and the soldering terminal 32a of the bus bar 32 can be inserted into the mounting holes at the same time. - 特許庁

ディスクリート半導体１２の半田付け端子１２ａを樹脂部材３１の貫通孔３３に挿入し、さらに、樹脂部材３１の溝３４にバスバー３２を挿入する。例文帳に追加

The soldering terminal 12a of the discrete semiconductor 12 is inserted into a through-hole 33 in a resin member 31, and a bus bar 32 is inserted in a groove 34 in the resin member 31. - 特許庁

ディスクリートの絶縁ゲート型半導体素子の不良素子（実素子）について、保護ダイオードを切除することなく、ゲート絶縁膜中などの電荷の存在と電荷の極性を確認することができる。例文帳に追加

With respect to a defective element (intrinsic element) of a discrete insulating gate semiconductor device, it is possible to check the existence and polarity of the charge in the gate insulating film and the like without cutting off a protective diode. - 特許庁

ディスクリートの能動素子を含む回路を搭載する誘電体基板を導波管に一体に組み付ける際に前記能動素子のスペースを確保でき、誘電体基板に設けられる回路には半導体集積回路作製技術である微細加工が必要でなく、量産に適したディスクリートの能動素子の使用ができるアンテナアレイを提供する。例文帳に追加

To provide an antenna array capable of using a discrete active element suitable for mass production in which the space for the discrete active element can be secured when integrally assembling a dielectric substrate to mount thereon a circuit including the active element to a waveguide and micro fabrication, that is a semiconductor integrated circuit manufacturing technique, is not required for the circuit to be provided on the dielectric substrate. - 特許庁

抵抗率が低い基板が必要とされる低耐圧パワーディスクリート素子の製造に好適な半導体基板であって、基板表面でのミスフィット転位の発生を抑制することができる半導体基板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor substrate suitable for fabricating a low breakdown voltage power discrete element requiring a low resistivity substrate in which generation of misfit dislocation can be suppressed on the surface of the substrate, and to provide its producing process. - 特許庁

２個組半導体モジュールのディスクリート製品を採用してインバータ装置，モータ制御装置などに組付ける際の組立性改善，並びに組立手順の自由度の拡大化が図れるように半導体装置の組立構造を改良する。例文帳に追加

To reform assembly structure of a semiconductor device so that it can realize improvement of setup property at the attaching of itself to an inverter device, a motor controller, or the like and the enlargement of the freedom of assembly procedure, by adopting the discrete product of two-in-a-set semiconductor modules. - 特許庁

半導体ウエハの両表面に高濃度不純物拡散層を形成する工程と、前記ウエハを厚さ半分の位置で切断し、該切断面を研削および鏡面加工する工程と、前記鏡面加工面に低濃度不純物拡散層を形成する工程とを備えている製造方法を用いて、低濃度不純物半導体ウエハの両面に、不純物が拡散された基板であって、片面が高濃度不純物拡散層、他面が低濃度不純物拡散層である２層構造からなるディスクリート素子用基板を得る。例文帳に追加

By using this method, the substrate is obtained for the discrete element made of a two layer structure having the high concentration impurity diffused layer on one side surface, and the low concentration impurity diffused layer on the other surface of the substrate in which impurities are diffused on both the surfaces of the low concentration impurity semiconductor wafer. - 特許庁