「半円形導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体発光装置の外囲器７の横断面が非円形で、長軸、短軸を持ち、短軸はリード間を結ぶ直線に平行で、長軸は短軸に垂直であることを特徴としている。例文帳に追加

The cross section of an envelope 7 of the semiconductor light emitting device should be set to a non-round shape, should have long and short axes while the short axis should be in parallel with a straight line for connecting the leads, and the long axis should be vertical to the short shaft. - 特許庁

また、テープリード２３の半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を八角形もしくは、楕円形状に形成し、テープリード２３の配線部分をくびれた形状に形成した。例文帳に追加

Further, a connection part for connecting to the external electrode of the semiconductor device of the tape lead 23 is formed in an octagon or ellipse shape, and a connection part for wiring of the tape lead 23 is formed in a middle-constricted shape. - 特許庁

半導体チップ３の表面の周辺部には、円形状の複数の信号バンプ４が配設され、中央部にはいずれも長尺形状を有する複数の電源バンプ５とグランドバンプ６が配設されている。例文帳に追加

In a circumferential part of a surface of the semiconductor chip 3, a plurality of circular signal bumps 4 are arranged, and at its central part, a plurality of power supply bumps 5 and ground bumps 6 all having a long shape are arranged. - 特許庁

円形基板のエッジ部を短期間に研磨可能な研磨装置を提供すると共に、これをデバイス製造工程での半導体ウェハのエッジ部の研磨処理に用いて処理期間の短縮化を図る。例文帳に追加

To provide a polishing device that can polish an edge portion of a circular substrate in a short period, and shorten the time of working by using the polishing device in polishing work on an edge portion of a semiconductor wafer in a device manufacturing process. - 特許庁

そして、円形基準領域Ａの中心Ａ_Oを通る法線を回転中心軸として半導体ウエハを所定の回転数で同軸回転させる。例文帳に追加

The semiconductor wafer is coaxially rotated at the predetermined number of rotation with the normal passing through the center A_O of the circular reference area A as the center axis of rotation. - 特許庁

電子部品を搭載するキャビティを規定するセラミック基板の側壁に半長円形の横断面をもった導体パターンが形成されており、かつその導体パターンがセラミック基板の表面及び（又は）内部に設けられた配線パターンどうしを接続しているように構成する。例文帳に追加

A conductor pattern having a traverse cross section in the form of a semi-long circle is formed on the side wall of a ceramic substrate specifying a cavity to package electronic components, and the conductor pattern is configured so as to connect wiring patterns provided on the surface and/or inside of the ceramic substrate. - 特許庁

電流増幅素子は、半導体基板の表面に平面視が円形となるように中心軸の周りに対称に形成されたｎ型半導体ウエル（ｎ−ウエル）１０４、ｎ−ウエル内に同心円状に形成されたｐ型半導体領域１１２、ｐ型半導体領域内に同心円状に形成されたｎ型半導体領域１１２、及び順バイアス電圧と逆バイアス電圧とを印加するための複数の電極を備えている。例文帳に追加

This current amplifying element includes: an n-type semiconductor well (n-well) 104 formed on a surface of a semiconductor substrate symmetrically around the center axis to make a plan view circular; a p-type semiconductor region 112 concentrically formed in the n-well; an n-type semiconductor region 112 concentrically formed in the p-type semiconductor region; and a plurality of electrodes for applying a forward bias voltage and a reverse bias voltage. - 特許庁

該半導体基板をベース基板に搭載し、円形状の平面コイルに磁界を作用させるための対をなす扇状もしくは半円状の永久磁石をヨークの内壁に固定し、該永久磁石を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーを挟んだ位置に配置するように、ヨークをベース基板の上面に固定する。例文帳に追加

The semiconductor device is mounted on a base substrate, and a sectorial or semicircular permanent magnet which is paired to exert a magnetic field on the circular plane coil is fixed to the internal wall of a yoke, which is arranged across the torsion bar. - 特許庁

算出部が記憶部によって記憶された位置情報から定まる円形状導体の外形を形成する閉曲線を周方向に所定の幅で分割して得られる複数の導体部分ごとに、各導体部分を複数の移動条件それぞれで半径方向に移動させた場合における各移動後の位置情報を算出する。例文帳に追加

A calculation part calculates positional information, for each of a plurality of conductor portions obtained by dividing a closed curve forming an outer shape of the circular conductor determined by the positional information stored by the storage part for each predetermined width in a circumferential direction, after each movement when each conductor portion is caused to move in a radial direction under a plurality of respective moving conditions. - 特許庁

両面同時ポリッシング装置を用いて略円形状ＧａＡｓウェハの両面同時ポリッシング作業を行ったときに、チッピング不良やキズ不良件数を効果的に低減でき、それによって略円形状ＧａＡｓウェハの完成品の品質と歩留とを顕著に向上することができる半導体ウェハの両面同時ポリッシング方法及び両面同時ポリッシング装置を提供すること。例文帳に追加

To effectively reduce the number of errors of chipping and flaws in performing simultaneous polishing of both surfaces of a substantially circular GaAs wafer. - 特許庁

半導体層の表面に形成された電解効果型トランジスタ（ＦＥＴ）と、先端が先鋭化されたコーン型エミッタを有する電子放出素子において、エミッタ形成領域１１を円形または多角形状とし、エミッタ形成領域の周辺に円形環または多角形環型のＦＥＴゲート電極４とＦＥＴソース電極９を配置する。例文帳に追加

In this electron emitting element having a field effect transistor(FET) formed on the surface of a semiconductor layer and a conical emitter having a sharpened tip, an emitter forming area 11 is formed into a circular shape or a polygon, and a FET gate electrode 4 and a FET source electrode 9 in the form of a circular ring or a polygonal ring are disposed in the peripheral area of the emitter forming area. - 特許庁

光学窓の平面形状を円形にしてフラッシュランプ６９から閃光照射を行ったときに相対的に温度が低くなる半導体ウェハーＷの周縁部を臨む側の光学窓端縁部が楕円形の短径方向端部となるようにクランプリング９０をチャンバー６に取り付ける。例文帳に追加

The clamp ring 90 is mounted on a chamber 6 such that ends of an elliptical shape in a short diametric direction thereof form optical window end edges, on the side where the optical window faces the peripheral edge of the semiconductor wafer W along which a temperature is relatively low when the flat plane configuration of the optical window is made circular and flash light irradiation is performed from the flash lamp 69. - 特許庁

円形の単結晶基板１上に気相成長法により化合物半導体のエピタキシャル結晶層を成長してデバイス構造１３を形成し、そのデバイス構造１３が形成された後の円形の基板２０に対し、周辺の一部を特定の結晶面で自然劈開してオリエンテーションフラット２０ａを形成する。例文帳に追加

A device structure 13 is formed by growing an epitaxial crystal layer of a compound semiconductor on a circular single crystal substrate 1 according to a vapor growth process, and the orientation flat 20a is formed for the circular substrate 20 after the formation of the device structure 13 by naturally cleaving a periphery thereof at a specific crystal plane. - 特許庁

近赤外線放出源によって加熱され近赤外放射に対して透過性の処理チャンバ内で熱処理を行っている間に、回転サセプタの円形のポケット内にある半導体ウェハの不適正な位置を識別する方法において、サセプタのポケット内の半導体ウェハの実際の位置を求め、誤差が発生している場合にはこの誤差およびその原因を検出して解消すること。例文帳に追加

To determine actual position of a semiconductor wafer in a circular pocket of a rotation susceptor and if a error occurs, to detect and resolve the error and its cause, in a method of identifying improper position of the semiconductor wafer located in the pocket of the susceptor while heat treatment is performed in a processing chamber which is heated by a source of near infrared ray and which is penetrable to near infrared ray emission. - 特許庁

ノッチまたはオリフラをエッジ部に有する円形の半導体基板を任意に位置合わせするアライナー装置は，プレートに回転可能に軸支された，少なくとも三つのスピンドル手段と，スピンドル手段の各先端に取り付けられた，半導体基板を保持する保持手段とスピンドルを回転させるための回転機構と，ノッチまたはオリフラを検出するためのセンサーとから成る。例文帳に追加

When a pulse motor 4 is driven, four spindles 7 are synchronously rotated via a timing belt 5, and a holding means provided in the spindle 7 is also rotated, and interlocking with this rotation, a semiconductor substrate 9 is rotated thereon around its axial line. - 特許庁

引き上げ中の半導体インゴット２８の引き上げ領域が熱遮蔽板２９によって取り巻かれ、この熱遮蔽板２９の内側に引き上げ中の半導体インゴット２９の通過を許容するように平面視略円形若しくは放射状に配設されたステンレス鋼管からなるクーラー３２を配設する。例文帳に追加

A pulling region of a semiconductor ingot 28 during pulling up is surrounded by a heat-shielding plate 29, and inside the heat-shielding plate 29, a cooler 32 composed of stainless steel pipes arranged approximately in a circular or radial state in a plan view so as to allow passage of the semiconductor ingot 29 under pulling, is installed. - 特許庁

中心線直角断面を円形穴として保持室を形成した保持体１０の中心線上に、順次、半導体レーザー光源２１、集光レンズ系２３、前記反射鏡Ｍとを配設保持し、半導体レーザー光源から放射したレーザー光を、中心線と直交する全方位へ反射して照射するようにしたレーザー照射装置。例文帳に追加

This laser irradiating device L has a semiconductor laser light source 21, a condenser lens system 23, and the reflecting mirror M arranged and held in order on the center line of a holder 10 forming a hold chamber, which is sectioned circularly at right angles to the center line and reflects the laser light emitted by the semiconductor laser light in all azimuths crossing the center line at right angles for irradiation. - 特許庁

半導体レーザ１２からの出力光を光学素子１４により、１の情報トラックを照射する略円形状の集光スポット又は複数の情報トラックを照射する略線状の集光スポットに切り替え、集光スポットの形状に応じて半導体レーザ１２の照射出力を制御する。例文帳に追加

An output beam from a semiconductor laser 12 is switched to a condensed spot of an almost circular shape irradiating one information track or a condensed spot of an almost linear shape irradiating a plurality of information tracks by an optical element 14, so as to control irradiating output of the semiconductor laser 12 in accordance with a shape of the condensed spot. - 特許庁

光半導体素子４および駆動回路素子５を収納する光パッケージにおいて、基体１の下面に、光半導体素子４および駆動回路素子５と外部電気回路基板１１とを電気的に接続する直径約０．１〜０．７ｍｍの略円形の電極パッド１０を２個／ｍｍ^2以上の密度で設けた。例文帳に追加

In this optical package housing the optical semiconductor element 4 and drive circuit element 5, the circular electrode pads 10, which are used for electrically connecting the elements 4 and 5 to an external electrical circuit board 11 and have diameters of about 0.1-0.7 mm, are provided on the lower surface of a substrate 1 at a density of 2 or more pads/mm2. - 特許庁

本半導体ウェーハの研磨装置は、ヘッド本体の開口部に張設されてヘッド本体との間に外部と仕切られてなる加圧室を形成するとともに、内周部下面で半導体ウェーハを保持するほぼ円形のメンブレンとを有し、メンブレンを直接空気圧により加圧する空気の温度を制御する空気温度制御手段を備える。例文帳に追加

The present polishing equipment of semiconductor wafer forms a processing chamber which is arranged extendedly in an aperture of head body and in partition from exterior between it and the head body, comprises a roughly circular membrane holding the semiconductor wafer with an inner circumference lower surface, and prepares an air temperature controlling means for controlling a temperature of air directly pressurizing the membrane with air pressure. - 特許庁

そして、請求項２に係る発明は、半導体素子の複数のリード端子に合わせてスルーホールを形成したプリント基板に於て、前記スルーホールをリード端子よりも大径な円形状に形成し、該スルーホールに、半導体素子のリード位置の変更に対応可能なスペーサを装着することを特徴とする。例文帳に追加

According to claim 2, a printed circuit board having through-holes formed matching a plurality of lead terminals of a semiconductor element is characterized in that the through-holes are formed in a circular hole shape having a larger diameter than the lead terminals and spacers adaptive to change in lead position of the semiconductor element are mounted on the through-holes. - 特許庁

本センサは、一方の面に圧力検出素子を有し、他方の面に凹部を形成してダイアフラム及び支持部が設けられる半導体基板と、この半導体基板の他方の面の支持部に接合され、この接合される接合部の外周の形状が円形である支持体基板とを有することを特徴とするものである。例文帳に追加

The sensor has the pressure detection element on its one surface and, on the other surface, the semiconductor substrate having the diaphragm and a support section obtained by forming a recessed part and having a support body substrate that is joined to the support section on the other surface of the semiconductor substrate and where the outer peripheral shape of the joined part is a circle. - 特許庁

幅方向に互いに離隔して並列させられた複数の平型導体１２_１，１２_２と、前記複数の平型導体１２_１，１２_２をまとめて被覆する絶縁材１４とを備えたフレキシブルフラットケーブルにおいて、前記複数の平型導体１２_１，１２_２は、それぞれ、円形の断面形状を有する導体を圧延加工した平型導体であり、前記絶縁材１４は透明若しくは半透明であることを特徴とするフレキシブルフラットケーブル。例文帳に追加

With the flexible flat cable provided with a plurality of flat conductors 12_1, 12_2 and an insulating material 14 coating in bulk the plurality of the flat conductors 12_1, 12_2, the plurality of the conductors 12_1, 12_2 are ones made by rolling conductors having a circular cross section shape, and the insulating material 14 is either transparent or translucent. - 特許庁

第１および第２の半導体レーザ素子１０，２０のＭＱＷ活性層１２，２２に形成される発光点１７，２７は、ＭＱＷ活性層１２，２２に平行な方向に長軸を有しかつ垂直な方向に短軸を有する楕円形状を有する。例文帳に追加

The light emitting points 17 and 27 formed in the MQW active layers 12 and 22 have elliptical shapes having major axes in the directions parallel to the active layers 12 and 22 and minor axes in the directions perpendicular to the directions. - 特許庁

半導体装置１は、埋め込み法で形成される配線部１１に、円形または方形の溝形状部１１ａを形成し、当該溝形状部１１ａを埋め込む状態で当該溝形状部１１ａの直上にビアホール１３を形成している。例文帳に追加

In this semiconductor device 1, a circular or square groove 11a is formed in a wiring 11 formed embedded, and, just on the groove 11a, a via hole 13 is formed for enclosing the groove 11a. - 特許庁

ＣＤの記録再生を行う場合、半導体レーザチップが搭載された第２のホログラムユニット２９からの発散光束は有限系アナモルフィックレンズ３′によりカップリングされ、かつ強度分布が楕円状から円形状に整形される。例文帳に追加

In recording and reproducing of the CD, the divergent luminous flux from a second hologram unit 29 mounted with a semiconductor laser chip is coupled by a finite system anamorphic lens 3' and an intensity distribution is shaped from an elliptic shape to a circular shape. - 特許庁

半導体レーザー１から発散される断面形状が縦長の略楕円形のレーザー光束Ｌが、コリメータレンズ２で平行光束にされた後、可動絞り板３の開口３ａを通過して、集光レンズ４により微小径のスポット光に集光される。例文帳に追加

An approximately elliptical laser beam L having a vertically long cross-sectional shape is emitted from the semiconductor laser 1, collimated to a parallel beam by a collimator lens 2 and converged to spot light of a fine diameter by a condenser 4 through the aperture 3a of a movable diaphragm 3. - 特許庁

直線、円形や、リング（ドーナツ型）等のレーザ光溶接等の多様なレーザ光の照射の仕方が可能であり、そのレーザ光照射に均一なレーザ光照射が可能であり、半導体レーザ素子や光ファイバが故障しても容易に対応できる 。例文帳に追加

To provide a laser processing device enabling the various ways of irradiating laser beams such as laser beam welding of a straight line, a circle, a ring (a doughnut shape) and the like, and uniform laser irradiation; and easily responding to failures of semiconductor laser elements or optical fibers. - 特許庁

活性層３のうち半導体素子の下方における埋込絶縁膜４と隣接する位置に、円形状の中心領域１０ａを囲むようにリング状のｐ型領域１０およびｎ型領域１１を交互に繰り返し形成する。例文帳に追加

At a position adjacent to an embedded insulating film 4 in an active layer 3 under a semiconductor element, a ring-shaped p-type region 10 and a ring-shaped n-type region 11 are alternately formed in a repeated manner so as to surround a circular center region 10a. - 特許庁

配線基板２の半導体チップ搭載面には、周辺部に信号バンプ接続用の円形状の電極パッド７が形成され、中央部にはいずれも長尺形状を有する電源バンプ接続用の電極パッド８およびグランドバンプ接続用の電極パッド９が形成されている。例文帳に追加

On a face carrying the semiconductor chip of the wiring substrate 2, a circular electrode pad 7 for connecting the signal bump is formed in the circumferential part, and in its central part, an electrode pad 8 for connecting the power supply bump and an electrode pad 9 for connecting the ground bump all having a long shape are formed. - 特許庁

アンテナ本体部１０に設けられる放射導体１４ａ,１４ｂは、半円形状の第１の形状要素１１ａ，１１ｂと、第１の形状要素１１ａ，１１ｂからＸ方向に沿って突出した第２の形状要素１２ａ，１２ｂとを有する。例文帳に追加

Radiant conductors 14a and 14b provided to an antenna body 10 have half-round first form elements 11a and 11b, and second form elements 12a and 12b which thrust out along X direction from the first form elements 11a and 11b. - 特許庁

均熱部材１を、加熱範囲１０において領域１２〜１５によって構成される矩形の平面形状に近似した矩形の外縁形状とし、内部に半導体ウエハ２１の平面形状に近似した円形の開口部２を外縁形状と中心位置を一致させて形成した。例文帳に追加

A soaking member 1 is formed into a rectangular outer shape approximated to a rectangular planar shape constituted by regions 12-15 in the heating range 10, and a round opening 2 approximated to the planar shape of a semiconductor wafer 21 is formed in the inside so that the external edge shape may match the center position. - 特許庁

半導体レーザー等の光源１を出射するレーザー光３はビーム整形素子２に入射し、その第１面２ａを回折して１／２波長板２ｃを透過し、第２面２ｂで回折してビームの広がりが円形分布に整形された状態で出射する。例文帳に追加

Laser light 3 exiting from a light source 1 such as a semiconductor laser impinges on the beam shaping element 2 and is diffracted by its 1st surface 2a and transmitted through a 1/2 wavelength plate 2c, and diffracted by its 2nd surface 2b to exit while having its spread shaped into a circular distribution. - 特許庁

溝部３０に囲まれたメサ部１８Ｄの直径よりも小さな直径Ｌ３の円形状のマスク層Ｍ２をメサ部１８Ｄの上面中央領域に配置したのち、マスク層Ｍ２をマスクとして、半導体積層構造２０Ｄを選択的にエッチングする。例文帳に追加

After a circular mask layer M2 having a diameter L3 smaller than the diameter of the mesa portion 18 enclosed with a groove portion 30 is disposed in a central region of the upper surface of the mesa portion 18D, the mask layer M2 is used as a mask to selectively etch a semiconductor stack structure 20D. - 特許庁

反射電極３３の下方の金属膜、半導体膜及び絶縁膜等のうちの少なくとも１つの膜に形成された円形又は多角形の開口部により、反射電極３３の表面に微細な凹凸が高密度に形成されている。例文帳に追加

The fine high-density protrusions and recessions are formed on a surface of a reflection electrode 33 with a circular or polygonal opening portion formed on at least one film out of a metal film, a semiconductor film, an insulating film and so on, below a reflection electrode 33. - 特許庁

半導体レーザチップから出射される所定波長で断面が楕円形の拡散光を、かまぼこ型レンズと平凹レンズの少なくとも一方の配置により拡散光の断面形状を調整したうえで波長変換部材により所定波長と異なる波長の光に変換する。例文帳に追加

Scattered light, emitted from a semiconductor chip and having a predetermined wavelength and an elliptical cross section, is converted into a light of a wavelength that is different from the predetermined wavelength by a wavelength converting member, after adjusting the cross-sectional shape of the scattered light using the arrangement of at least one of a barrel-like lens and a planar concave lens. - 特許庁

これにより、対物レンズ３のレンズ開口における強度分布が両方向で一様に近づき、対物レンズ３とレーザ光源１の距離や配置を変更することなく、半導体レーザの放射角の非対称性を補正して、円形に近い微小スポットを容易に形成することが可能となる。例文帳に追加

Thus, the distribution of intensity in the aperture of the objective lens 3 is equalized in both directions, and a nearly circular micro spot is easily formed by correcting asymmetry of the radiating angle of a semiconductor laser without changing the distance and the arrangement of the objective lens 3 and the laser beam source 1. - 特許庁

ＮＳＭＤ型半導体パッケージにおいて、パッド電極４とソルダーレジスト開口部６の形状は、略円形で、且つ、パッド電極４はソルダーレジスト開口部６より小さく、ソルダーレジスト開口部６の平面中心Ｃ１と、パッド電極４のパターンの平面中心Ｃ２はずれている。例文帳に追加

An NSMD semiconductor package is equipped with a pad electrode 4 and a solder resist opening 6, which are both nearly circular, where the pad electrode 4 is smaller than the solder resist opening 6, and the plane center C1 of the solder resist opening 6 deviates from the plane center C2 of the pad electrode 4. - 特許庁

楕円発散ビームを射出する半導体レーザ(P)と、楕円発散ビームを略円形発散ビームに変換する単一・有限系のビーム整形素子(L)とを備え、ビーム整形素子(L)がシリンダー面から成る第１面(S1)とアナモフィック面から成る第２面(S2)とを有する。例文帳に追加

A semiconductor laser (P) for emitting an elliptical dispersion beam and a single-finite system beam shaping element (L) for converting the elliptical dispersion beam to an almost circular dispersion beam are provided, and the beam shaping element (L) has a first surface (S1) composed of a cylinder surface and a second surface (S2) composed of an anamophic surface. - 特許庁

ヒータユニット１は、床面に載置される台座２と、台座２に固定される中央側支持柱３と、台座２に固定されておりヒータベース６を支える支持体１１と、略円形に加工された半導体ウエハ２００（図３参照）を載置するウエハホルダ５と、ヒータベース６とを備える。例文帳に追加

A heater unit 1 includes: a pedestal 2 placed on a floor; a center side support pillar 3 fixed to the pedestal 2; a support 11 fixed to the pedestal 2 and supporting a heater base 6; a wafer holder 5 placing a semiconductor wafer 200 (refer to Fig.3) processed to have an approximately circular shape; and the hater base 6. - 特許庁

光源に半導体レーザ１４を用い、射出されたビームをシリンドリカルレンズ１８などの光学的手段によって楕円形状にし、もしくは開口４ａを用いて矩形形状にして、試料が添加された免疫クロマトグラフィー試験片８に照射する。例文帳に追加

A light source uses a semiconductor laser 14 and the beam emitted is made oval by an optical means such as a cylindrical lens 18 or rectangular using an opening 4a to irradiate an immunochromatography test piece 8 with a sample attached thereto. - 特許庁

カップ状のパッケージ１０内部底面に平面もしくは円形状の凹部１１を設けた半導体圧力センサーチップ搭載面１２を形成し、該チップ搭載面にゴム状シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂からなる接着剤を円もしくは角のリング状に塗布して、チップを搭載する。例文帳に追加

A semiconductor pressure sensor chip mounting face 12 having a plane or circular recess part 11 is formed on the bottom face inside a cup- shaped package 10, and an adhesive formed of a thermosetting resin such as the rubber type silicone resin is applied in the circular or rectangular shape onto the chip mounting face for mounting the chip. - 特許庁

アンテナ部１１には、薄い導体円板からなり、スパイラル状に形成されたスロット１１ａと、スロット１１ａの一端にスロット１１ａよりも幅広い円形状に形成された開放部１１ｂとにより半開放端スロット１１ｃが形成されている。例文帳に追加

In the antenna 11, a halfly-opened end slot 11c is formed by a slot 11a made of a thin conductor plate and formed spirally, and an opening part 11b formed at one end of the slot 11a in the shape of a circle wider than the slot 11a. - 特許庁

多数の微細な凹部を表面に有する半導体装置用石英ガラス治具において、凹部それぞれの形状は、なめらかなスプーンカット状であって上方から見て略楕円形状をなしており、これら多数の微細な凹部は網目状に連続していることを特徴とする。例文帳に追加

In a silica glass jig for semiconductor devices which has many fine dent parts on the surface of itself, each dent part has a smooth spoon cut shape and an approximately elliptical shape when viewed from the upper part and these many fine dent parts are arranged in a continuously reticulated state. - 特許庁

この半導体パッケージは、絶縁フレームとその主面上にマトリックス状に実装した多数の半導体素子とを全面にわたって一連に樹脂封止することにより面方向に連続する平らな面をもった板状のパッケージパネル１８を形成し、これをダイシング装置の円形ブレードで半導体パッケージ毎に切断することにより、本体部の四側面が主面に垂直な切断面１０ａとなる状態で製造される。例文帳に追加

The semiconductor package is manufactured in a state where the four side surfaces of a body part are in a cut surface 10a, that is vertical to the main surface by forming a plate-shaped package panel with a flat surface that is continuous in the surface direction by performing the resin sealing in series over the insulation frame and the main surface and cutting it for each semiconductor package by the circular blade of a dicing device. - 特許庁