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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > パタンの意味・解説 > パタンに関連した英語例文

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パタンを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 1656



例文

LEDチップ21の間隔を底辺とする影状暗部3の長さL1が3cm程度となり,そのマスクを行うのに対して,入射光拡散パタン13の帯状領域幅L2が1.5cmとなるから,この部分をマスクするとしてもマスク幅が1/2に縮小して有効照明面積を拡大できる。例文帳に追加

A length of a shadow-like dark part with a distance between LED chips as a bottom side length becomes about 3 cm and the same is masked, and a strip-like region of the incident light dispersing pattern 13 becomes 1.5 cm and if the same is masked, a masking width becomes reduced to one half and an effective lighting area can be enlarged. - 特許庁

複写機10は、出力したプリンタ14a〜14c毎の内部テストパタン出力結果を、再度複写機10の画像入力部(スキャナ部)11から読み込むことにより、各プリンタの濃度特性を把握し、内蔵する濃度調整手段によって、どのプリンタから出力しても同じ濃度特性を示すように調整を行う。例文帳に追加

By reading the internal test pattern output result for each of outputting printers 14a-14c again from an image input part (scanner part) 11 of the copying machine 10, the copying machine 10 grasps the gray level characteristics of each printer and control is performed by an incorporated gray level control means to present the same gray level characteristics even in the output from any printer. - 特許庁

本発明による半導体集積回路の設計方法は、事前に設計されたレイアウトパタン204と物理モデル201とを用いて行われるプロセスシミュレーションの結果に基づいて、設計対象となる半導体集積回路上の場所毎に、不具合の発生する危険度を算出するステップと、場所毎の危険度に応じて設計基準203を修正し、場所毎のコンパクション条件206を生成するステップとを具備する。例文帳に追加

The method of designing a semiconductor integrated circuit includes the steps of: calculating the risk of occurrence of a problem for each place on the semiconductor integrated circuit to be designed, based on the result of process simulation performed using a previously designed layout pattern 204 and physical model 201; and correcting a design standard 203 according to the risk for each place and generating a compaction condition 206 for each place. - 特許庁

節約モードの実行/解除指示手段107,101を備えトナ−節約モードを選択的に行なう電子写真方式の画像形成において、トナ−節約は、マスクパタ−ンと画像データの論理積を取るモードと、書込み光量をトナー消費低のものに変更するモードとを含み;画像処理手段103は、文字領域か写真領域かの認識手段202、および、認識に従ってマスクモードと光量モードのそれぞれを文字領域と写真領域に設定する手段204,205を持ち、モードの実行指示があるときには、設定したモ−ドに画像形成を切替える。例文帳に追加

When the mode is instructed to be executed, an image forming action is switched to the set mode. - 特許庁

例文

フロントエンジンのキャブオーバ型車両において、前記エンジンを冷却する冷却液の熱放出を行うラジエータと、該ラジエータのアッパタンクより上方位置に設けられ、前記冷却液の気泡の除去作用を行う第1冷却液タンクと、前記第1冷却液タンクと前記ラジエータとの冷却液回路間に、前記冷却液の熱膨張、収縮の緩衝作用を行う第2冷却液タンクとを設けてエンジン冷却装置を構成した。例文帳に追加

This engine cooling device comprises a radiator radiating heat of coolant cooling the engine, a first coolant tank provided at a higher position than an upper tank of the radiator and removing bubbles in the coolant, and a second coolant tank provided between coolant circuits of the first coolant tank and the radiator and buffering thermal expansion and contraction of coolant, in the front engine cab over type vehicle. - 特許庁


例文

Arプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、BCB膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでT型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるT型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma. - 特許庁

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