| 例文 (109件) |
半円形導体の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 109件
回転される円形状半導体基板に超音波ノズルから洗浄液を噴射させて当該半導体基板を洗浄する工程を、半導体基板の内周部分においては超音波の発振出力を低くする低出力洗浄工程１０２Ａと、外周部分においては超音波の発振出力を高くする高出力洗浄工程１０１Ａと、これら両工程１０２Ａ，１０１Ａ間における遷移領域洗浄工程１０３Ａとから構成したものである。例文帳に追加
The process of cleaning the semiconductor substrate by ejecting cleaning liquid from a ultrasonic nozzle to the rotated circular semiconductor substrate comprises a small power output cleaning process 102A for lowering the ultrasonic vibration output in the inner peripheral part of the semiconductor substrate, a large power output cleaning process 101A for increasing the ultrasonic vibration output in the outer peripheral part, and a transition region cleaning process 103A between both processes 102A and 101A. - 特許庁
固定光学系６は、半導体レーザや信号検出用のフォトダイオード等を含む集積型光学ユニット１と、そこから出射されるレーザ光２を略平行光に変えるコリメートレンズ３と、レーザ光２を円形に整形するための第一のビーム整形プリズム４及び第二のビーム整形プリズム５とを有している。例文帳に追加
The fixed optical system 6 comprises an integrated optical unit 1 including a semiconductor laser or a photodiode for signal detection, a collimate lens 3 for converting a laser light 2 emitted therefrom into a substantially parallel light, and first and second beam shaping prisms 4, 5 for shaping the laser light 2 circularly. - 特許庁
半導体装置を基板上に製造するための方法、荷電粒子ビームリソグラフィのための断片化またはマスクデータ準備のための方法、複数の円形パターンを表面上に形成するための方法およびシステム、ならびに荷電粒子ビームリソグラフィで用いるための断片化またはマスクデータ準備のためのシステム例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE ON SUBSTRATE, METHOD FOR FRACTURING OR MASK DATA PREPARATION FOR CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY, METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PLURALITY OF CIRCULAR PATTERNS ON SURFACE, AND SYSTEM FOR FRACTURING OR MASK DATA PREPARATION TO BE USED IN CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY - 特許庁
本疑似ウエハ７０は、シリコン基板７２と、シリコン基板７２上に接着剤により接着されている断面円形の樹脂層７４と、シリコン基板７２と反対側の樹脂層７４の表面に電極面を露出して樹脂層７４に埋め込まれている複数個の半導体チップ７６とを備えている。例文帳に追加
A pseudo wafer 70 is provided with a silicon wafer 72, a resin layer 74 with a circular cross section adhered on the silicon wafer 72 by an adhesive agent, and a plurality of semiconductor chips 76 buried in the resin layer 74 while exposing electrode planes on the surface of the resin layer 74 on the side opposed to the silicon wafer 72. - 特許庁
ウェハ搭載面を有するウェハ保持体１において、前記ウェハ保持体１に形成された高周波発生用電極回路２の形状が円形であり、その直径が搭載するウェハ５の直径の９０％以上とすれば、厚み分布の均一な成膜ができるウェハ保持体１及び半導体製造装置を提供することができる。例文帳に追加
When an electrode circuit 2 for generating a high frequency formed in a wafer holding body 1 having a wafer mounting surface is formed in a round shape and the diameter of the circuit 2 is adjusted to ≥90% of that of a mounted wafer 5, the wafer holding body 1 and the semiconductor manufacturing device which can form films having uniform thickness distribution can be provided. - 特許庁
ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体に形成された高周波発生用電極回路の形状が円形であり、その直径が搭載するウェハの直径の９０％以上とすれば、厚み分布の均一な成膜ができるウェハ保持体及び半導体製造装置を提供することができる。例文帳に追加
A wafer supporting body and a semiconductor fabricating device are provided such that, in a wafer supporting body having a wafer mounting surface, a circular shape of a high-frequency generating electrode circuit formed in the wafer supporting body with the diameter thereof formed to be 90% or more of that of the wafer on which the electrode circuit is mounted allows formation of a film having a uniform thickness distribution. - 特許庁
なお、半導体膜を結晶化するレーザー処理装置は、連続発振型のレーザー装置から発振されたレーザーのビーム形状は、シリンドリカルレンズによって、楕円形に成形され、前記シリンドリカルレンズは、回転できる構成であり、前記レーザー光は、ガルバノミラーにより前記基板上を走査され、前記レーザー光は、ｆ−θレンズにより前記基板上で焦点を結ぶことを特徴とする。例文帳に追加
Also, for a laser processor which crystallizes the semiconductor film, a beam shape of a laser oscillated from the continuous oscillation type laser is formed into an elliptic shape by a cylindrical lens, the cylindrical lens is rotatable, the laser beam is scanned on the substrate by a galvano-mirror, and the laser beam is focused on the substrate by an f-θ lens. - 特許庁
基板面が円形の半導体基板１に、少なくともエピタキシャル成長工程とその後のデバイス工程を含む複数の工程を行って複数の素子を形成する際に、エピタキシャル成長工程以前に、デバイス工程でのマスク位置合わせの基準位置にレーザマーク２を施しておき、該エピタキシャル成長工程後のデバイス工程でそのレーザマーク２を基準としてマスク位置合わせをする。例文帳に追加
Upon forming a plurality of elements on a semiconductor substrate 1 with a circular substrate surface by implementing a plurality of steps including at least an epitaxial growth step and a device step thereafter, a laser mark 2 is formed at a reference position of mask alignment in the device step before the epitaxial growth step, and the mask alignment is performed taking the laser mark 2 as a reference in the device step after the epitaxial growth step. - 特許庁
半導体ウエーハ等の非常に精密な平坦度が要求される円形状ワークを研磨する際、ワーク周辺部分の研磨代を制御して所望の形状とすることができ、ひいては研磨前のワークの形状に影響されずにワーク表面全体を平坦にすることができるワークの研磨技術を提供する。例文帳に追加
To provide a polishing technique for a work controlling polishing allowance of the work circumferential part into a prescribed shape and flattening the whole work surface without being affected by the shape of the work before polishing in polishing the circular work requiring an extremely precise flatness for a semiconductor wafer and the like. - 特許庁
| 例文 (109件) |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
