| 例文 (8件) |
可変密度流の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
電流値を可変できるアノードとカソードを有するめっき槽を備えためっき装置を使用して、初期には低い電流密度でめっき皮膜を形成し、段階的に電流密度を高めてめっき皮膜を形成する。例文帳に追加
Using a plating device with an anode and a cathode in which current value is adjustable, a plating film is deposited at a low current density in the initial stage, and the current density is stepwise increased to deposit a plating film. - 特許庁
吸熱部および放熱部を備えた密閉容器と、密閉容器の中に封入された所定量の作動流体および作動流体の密度よりも小さい密度を有する所定量のガスとを備えた可変コンダクタンスヒートパイプ。例文帳に追加
The variable conductance heat pipe comprises an enclosed container having a heat absorbing section and a heat radiating section, a specified quantity of working fluid encapsulated in the enclosed container, and a specified quantity of gas having density lower than that of the working fluid. - 特許庁
電流密度が増大するため、メモリセルのデータ層内の可変磁化方向を回転させる十分な磁界を導体内を流れる一層小さな電流により生成できる。例文帳に追加
The current density is increased whereby a magnetic field, sufficient for rotating the variable magnetizing direction in the data layer of the memory cell, is produced by a current smaller than the current which flows through the conductors. - 特許庁
このプラズマエッチング装置では、外側上部電極３６と内側上部電極３８との間で電界強度の比率を可変することによって行なわれるプラズマ密度空間分布の制御が、中心シャワーヘッド（６２，５６ａ）と周辺シャワーヘッド（６４，５６ａ）との間で処理ガスの流量の比率を可変することによって行なわれるラジカル密度空間分布の制御に実質的な影響を及ぼさない。例文帳に追加
In the plasma etching system, control of plasma density spatial distribution performed by varying the ratio of field strength between an outer upper electrode 36 and an inner upper electrode 38 has substantially no effect on the control of radical density spatial distribution performed by varying the ratio of flow rate of processing gas between central shower heads (62, 56a) and peripheral shower heads (64, 56a). - 特許庁
可変抵抗素子の電流密度を増加させると共に、メモリセル全体での消費電力を低減することができる不揮発性半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a nonvolatile semiconductor storage apparatus capable of increasing the current density of a variable resistance element and reducing power consumption of an entire memory cell, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor apparatus. - 特許庁
広領域にわたって均一で、高電流密度の電子ビームをビーム径固定若しくは可変に形成する電子銃、その電子銃を適用し、広領域のビームスキャンに対応し，照射時間スループットに対応した電子線照射装置、或いは被処理物上ビームが均一で、高電流密度の電子線効率を高めた電子線照射装置を提供する。例文帳に追加
To provide an electron gun forming electron beams uniformly over a wide region and of high current density in a fixed beam diameter or variable beam diameters, an electron beam irradiating device applying the electron gun, corresponding to wide-region beam scanning, and corresponding to irradiation time throughputs, or an electron beam irradiating device with uniform beams on a treated object and with enhanced electron beam efficiency of high current density. - 特許庁
電流発生ユニット１００に対向するレセプタによって複写基板に静電界を加える静電装置において、電流発生ユニット１００から複写基板に導かれる動電流密度を所与の範囲内に制御し、複写基板の幅が可変なシステムにおける端部漏れ電流効果を組み込む。例文帳に追加
In the electrostatic apparatus for applying an electrostatic field on the copying substrate by a receptor facing a current generation unit 100, the dynamic current density guided from the current generation unit 100 to the copying substrate is controlled within a prescribed extent, and the end leakage current effect for a system wherein the width of the copying substrate is variable is integrated. - 特許庁
発光素子駆動用トランジスタ１２１にチャネルサイズ可変型MOSトランジスタに用いて、コントロールゲートに供給される信号１２４電圧を副画素ごとに調整することにより、発光素子１２２に流れる電流、若しくは電流密度の大きさを調整することができ、各色の副画素での輝度調整を可能とする。例文帳に追加
A variable channel-size MOS transistor is used as a transistor 121 for driving a light emitting element and when a voltage of a signal 124 applied to a control gate is controlled for each sub-pixel, the amount of current or the current density flowing in the light emitting element 122 can be adjusted and luminance of each sub-pixel of each color can be adjusted for each other. - 特許庁
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