「デュアルゲート」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

デュアルゲート不純物ドーピング方法及びこれを用いたデュアルゲート形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dual-gate impurity doping method, and a dual-gate forming method using this. - 特許庁

半導体素子のデュアルゲート電極の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING DUAL GATE ELECTRODE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

デュアルゲートＰＭＯＳ付きＣＭＯＳ画素例文帳に追加

CMOS PIXEL WITH DUAL GATE PMOS - 特許庁

半導体素子のデュアルゲート形成方法例文帳に追加

DUAL GATE FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体素子のデュアルゲート製造方法例文帳に追加

DUAL GATE PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

デュアルゲート有機トランジスタを用いたインバータ例文帳に追加

INVERTER WITH DUAL-GATE ORGANIC TRANSISTOR - 特許庁

高電圧デュアルゲート素子の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING HIGH-VOLTAGE DUAL GATE ELEMENT - 特許庁

デュアルゲートＣＭＯＳＦＥＴの製造方法例文帳に追加

FABRICATION OF DUAL GATE CMOSFET - 特許庁

デュアルゲート構造及びその製造方法、デュアルゲート構造を備える半導体素子及びその製造方法例文帳に追加

DUAL GATE STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DUAL GATE STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

デュアルゲート誘電体構造を有する半導体素子の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DUAL-GATE DIELECTRIC STRUCTURE - 特許庁

デュアルゲートを有するＣＭＯＳ型半導体装置形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING CMOS SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DUAL GATE - 特許庁

デュアルゲート半導体装置の製造方法およびその構造例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF DUAL GATE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS STRUCTURE - 特許庁

デュアルゲート型ＣＭＯＳ半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

DUAL-GATE TYPE CMOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD - 特許庁

半導体装置のデュアルゲート構造物及びその形成方法例文帳に追加

DUAL GATE STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS FORMING METHOD - 特許庁

デュアルゲートＣＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

DUAL GATE CMOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁

この際、デュアルゲート型のＴＦＴを用いて、これらの回路を形成する。例文帳に追加

These circuits are formed using dual gate type TFTs. - 特許庁

中耐圧ＭＯＳトランジスタ等をデュアルゲート化する。例文帳に追加

To constitute an intermediate-withstand voltage MOS transistor etc., in a dual-gate. - 特許庁

デュアルゲート構造の薄膜トランジスタの製造プロセスを合理化する。例文帳に追加

To rationalize the production process of a thin-film dual-gate transistor. - 特許庁

窒素および酸素含有障壁層を有するデュアルゲート半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

DUAL-GATE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BARRIER LAYER CONTAINING NITROGEN AND OXYGEN AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

デュアルゲート電極構造を有するＣＭＩＳ回路のゲート電極の加工を容易にする。例文帳に追加

To facilitate process for a gate electrode of a CMIS circuit, including a dual-gate electrode structure. - 特許庁

デュアルゲートを有するＣＭＯＳ半導体装置形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming CMOS semiconductor device having a dual gate. - 特許庁

デュアルゲート酸化膜の形成方法及びそれを利用した半導体素子の製造方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF DUAL GATE OXIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT UTILIZING THE FILM - 特許庁

デュアルゲート電極構造を有するＣＭＩＳ回路をＳＯＩ基板１に形成した。例文帳に追加

The CMIS circuit, which includes the dual-gate electrode structure, is formed on a SOI substrate. - 特許庁

デュアルゲート双方向ＨＥＭＴをもつ効率的な突入電流制限回路例文帳に追加

EFFICIENT RUSH CURRENT LIMITING CIRCUIT HAVING DUAL-GATE TWO-WAY HEMT - 特許庁

また、デュアルゲート型スイッチング素子（11）のオンオフ状態を制御する制御部（20）を設ける。例文帳に追加

It is also provided with a control part (20) for controlling the on/off state of the dual gate type switching element (11). - 特許庁

そのうちの２つのトランジスタＴｒ_21，Ｔｒ_22は、デュアルゲート型のトランジスタである。例文帳に追加

Among them, two transistors Tr_21 and Tr_22 are a dual gate type transistor. - 特許庁

デュアルゲートＨＥＭＴ構造半導体変調素子及びその製造方法例文帳に追加

DUAL GATE HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) STRUCTURE SEMICONDUCTOR MODULATION ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME - 特許庁

本発明はデュアルゲート構造を有する半導体装置の製造方法に関し、デュアルゲート構造のゲート電極に局所的な高抵抗部分が生ずるのを防止することを目的とする。例文帳に追加

To prevent a local high resistor portion occurring at a gate electrode of a dual-gate structure in a method for manufacturing a semiconductor device with the dual-gate structure. - 特許庁

チューナ集積回路１の前段に、ＵＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０１及びＶＨＦ用のデュアルゲートＦＥＴ２０２を内蔵したＲＦアンプ２００を接続する。例文帳に追加

An RF amplifier 200 in which a dual-gate FET 201 for UHF and a dual-gate FET 202 for VHF are incorporated is connected to a prestage of a tuner integrated circuit 1. - 特許庁

デュアルゲート電極構造における両ゲ−ト電極間の不純物の相互拡散によるトランジスタのしきい値電圧の変動を抑制する。例文帳に追加

To suppress variations of the threshold voltage of a transistor caused by an inter-diffusion of impurities between both gate electrodes in a dual gate electrode structure. - 特許庁

絶縁膜１５を挟んで両側にデュアルゲートが自己整合的に形成されるため、ゲート電極同士の間隔を短縮することができる。例文帳に追加

Since a dual gate is formed self-alignedly in the both sides interleaving the insulating film 15, the interval between the mutual gate electrodes can be shortened. - 特許庁

周波数変換素子としてデュアルゲートＦＥＴを使用して良好な相互変調特性を有する周波数変換回路を提供する。例文帳に追加

To provide a frequency conversion circuit having excellent intermodulation characteristics by using a dual gate FET as a frequency conversion element. - 特許庁

デュアルゲート構造を有する半導体装置の製造方法、およびその方法により製造された半導体装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DUAL-GATE STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY THE METHOD - 特許庁

安定な特性のインサイチュ硼素ドープトポリシリコン膜を備えるデュアルゲート電極を形成する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming a dual gate electrode having an in situ boron-doped polysilicon film having stable characteristics. - 特許庁

半導体装置の製造方法であって金属シリサイドを含むデュアルゲート電極を有する半導体装置の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a production method for a semiconductor device which has a dual gate electrode, containing metal silicide. - 特許庁

デュアルゲート構造のゲート電極の導電層となるポリシリコン膜３を分離酸化膜２の上に形成する。例文帳に追加

The polysilicon film 3 that becomes a conductive layer of the gate electrode of the dual-gate structure is formed on an isolation oxide film 2. - 特許庁

デュアルゲート型のスイッチング素子（11）では、スイッチング素子（11）の基板上には、ドレイン領域（17）に端子（27,27a,27b）が設けられる。例文帳に追加

In a dual gate type switching element (11), terminals (27, 27a, 27b) are prepared in a drain region (17), on a board of the switching element (11). - 特許庁

本発明は、ホウ素拡散に伴う問題点を解決可能なデュアルゲート半導体装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dual-gate semiconductor device capable of solving a problem associated with boron diffusion, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

デュアルゲート電極４は、Ｐ型部４ａと、Ｎ型部４ｂと、これらに挟まれたＰＮ接続部とを含む。例文帳に追加

The dual gate electrode 4 contains a p-type section 4a, an n-type section 4b and a pn connecting section held by these sections 4a and 4b. - 特許庁

２つのゲート配線間の接続を容易に、かつ低抵抗で行えるデュアルゲート半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a dual gate semiconductor device capable of connecting two gate wiring easily with low resistance. - 特許庁

高誘電膜を含むＣＭＯＳトランジスタの形成に適合した構造を有するデュアルゲート構造物及びその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dual gate structure having a construction adapted for forming a CMOS transistor including a high-dielectric film, and to provide its forming method. - 特許庁

デュアルゲートＦＥＴを利用することなく、簡易な回路によってＡＧＣ回路を実現したチューナを提供することを目的とする例文帳に追加

To provide a tuner wherein its AGC circuit is simply realized without utilizing a dual gate FET. - 特許庁

また、デュアルゲート構造を用いることによってゲートとドレインとの間の容量Ｃｇｄを低減する。例文帳に追加

Furthermore, a capacitance Cgd between a gate and a drain is reduced by using a dual gate structure. - 特許庁

有機ＥＬ素子１１と直列に接続された駆動トランジスタＴｒ_1として、デュアルゲート型のトランジスタが用いられている。例文帳に追加

A dual gate type transistor is used as a driving transistor Tr_1 connected in series to an organic EL element 11. - 特許庁

ダマシンゲートＣＭＯＳ工程で高誘電率の物質を適用するデュアルゲートの形成方法に関する。例文帳に追加

To provide a method for forming a dual gate, in which a substance of high dielectric constant is applied in a damascene gate CMOS process. - 特許庁