「半円形導体」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

円形物におけるマーク検出方法、ノッチ検出方法、半導体ウェーハの向き検査方法、および半導体ウェーハの向き検査装置例文帳に追加

MARK DETECTING METHOD IN CIRCULAR BODY, NOTCH DETECTING METHOD, DIRECTION INSPECTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFER AND DIRECTION INSPECTION DEVICE FOR SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁

コイル状導体５は、複数の導体パターン７によって構成されており、略半円形状の断面を有している。例文帳に追加

The coil-shaped conductor 5 comprises a plurality of conductor patterns 7 and has a nearly semi-circular cross-section. - 特許庁

接続導体は前記同軸ケーブルの中心線が係合するほぼ半円形の溝を有し、同軸ケーブルの中心線は、接続導体の半円形の溝内にハンダ付けにより結合する。例文帳に追加

The connection conductor has an approximately hemicycle groove with which the center line of the coaxial cable is engaged, and the center line of the coaxial cable is coupled on the inside of the hemicycle groove of the connection conductor by soldering. - 特許庁

また、その開口３ａは横長の略楕円形であって、その楕円形の長軸と短軸の方向が半導体レーザー１から発散されるレーザー光束の楕円形と略９０度異なっている。例文帳に追加

The aperture is a horizontally long and approximately elliptical shape and the major axis and minor axis directions of the ellipse are different from the ellipse of the laser beam emitted from the semiconductor laser 1 by about 90°. - 特許庁

半導体ウエーハ吸着アーム１において、半導体ウエーハ２の吸着面であるテフロン（登録商標）テープ３および吸着口４の形状をほぼ楕円形として、半導体ウエーハ２を吸着して保持する。例文帳に追加

In a semiconductor wafer suction arm 1, shapes of a Teflon (registered trademark) tape 3 and a suction port 4 of sucking surfaces of the wafer 2 are each formed in a substantially elliptical shape, and the wafer 2 is sucked and held. - 特許庁

断面円形の棒状のｎ型ＧaＮからなる半導体コア１１と、上記半導体コア１１の一部を覆うように形成されたｐ型ＧaＮからなる半導体層１２とを備える。例文帳に追加

The light emitting element includes: a semiconductor core 11 made of a bar-like n-type GaN having a circular cross section, and a semiconductor layer 12 made of a p-type GaN formed so as to cover part of the semiconductor core 11. - 特許庁

本発明の半導体チップ用熱交換器は、半導体チップに隣接して位置する熱伝導面と、熱伝導面上に位置する円形チャンバと、円形チャンバ内に配置された複数の熱伝導フィンと、円形チャンバの中央部分に位置する流体流入口と、円形チャンバの周辺領域に位置する流体排出口とを備える。例文帳に追加

The heat exchanger for a semiconductor of this invention comprises a heat conduction surface located adjacent to a semiconductor chip, a circular chamber on the heat conduction surface, a plurality of heat conduction fins in the circular chamber, a fluid inlet in the center of the circular chamber and a fluid outlet in peripheral region of circular chamber. - 特許庁

ローラ６にコイル状に巻かれたコイル５から繰り出したシート状導体３Ａを端面加工部７を通して、両端面を半円形にする。例文帳に追加

A sheet conductor 3A from a coil 5 wound around a roller 6 has both its end surfaces made semicircular through an end surface machining part 7. - 特許庁

本発明の半導体装置７は、絶縁基板２の形状を従来の矩形から円形形状に変更したものである。例文帳に追加

The invented semiconductor device 7 is one formed on an insulation substrate 2 having a circular shape changed from the conventional rectangular shape. - 特許庁

半導体製造工程や液晶パネル製造工程において、円形基板の位置決めを、簡易な構造で迅速かつ高精度で行えるようにする。例文帳に追加

To make positioning of circle substrate possible to be carried out at high speed, with accuracy by a simple structure in a semiconductor manufacturing process and liquid crystal panel manufacturing process. - 特許庁

被成膜体の半導体ウエハをウエハ配置面Ｐ上の円形基準領域Ａにぴったり重ねて配置する。例文帳に追加

The semiconductor wafer as an object for film deposition is precisely superposed on a circular reference area A on a wafer arrangement surface P. - 特許庁

このような特徴を有する半導体装置１０では、貫通孔２１における一方の面１４側の開口部を円形とすると良い。例文帳に追加

In the semiconductor device 10 having such a feature, it is preferable to make circular the opening of the through-hole 21 on the one side 14. - 特許庁

量子ドットレーザにおいて、光閉込を強くし、かつビーム形状を円形に近づけることが可能な半導体レーザを提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser that enhances light confinement and allows a beam shape to be approximated to a circular shape, in a quantum dot laser. - 特許庁

円形の基板シート１０を用いて、半導体パッケージに用いる基板１１を複数個一括して形成する。例文帳に追加

A circular substrate sheet 10 is used to form a plurality of substrates 11 for a semiconductor package at the same time. - 特許庁

半導体基板に、円形平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを中抜き状態で一体形成し、前記可動板の上面には円形状の平面コイルを設け、下面には反射ミラーを設ける。例文帳に追加

A semiconductor device has a circular flat plate type movable plate and a torsion bar, pivoting the movable plate on the semiconductor device in a swinging state, formed integrally in a hollow state and a circular plane coil is provided on the top surface of the movable plate and a reflecting mirror is provided on the reverse surface. - 特許庁

荷電粒子ビーム書込装置を用いて製造されたフォトマスク上の円形パターンを用いることにより、半導体ウェハ上の円形パターンが形成される。例文帳に追加

Circular patterns on a semiconductor wafer are formed by using circular patterns on the photomask manufactured using a charged particle beam writer. - 特許庁

また、液滴吐出法等のマスクレスプロセスを用いて、基板上に同心円状の薄膜を積層し、円形の半導体層を有する円形薄膜トランジスタを形成してもよい。例文帳に追加

In addition, by using a maskless process such as a drop discharge method, the circular thin film transistor having a circular semiconductor layer may be formed by laminating the concentric circular thin film on the substrate. - 特許庁

放射導体１１は、円形の形状を有する第１の形状要素１２と半楕円形の形状を有する第２の形状要素１３とが、互いに一部分を共有するように組み合わせて構成されている。例文帳に追加

The radiation conductor 11 is composed of a first profile element 12 having a circular profile, and a second profile element 13 having a half-elliptical profile, with each combined so as to share a part common to each other. - 特許庁

直径が３００ｍｍ乃至４５０ｍｍの略円形の単結晶半導体ウエハから略四辺形の単結晶半導体基板を形成し、クラスターイオンイオンビームを単結晶半導体基板の一面から注入して損傷層を形成する。例文帳に追加

A nearly quadrangular single crystal semiconductor substrate is formed from a nearly circular single crystal semiconductor wafer with a diameter of 300 to 450 mm, and cluster ion beams are injected from one surface of the single crystal semiconductor substrate to form a damaged layer. - 特許庁

各ウェーハ搭載体３０に、半導体ウェーハ３よりも大きい円形の開口３４を形成し、開口３０の内側に突出するウェーハ支持部３２によって半導体ウェーハ３を開口３４内において水平に支持し、半導体ウェーハ３の処置を行う。例文帳に追加

A round opening larger than a semiconductor wafer 3 is formed in each wafer mounter 30, and the semiconductor wafer 3 is horizontally supported within the opening by a wafer support part 32 projecting inside the opening, to process the semiconductor wafer 3. - 特許庁

基板１０に対して液滴吐出法により半導体材料を塗布した後、半導体材料の固形分濃度が液滴全体で略同時に飽和濃度に達するように乾燥条件を定めて乾燥させることにより、略円形状の半導体膜１１を形成する（図３（ａ）参照）。例文帳に追加

A semiconductor material is applied to a substrate 10 by liquid drop ejection method and dried while defining the drying conditions such that the concentration of solid content of the semiconductor material reaches a saturation level substantially simultaneously over the entire liquid drop thus forming a substantially circular semiconductor film 11 (refer to fig. 3(a)). - 特許庁

楕円形の出射光を形成する半導体レーザ素子を有する半導体レーザモジュールに、半導体レーザ素子の楕円形の出射光を集光するレンズ３と、光ファイバの端面にテーパ状のレンズを有し、レンズで集光された光を光ファイバに入れるための光ファイバのテーパ部２１とを備える。例文帳に追加

The semiconductor laser module, which has a semiconductor laser element for forming an elliptical outgoing light, is provided with a lens 3 for converging such elliptical outgoing light and with such a tapered part 21 of an optical fiber that has a tapered lens at the end face of the optical fiber and that serves to enter the light converged by the lens into the optical fiber. - 特許庁

縦型構造の半導体装置１において、トレンチ２を等方性エッチングで形成することにより、トレンチ２の断面形状を曲率半径ｒ一定の半円形にさせる。例文帳に追加

In the semiconductor device 1 having a longitudinal structure, the trench 2 is formed by isotropic etching to section the trench 2 in a semicircular shape having a radius (r) of curvature. - 特許庁

光半導体樹脂モールドパッケージ２とその外形を覆うケース３とで構成された光半導体装置１において、光半導体樹脂モールドパッケージ２の外面に設けられた円柱状凸部５に、ケース３に設けられた円形孔７を嵌合させて、ケース３を光半導体樹脂モールドパッケージ２に固定したものである。例文帳に追加

In the optical semiconductor device 1 provided with the optical semiconductor resin mold package 2 and the case 3 covering an outline thereof, a circular hole 7 provided for the case 3 is fitted with a column-shaped convex portion 5 provided on the outer surface of the optical semiconductor resin mold package 2, and the case 3 is fixed to the optical semiconductor resin mold package 2. - 特許庁

波長４０５ｎｍの半導体レーザ１０１から出射の直線偏光で楕円形状の発散光は、アナモフィックレンズ１０２を透過することにより略円形状の発散光に変換されてコリメートレンズ１０４から出力する。例文帳に追加

The elliptically diverging linear polarized light emitted from a semiconductor laser 101 with a wavelength of 405 nm is converted into nearly circularly diverging light by passing an anamorphic lens 102 and outputted from a collimator lens 104. - 特許庁

回転しつつ外周面を半導体ウエーハの外周に接触させて半導体ウエーハの外周を研磨する研磨ホイール６であって、回転軸芯を有する円形基台６１と、該円形基台の外周に配設されフエルトに砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定したフエルト砥石６４とから構成されている。例文帳に追加

This polishing wheel 6 polishing the outer periphery of the semiconductor wafer by bringing an outer peripheral face into contact with the outer periphery of the semiconductor wafer while rotating is composed of a circular base 61 having a rotary shaft core and a felt grinding wheel 64 arranged at outer periphery of the circular base, dispersing abrasive grains to a felt, and fixed by adequate bond agent. - 特許庁

半導体レーザの近視野像は半導体レーザのp-n接合に沿う方向が楕円の長軸となる楕円形状をしているので、この近視野像と相似形となるように、多モード光ファイバの入射端面におけるコアの形状が形成されている。例文帳に追加

The near field image of semiconductor laser has an elliptical shape that the direction along the p-n joint of the semiconductor laser becomes the major axis of an ellipse and the shape of the core is formed so that the ellipse becomes a similar figure to the near visual field image at the incident end face of the multi-mode optical fiber. - 特許庁

半導体ウェーハ６０は、半導体素子が形成される第１主面が円形であるウェーハと、このウェーハの外周部に形成されたベベル部と、このベベル部に付された、ウェーハの結晶方位を示す基準ＩＤマーク６１とを具備する。例文帳に追加

A semiconductor wafer 60 comprises a wafer of which a first main surface on which a semiconductor element is formed is circular, a bevel part formed on the outer periphery of the wafer, and a reference ID mark 61 which is provided to the bevel part to show crystal orientation of the wafer. - 特許庁

回路基板と半導体部品とを接合する接合材料を回路基板または半導体部品にスクリーン印刷するためのマスク１において、複数の貫通孔２の一部または全部におけるマスク１の厚み方向に垂直な断面を楕円形状および／または長方形状に形成する。例文帳に追加

In the mask 1 for screen-printing the jointing material for jointing a circuit substrate to the semiconductor part on the circuit substrate or the semiconductor part, the perpendicular section, with the thickness direction of the mask 1, of some or the totality of a plurality of through holes 2 are formed elliptically and/or rectangularly. - 特許庁

そして、ｐ^+ 形の半導体領域６が、ｎ^- 形半導体層２の表面側の平面形状で円形もしくは多角形状で、中心部から一番遠い位置の部分が隣り合うｐ^+ 形の領域６と近接もしくは重なり合うか、または半導体領域６とそれ以外の部分の面積比が（２〜６）：１で、かつ、規則的に配列して形成されている。例文帳に追加

The p+-type semiconductor region 6 is circular or polygonal, in top view, on the surface side, while it is close to the adjacent p+-type region 6 or overlaps each other at the farthest part from a central part, or the area ratio between the semiconductor region 6 and the part except for it is (2-6):1 while being arrayed regularly. - 特許庁

半導体実装用の基板にペースト状材料若しくはフィルム状の材料を介して実装されるバンプＢ１を有する半導体素子ＩＣにおいて、上記バンプＢ１は、その断面が楕円形状の柱型であり、この幅狭となる部分が半導体素子ＩＣの外周方向に向かって配置されている。例文帳に追加

In a semiconductor element IC with bumps B1, mounted on a substrate for mounting a semiconductor via the pasty material or a filmy material, the cross section of the bumps B1 is formed into an elliptical columnar shape, and the narrowed sections of the bump are arranged toward the outer circumferential direction of the semiconductor element IC. - 特許庁

本発明にかかる円形ビームエッジ放射レーザーは、そのエピタキシー発光層が希薄な窒化物を含む低キャリア移動度の半導体材料を使用して形成される。例文帳に追加

An edge emitting laser with circular beam is disclosed using a low carrier-mobility diluted nitride semiconductor material for an epitaxy light-emitting layer. - 特許庁

半導体装置は、各ストレージノードコンタクト９の上面から上方に延び、略楕円形の断面形状を有するように形成されたキャパシタ１４とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with the capacitors 14 extending upward from the upper face of each storage node contact 9 and formed so as to have a substantially elliptical cross sectional shape. - 特許庁

なお、アスペクト比が１に近い略真円形状の量子リングを有する従来の半導体基板では、このような偏光成分の分離を実現することができなかった。例文帳に追加

Such separation of polarization components has never been possible with the conventional semiconductor substrate having quantum rings having nearly a perfect circle shape whose aspect ratio is nearly 1. - 特許庁

出力レーザ光の波長をモニタし、外部共振器型半導体レーザに戻り光が入射されず、かつ、ほぼ円形のビーム形状のレーザ光を出力する小型のレーザシステムを提供する。例文帳に追加

To provide a compact laser system for monitoring the wavelength of output laser light, preventing return light from entering an external resonator type semiconductor laser, and outputting laser light nearly in circular beam shape. - 特許庁

このため、レーザ光出射部４５から出射されたレーザ光の照射スポットが半導体ウェハーＷの裏面周縁部に沿って円形軌道を描くように旋回する。例文帳に追加

Therefore, an irradiation spot of the laser light irradiated from the laser light emission part 45 revolves as if it draws a circular orbit along the peripheral part of the semiconductor wafer W back side. - 特許庁

これにより、レーザ光の遠視野像は楕円形の形状を維持し、従来の窒化物半導体レーザで問題であった縞状の干渉を生じることはない。例文帳に追加

Consequently, the far field pattern of the laser light maintains an elliptic shape and does not cause the interference fringes which have been the problem of the conventional nitride semiconductor laser. - 特許庁

アスペクト比が大きい半導体発光素子であっても、高効率のファイバ結合を容易に且つ安価に実現できる、あるいは円形に近いビームウエストを有する光線として空間を伝搬させることができるようにする。例文帳に追加

To realize highly efficient fiber-coupling easily and inexpensively or to enable propagation through space as a light beam having a nearly circular beam waist, even if a semiconductor light emitting element has a large aspect ratio. - 特許庁

半導体レーザ光源の光に対する光スポットの形状を円形にすることができ、ジッタ（Ｊｉｔｔｅｒ）やクロストークを改善することができる光ピックアップを提供する。例文帳に追加

To provide an optical pickup capable of making a circular shape of a light spot with respect to light from a semiconductor laser light source and capable of reducing jitter or crosstalk. - 特許庁

半導体装置を、横断面が円形でその中心軸方向に延びる形状を有し、その側面には所望の集積回路が形成されており、その端面には電極が形成されているものとする。例文帳に追加

The semiconductor device has a circular cross section and a shape extending in the direction of a center axis thereof, and also has a desired integrated circuit formed on its side face and an electrode formed on its end face. - 特許庁

レーザスポットの短軸方向が異なるように２つ以上の半導体レーザを同時に発光させる事により、レーザスポットの重なった所が略円形のレーザスポットになる。例文帳に追加

The quantity of light is applied so as to form a pit on a track on the optical disk only from the overlapped part of laser beams emitted from the semiconductor laser 1 and the optical module 6. - 特許庁

半導体基板上に平面形状が多角形ないし円形状の２以上のインダクタ１、２を備え、各インダクタは、互いにスパイラル部分の中心が一致するように配置されることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor device comprises two or more inductors 1, 2 having a polygonal or circular planar shape on a semiconductor substrate, and each inductor is disposed so that a center of a spiral part is coincident, mutually. - 特許庁

楕円形のように非対称な半導体レーザ素子のビーム形状に対して、光ファイバとの高結合率、調整固定に対して緩いトラレンスを実現する。例文帳に追加

To realize a high coupling ratio with an optical fiber and a gentle tolerance against adjustment fixations, in connection with such an asymmetrical beam shape of a semiconductor laser element as an elliptical shape. - 特許庁

半導体レーザー２から放射される発散性の光束はビーム整形光学素子としてのアナモルフィックレンズ６で平行光束化及び整形（略円形化）される。例文帳に追加

A divergent luminous flux radiated from a semiconductor laser 2 is made to be a parallel luminous flux and is made to be shaped (nearly made circular) by an anamorphic lens 6 as a beam shaping optical element. - 特許庁

この半導体ウェハの加工方法は、少なくとも一部に円形の外周端縁を有するウェハを、格子状の分断予定ラインに沿って分断するための方法であって、第１工程及び第２工程を含んでいる。例文帳に追加

A method of processing a semiconductor wafer segments a wafer, which has at least partially circular peripheral edge, along scribing lines in a lattice shape, and includes a first step and a second step. - 特許庁