「ランダム・アクセス・メモリ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・システム例文帳に追加

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY SYSTEM - 特許庁

ランダム・アクセス・メモリ・セルを提供する。例文帳に追加

To provide a random access memory cell. - 特許庁

超電導論理ゲ—ト及びランダム・アクセス・メモリ例文帳に追加

SUPERCONDUCTIVE LOGICAL GATE AND RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製作方法例文帳に追加

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁

スタティック・ランダム・アクセス・メモリセル例文帳に追加

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL - 特許庁

超電導論理ゲートを用いたランダム・アクセス・メモリ例文帳に追加

RANDOM ACCESS MEMORY USING SUPERCONDUCTIVE LOGIC GATE - 特許庁

マグネティック・ランダム・アクセス・メモリ例文帳に追加

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

ランダム・アクセス・メモリのリード・リセット方式例文帳に追加

READ/RESET SYSTEM OF RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

高い電流密度を有する磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY HAVING HIGH CURRENT DENSITY - 特許庁

部分的に不揮発性のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ例文帳に追加

PARTIALLY NON-VOLATILE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリのリフレッシュ方式例文帳に追加

REFRESHING SYSTEM FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリの破壊読出アーキテクチャ例文帳に追加

DESTRUCTIVE READ ARCHITECTURE FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

シリコン・オン・インシュレ—タ不揮発性ランダム・アクセス・メモリ・デバイス例文帳に追加

SILICON ON INSULATOR NONVOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE - 特許庁

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ装置とその検査方法例文帳に追加

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF INSPECTING THE SAME - 特許庁

磁気ランダム・アクセス・メモリ及びその磁気情報書き込み方法例文帳に追加

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MAGNETIC INFORMATION WRITE METHOD - 特許庁

ランダム・アクセス・メモリを用いた空間・時間スイッチのアーキテクチャ例文帳に追加

ARCHITECTURE OF SPACE TIME SWITCH USING RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

スタティック・ランダム・アクセス・メモリの初期状態を決定する方法例文帳に追加

METHOD FOR DETERMINING INITIAL STATE OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

埋め込まれたダイナミック・ランダム・アクセス・メモリーの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF EMBEDDED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

磁気ランダム・アクセス・メモリのデータ書込の信頼性を確保する。例文帳に追加

To secure reliability when data are written into a magnetic random access memory. - 特許庁

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ装置およびその検査方法例文帳に追加

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND TEST METHOD THEREFOR - 特許庁

電子装置及びダブル・データ・レート・シンクロナス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ例文帳に追加

ELECTRONIC APPARATUS AND DOUBLE DATA RATE SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリにおいて書込み動作時間を短縮する方法および装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR SHORTENING WRITE OPERATION TIME IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

揮発性メモリおよびエンベッデッド・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ例文帳に追加

VOLATILE MEMORY AND EMBEDDED DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY - 特許庁

部分的に不揮発性のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＰＮＤＲＡＭ）を提供すること。例文帳に追加

To obtain a partially non-volatile dynamic random access memory(PNDRAM). - 特許庁

ビット・ライン漏洩の少ない非対称静的ランダム・アクセス・メモリ素子例文帳に追加

ASYMMETRICAL STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT HAVING REDUCED BIT LINE LEAKAGE - 特許庁

磁気ランダム・アクセス・メモリのデータ書込部のレイアウト面積を低減する。例文帳に追加

To decrease the layout area of a data write section of a magnetic random access memory. - 特許庁

不揮発データ保持機能付きスタティック・ランダム・アクセス・メモリ及びその動作方法例文帳に追加

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH NON-VOLATILE DATA HOLDING FUNCTION AND ITS OPERATING METHOD - 特許庁

ビット・ライン漏洩の少ない非対称静的ランダム・アクセス・メモリ素子を提供する。例文帳に追加

To provide an asymmetrical static random access memory element having reduced bit line leakage. - 特許庁

電気、磁気回路用配線、マグネティック・ランダム・アクセス・メモリ及びそれらの形成方法例文帳に追加

WIRING FOR ELECTRICAL/MAGNETIC CIRCUIT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD OF THEIR FORMATION - 特許庁

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリの蓄積ノ—ドの緩和されたレイアウト例文帳に追加

LAYOUT WITH RELAXED STORAGE NODE OF DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

強誘電体ランダム・アクセス・メモリのための独立したライト・バック機能を備えたセンス増幅器例文帳に追加

SENSE AMPLIFIER WITH INDEPENDENT WRITE-BACK CAPABILITY FOR FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORIES - 特許庁

列インタリ—ブド・アレイのためのマルチポ—ト・スタティック・ランダム・アクセス・メモリ例文帳に追加

MULTI-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY FOR COLUMN INTERLEAVED ARRAY - 特許庁

エンハンスド・バス・ターンアラウンド集積回路ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ装置例文帳に追加

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE OF ENHANCED-BUS TURNAROUND INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁

磁気ランダム・アクセス・メモリの書込に関連する回路のレイアウト面積を低減する。例文帳に追加

To reduce a layout area of a circuit relating to writing in a magnetic random access memory. - 特許庁

スタティックノイズマージンの低下を抑制できるスタティック・ランダム・アクセス・メモリを得ること。例文帳に追加

To provide a static random access memory capable of suppressing a decrease in static noise margin. - 特許庁

格納されているデータをリードした後にリード・リセットすべきアドレスをリード・イネーブルにする信号を該ランダム・アクセス・メモリのライト・クロックによって微分した出力により、該ランダム・アクセス・メモリへのライト・データをリセット情報に切り替え、該ランダム・アクセス・メモリにライトするアドレスを当該アドレスに切り替えるように構成する。例文帳に追加

This read/reset system is so formed that after reading stored data, write data to the random access memory is changed over into reset information by an output differentiating a signal, which makes the address to be read/reset into read enabling one, by a write clock of the random access memory and an address to be written in the random access memory is changed into the address. - 特許庁

以前1ビットのデータを格納するためにランダム・アクセス・メモリで使用された小さいフェライト・トロイド例文帳に追加

a tiny ferrite toroid formerly used in a random access memory to store one bit of data  - 日本語WordNet

ＤＲＡＭベースのランダム・アクセス・メモリ・サブシステムでツリー・アクセスに関する性能を改善するためのマルチ・バンク・スケジューリング例文帳に追加

MULTI-BANK SCHEDULING TO IMPROVE PERFORMANCE ON TREE ACCESS IN DRAM BASED RANDOM ACCESS MEMORY SUBSYSTEM - 特許庁

ランダム・アクセス・メモリを使用するパイプライン構造で逆フーリエ変換を実行し、メモリのレイテンシを最適化する。例文帳に追加

To optimize the latency of a memory by executing inverse Fourier transformation in a pipeline structure using a random access memory(RAM). - 特許庁

ウェハには、たとえばダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ等の複数の半導体チップ４が形成されている。例文帳に追加

A plurality of semiconductor chips 4, e.g. dynamic random access memories, are formed on a wafer. - 特許庁

前記半導体素子は、例えば磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）回路で使用される磁気トンネル接合を有することができる。例文帳に追加

The semiconductor device can have a magnetic tunnel junction to be used in an MRAM circuit for example. - 特許庁

破壊読取りアーキテクチャを有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）のための書込み時間を改善する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for improving write time for a dynamic random access memory(DRAM) having destructive read architecture. - 特許庁

ＣＭＯＳのスタティック・ランダム・アクセス・メモリ、メモリ回路、及び、センスイネーブル信号の発生方法例文帳に追加

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY OF CMOS, MEMORY CIRCUIT, AND METHOD FOR GENERATING SENSE-ENABLE SIGNAL - 特許庁

矩形状のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリセルアレイ（１）の４辺それぞれにレジスタ（２０，２２，３０，３２）を配置する。例文帳に追加

Registers (20, 22, 30, 32) are disposed to four sides of a rectangular dynamic random access memory cell array (1), respectively. - 特許庁

アクティブモードの間、減少した漏洩電流を有するスタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)及びその動作方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a static random access memory (SRAM) having a decreased leakage current during an active mode and to provide its operating method. - 特許庁