堆積を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 11987件
ルーツポンプ内での反応生成物の堆積を防止する。例文帳に追加
To prevent deposition of reaction product in Roots pump. - 特許庁
なお、堆積された錫およびゲルマニウムは非晶質である。例文帳に追加
Furthermore, deposited tin and germanium are respectively amorphous. - 特許庁
タービン部材の修理方法および材料堆積装置例文帳に追加
METHOD FOR REPAIRING TURBINE MEMBER AND MATERIAL DEPOSITING APPARATUS - 特許庁
マイクロプラズマによる堆積方法及び装置例文帳に追加
DEPOSITION METHOD AND APPARATUS BY MICROPLASMA - 特許庁
半導体基板上にタングステンを堆積する方法例文帳に追加
METHOD FOR DEPOSITING TUNGSTEN ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁
燃焼装置とその煙道灰堆積防止方法例文帳に追加
COMBUSTION EQUIPMENT AND METHOD OF PREVENTING ACCUMULATION OF FLUE ASH - 特許庁
(a)半導体基板の上に絶縁膜を堆積させる。例文帳に追加
(a) An insulation film is deposited on a semiconductor substrate. - 特許庁
窒化チタンの厚膜を堆積する方法例文帳に追加
METHOD FOR DEPOSITING THICK FILM OF TITANIUM NITRIDE - 特許庁
陰極および陰極アーク堆積用陰極の製造法例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD FOR CATHODE AND CATHODE FOR CATHODIC ARC DEPOSITION - 特許庁
潤滑油のピストンアンダークラウン堆積性試験装置例文帳に追加
LUBRICATING OIL SEDIMENTATION TESTING DEVICE OF PISTON UNDER CROWN - 特許庁
CVDによるγ−Al2O3の堆積例文帳に追加
DEPOSITION OF GAMMA-Al2O3 BY CVD - 特許庁
そして半導体基板1全面に窒化膜6を堆積する。例文帳に追加
A nitride film 6 is deposited over the entire semiconductor substrate 1. - 特許庁
Ta2O5および高k誘電体の原子層堆積例文帳に追加
ATOMIC LAYER DEPOSITION OF Ta2O5 AND HIGH-k DIELECTRIC - 特許庁
半導体基板の表面に金属層を堆積する方法例文帳に追加
PROCESS FOR DEPOSITING METALLIC LAYER ON SURFACE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁
電解堆積有機絶縁膜を用いた配線形成方法例文帳に追加
WIRING FORMING METHOD USING ELECTROLYSIS DEPOSITION ORGANIC INSULATING FILM - 特許庁
高効率プラズマガス中凝縮クラスター堆積装置例文帳に追加
CONDENSED CLUSTER DEPOSITING DEVICE IN HIGH EFFICIENCY PLASMA GAS - 特許庁
ガラス微粒子堆積方法及び装置例文帳に追加
GLASS PARTICULATE DEPOSITION METHOD AND APPARATUS - 特許庁
スパッタ堆積のための改善された銅ターゲット例文帳に追加
CU TARGET IMPROVED FOR SPUTTERING DEPOSITION - 特許庁
高誘電率誘電体膜を堆積する方法例文帳に追加
METHOD OF DEPOSITING DIELECTRIC FILM HAVING HIGH DIELECTRIC CONSTANT - 特許庁
ガラス微粒子堆積体の製造方法及び装置例文帳に追加
METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING GLASS PARTICULATE DEPOSIT - 特許庁
その後、周期的堆積、化学気相堆積、又は、物理的気相堆積技術を用いて、タングステンのバルクフィルが核形成層上に堆積されてもよい。例文帳に追加
A tungsten bulk fill may then be deposited on the nucleation layer employing cyclical deposition, chemical vapor deposition or physical vapor deposition techniques. - 特許庁
ガラス微粒子堆積体の製造方法及び製造装置例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS FOR GLASS PARTICULATE DEPOSIT - 特許庁
アモルファスカーボン層の堆積方法例文帳に追加
METHOD OF DEPOSITING AMORPHOUS CARBON LAYER - 特許庁
低誘電率を有する誘電体膜の堆積方法例文帳に追加
METHOD FOR DEPOSITING LOW DIELECTRIC CONSTANT DIELECTRIC FILM - 特許庁
ガラス微粒子堆積体の熱処理装置例文帳に追加
HEAT TREATMENT APPARATUS FOR GLASS PARTICULATE DEPOSIT - 特許庁
高有効仕事関数で電極を堆積する方法例文帳に追加
METHOD FOR DEPOSITING ELECTRODE WITH HIGH EFFECTIVE WORK FUNCTION - 特許庁
実施の形態は、銅イオンの堆積に関する。例文帳に追加
The embodiment includes the deposition of copper ions. - 特許庁
次に、酸化膜7を半導体基板1上に堆積する。例文帳に追加
An oxide film 7 is deposited on the semiconductor substrate 1. - 特許庁
循環堆積による金属ケイ素窒化物膜の調製例文帳に追加
PREPARATION OF METAL SILICON NITRIDE FILM VIA CYCLIC DEPOSITION - 特許庁
堆積チャンバにおける酸化からの導電体の保護例文帳に追加
PROTECTION OF CONDUCTOR FROM OXIDATION IN DEPOSITION CHAMBER - 特許庁
付臭剤の水素タンク下部への堆積を抑制する。例文帳に追加
To suppress deposition of odorant to a bottom part of a hydrogen tank. - 特許庁
金属層を均一に堆積させるための有孔陽極例文帳に追加
PERFORATED ANODE FOR UNIFORMLY DEPOSITING METAL LAYER - 特許庁
半導体基板に金属を無電界堆積する装置例文帳に追加
APPARATUS FOR ELECTROLESS DEPOSITION OF METAL ONTO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁
薄膜堆積用分子線源用るつぼ例文帳に追加
CRUCIBLE USED IN SOURCES OF MOLECULAR BEAM FOR DEPOSITING THIN FILM - 特許庁
ガラス微粒子堆積体の製造装置例文帳に追加
APPARATUS FOR MANUFACTURING GLASS PARTICULATE DEPOSIT - 特許庁
プラズマ電極及びプラズマ化学気相堆積装置例文帳に追加
PLASMA ELECTRODE AND PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM - 特許庁
半導体素子の銅薄膜堆積装置例文帳に追加
APPARATUS FOR DEPOSITING COPPER THIN FILM FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁
ガラス微粒子堆積体の製造方法例文帳に追加
半導体堆積膜の形成方法及びその形成装置例文帳に追加
METHOD AND DEVICE FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEPOSITING FILM - 特許庁
RRAM薄膜堆積のためのバッファ層形成方法例文帳に追加
BUFFER LAYER FORMING METHOD FOR RRAM THIN FILM DEPOSITION - 特許庁
酸化プラズマを用いた低誘電率膜の堆積方法例文帳に追加
METHOD OF DEPOSITING LOW DIELECTRIC FILM USING OXIDIZING PLASMA - 特許庁
シリコン化合物によるシリコン含有層の堆積例文帳に追加
SILICON-CONTAINING LAYER DEPOSITION WITH SILICON COMPOUND - 特許庁
パティキュレート堆積量推定装置例文帳に追加
真性アモルファスシリコン層の堆積に先立ち、誘電絶縁材料の層を堆積する第1の堆積操作により、同じCVDチャンバ内で基板上に連続して堆積することにより行われる。例文帳に追加
The method is carried out by sequentially depositing a layer of dielectric insulating material on the substrate in the same CVD chamber by means of a first deposition operation prior to the deposition of the intrinsic amorphous silicon layer. - 特許庁
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