「堆積」に関連した英語例文の一覧と使い方(240ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明は、少なくとも２層の堆積を含む巻尺（１０）であって、この巻尺（１０）が複合材料（１１）をベースとした支持層と呼ばれる第１の層と、使用状態において、その要素を巻かれたまたは折り畳まれた位置に維持するために、ポリマーがガラス状態にあるような高いガラス転移温度を有する前記ポリマーをベースとした最上層（１２）と呼ばれる層とを含むことを特徴とする巻尺（１０）に関する。例文帳に追加

This tape measure (10) including a stack of at least two layers includes a first layer called a support layer using a composite material (11) as a base, and a layer called as an uppermost layer (12) having a high glass transition temperature so that polymer is under a glass condition to maintain an element to a rolled or folded position and using the polymer as a base. - 特許庁

堆積された排気ガス成分の中の少なくとも一つについて周期的間隔を置いて再生され、走行経路がプリセット値に基づいて計算される、自動車の駆動のために備えられている内燃機関（３０）の排気ガスダクト（３３）に配置された排気ガス浄化装置（３５）の再生制御方法およびその実施のための装置において、排気ガス浄化装置（３５）の必要な再生が、走行経路の計算に影響を与える。例文帳に追加

In this regeneration control method and its device for the exhaust emission control device 35 arranged in an exhaust gas duct 33 of an internal combustion engine 30 provided for driving an automobile to regenerate at least one of deposited exhaust gas components at a periodic interval and calculate a running path based on a preset value, required regeneration by the exhaust emission control device 35 affects the calculation of the running path. - 特許庁

このターゲット製造方法は、スパッタリングによって無機物の膜を形成する際に用いられるターゲットを製造する方法において、金属製の基材及びターゲット材料の粉末を用意する工程（ａ）と、ターゲット材料の粉末をガス中に分散させることによりエアロゾルを生成し、生成されたエアロゾルをノズルから基材に向けて噴射することにより基材上にターゲット材料を堆積させる工程（ｂ）とを具備する。例文帳に追加

This method for producing the target which is used for forming an inorganic film with a sputtering technique comprises the steps of: (a) preparing a metal substrate and a powder of the target material; and (b) producing an aerosol by dispersing the powders of the target material into a gas and depositing the target material on the substrate by spouting the produced aerosol onto the substrate from a nozzle. - 特許庁

少なくとも１つの基板を支持するための長手方向軸を持つコンベヤと、少なくとも１つの基板上に反応生成物の層を堆積するためのそれぞれ少なくとも１つのプラズマトーチを持つ少なくとも２つのモジュールと、前記コンベヤと前記少なくとも２つのモジュールとを含むチャンバと、排気システムとを備え、前記少なくとも１つのプラズマトーチは、少なくとも１つの基板から離れて置かれている、太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置。例文帳に追加

A plasma deposition apparatus for manufacturing solar cells comprises: a conveyor having a longitudinal axis for supporting at least one substrate; at least two modules each having at least one plasma torch for depositing a layer of a reaction product on the at least one substrate and located a distance from the at least one substrate; a chamber containing the conveyor and the at least two modules; and an exhaust system. - 特許庁

本発明は、鰹節だし成分を含有する抽出だしを製造するにあたり、だしの抽出をドリップ抽出法により行うと共に、抽出原料堆積層通過後に滴り出るドリップ抽出液のｐＨが４．４未満もしくは５．１より大きい値になるように調整することを特徴とする、鰹節だし成分を含有する抽出だしの製造方法；前記方法で得られる抽出だし；さらに前記抽出だしを含有するつゆ類を提供する。例文帳に追加

The method for producing the extracted stock containing the ingredients of dried bonito stock includes performing a stock extraction by a drip extraction method and controlling the pH of a drip extract solution dripped after passing through an extraction raw material accumulation layer to a value lower than 4.4 or larger than 5.1, and the extract stock obtained by the method and further a soup containing the extract stock are provided. - 特許庁

支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも１層の該輝尽性蛍光体層が気相法（気相堆積法ともいう）により５０μｍ〜１０ｍｍの膜厚を有するように形成され、該輝尽性蛍光体層中に主成分である輝尽性蛍光体とは異なるアルカリ金属及びアルカリ土類金属化合物を１０〜１０００ｐｐｍ含有することを特徴とする放射線像変換パネル。例文帳に追加

The radiation image converting panel has one or more stimulable phosphor layers on a support, among which at least one is formed by the vapor phase method (called also a vapor phase deposition method) so that its film thickness is 50 μm-10mm, and the stimulable phosphor layers contain 10-1000 ppm alkali metal and alkali earth metal compound, different from the stimulable phosphor which is the major component. - 特許庁

超音波用探触子は、音響整合層１１と、音響整合層の上層に形成された第１の電極１２と、第１の電極が形成された音響整合層に向けて、圧電性を有する材料の粉体をノズルから噴射して堆積させることによって第１の電極の上に形成された圧電素子層１３と、圧電素子層の上に形成された第２の電極と、第２の電極の上層に形成されたバッキング層１４とを含む。例文帳に追加

The ultrasonic wave probe is provided with a sound matching layer 11, a first electrode 12 formed on a layer above the sound matching layer, a piezoelectric element layer 13 formed on the first electrode by injecting and depositing powder of a material having piezoelectricity from a nozzle toward the sound matching layer where the first electrode is formed, a second electrode formed on the piezoelectric element layer and a backing layer 14 formed on the second electrode. - 特許庁

雰囲気ガス中のレーザーアブレーションにより雰囲気ガス圧力を制御して製造したナノメートルサイズのカーボン粒子を中心に形成された多孔質構造を有する担体を形成する工程と、雰囲気ガス中のレーザーアブレーションにより製造し、ガス流中で微分型電気移動度分級法により粒径制御したナノメートルサイズの触媒粒子を堆積する工程を設け、担体の形成と触媒粒子の坦持を同時に行う工法である。例文帳に追加

The method comprises a step of forming the carrier having the porous structure mainly formed of the carbon nano particle of nanometer size manufactured by controlling the atmospheric gas pressure by means of a laser ablation in the atmospheric gas and a step of depositing the catalyst particle of nanometer size of which the particle size is controlled by the differential type electromigration classification method in the gas flow to simultaneously conduct the formation of the carrier and the supporting of the catalyst particle. - 特許庁

ホッパーからロールフィーダを介して切り出された焼結原料を傾斜した装入シュート上を滑走させパレットに装入する焼結機の原料装入装置において、パレットに装入された焼結原料層に充分な粒度偏析を持たせることができるようにすると共に、パレット上に焼結原料を装入するシュートに焼結原料が付着堆積するのを防止し、焼結原料のスムースな装入を行うことができる焼結機の原料装入装置を提供する。例文帳に追加

To bring a sufficient grain size segregation to a sintering material layer charged to a pallet, to prevent the sintering material from attaching and accumulating on a chute to charge the sintering material into the pallet, and to smoothly charge the sintering material, in a material charging device of a sintering machine for charging the sintering material cut out from a hopper through a roll feeder to the pallet in a state of sliding on the inclined charging chute. - 特許庁

長尺母材の長手方向に複数並ぶガラス微粒子合成バーナー１３で合成したガラス微粒子を、回転している母材１の側壁面に吹き付けながら、長手方向に複数ガラス微粒子合成バーナーが並ぶ間隔程度の距離を往復移動する多孔質ガラス母材の製造方法において、ガラス微粒子合成バーナー１３の列の両端に並べられた酸水素炎バーナー１４をともに前記往復移動させつつ、酸水素炎バーナー１４によりガラス微粒子が堆積しつつある長尺母材の両端部を加熱する。例文帳に追加

The method of producing a porous glass preform comprises moving reciprocally a plurality of glass burners 13 for synthesizing glass particulates that are lined up in the longitudinal direction of a long-sized preform, approximately the same distance as the glass burners 13 are lined up, while blowing to a side wall surface of a rotating preform 1 the glass particulates synthesized in the plurality of the glass burners 13 for synthesizing the glass particulates. - 特許庁

タンデムカラー方式にて、各色のクリーニング装置からクリーニングトナーを１つのトナー回収容器へ回収していく方式では４色のクリーニングトナーが山積み状態で堆積するので各色トナーのフル状態を個々の検出手段で検出したり、クリーニングトナーの全体発生量以上の容量を余分に確保する必要がありコスト及び空間の有効利用の観点から非効率的である。例文帳に追加

To solve the problem that a system where cleaning toners are recovered from cleaning devices of respective colors to one toner recovery vessel in the tandem color system is inefficient with respect to cost and effective user for a space because cleaning toners of four colors are accumulated mountain-high and it is necessary to detect the full states of respective color toners by individual detection means or to excessively reserve a capacity larger than the entire generation quantity of cleaning toners. - 特許庁

一実施態様において、組成物は、相変化メモリ及び光起電デバイス向けの、ゲルマニウムテルル（ＧｅＴｅ）、アンチモンテルル（ＳｂＴｅ）、アンチモンゲルマニウム（ＳｂＧｅ）、ゲルマニウムアンチモンテルル（ＧＳＴ）、インジウムアンチモンテルル（ＩＳＴ）、銀インジウムアンチモンテルル（ＡＩＳＴ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）又は他のテルル及びセレン系の金属化合物を堆積させるために用いられる。例文帳に追加

In one embodiment, the compositions are used to deposit Germanium Tellurium (GeTe), Antimony Tellurium (SbTe), Antimony Germanium (SbGe), Germanium Antimony Tellurium (GST), Indium Antimony Tellurium (IST), Silver Indium Antimony Tellurium (AIST), Cadmium Telluride (CdTe), Cadmium Selenide (CdSe), Zinc Telluride (ZnTe), Zinc Selenide (ZnSe), Copper indium gallium selenide (CIGS) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices. - 特許庁

基板上に多結晶膜を形成する方法であって、前記基板を提供する工程と、前記基板の上にアモルファスシリコン膜を堆積する工程と、横方向結晶化プロセスを使用して前記アモルファスシリコン膜をアニーリングし、主に＜１００＞の結晶学的配向を有する多結晶膜を生成する工程と、前記多結晶膜を研磨してさらなるプロセスのための膜を調製する工程とを包含する、方法。例文帳に追加

A method for forming a polycrystalline film on a substrate comprises a step for providing the substrate, a step for depositing an amorphous silicon film on the substrate, a step for annealing the amorphous silicon film using a lateral direction crystallization process to create a polycrystalline film principally having a crystallographic orientation of <100>, and a step for polishing the polycrystalline film to prepare a film for further process. - 特許庁

イオン性高分子４２及び非イオン性高分子を含有する高分子電解質膜４１のイオン性高分子４２上に電極が選択的に形成されている電解質膜・電極接合体の製造方法は、電極を形成する電極触媒４３を含有する液体中に、高分子電解質膜４１を浸漬し、膜厚方向に電界を印加することにより、電極触媒４３をイオン性高分子４２上に選択的に堆積させる工程を有する。例文帳に追加

This manufacturing method of this electrolyte membrane-electrode assembly with an electrode selectively formed on an ionic polymer 42 of a polymer electrolyte membrane 41 containing the ionic polymer 42 and a non-ionic polymer has a process for immersing the polymer electrolyte membrane 41 in a liquid containing the electrode catalyst 43 for forming the electrode and for selectively depositing the electrode catalyst 43 on the ionic polymer 42 by applying an electric field in the membrane thickness direction. - 特許庁

基板上に少なくともソース領域およびドレイン領域に接続するチャネル領域と、該チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対峙するゲート電極とを備える薄膜トランジスタの製造方法において、前記ゲート絶縁膜の形成工程は、前記基板２０５をプラズマ発生させるための電極２０３上に押さえ部材２０６により固定した状態で、プラズマ化学気相堆積法によりシリコン酸化物を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing a thin film transistor having a channel region connected to at least a source region and a drain region and a gate electrode opposite to the channel region through a gate insulation film on a substrate, the process of forming the gate insulation film is to form a silicon oxide by the plasma chemical vapor deposition method with the substrate 205 fixed by a retaining member 206 above plasma generating electrodes 203. - 特許庁

流下溶融スラグ１を衝突させる回転ドラム３と、この回転ドラム３への前記流下溶融スラグ１の衝突点又は衝突点近傍に、ステンレススラグ粉を混合したガス体を吹き付けるノズル４と、このノズル４から吹き付けられた前記ガス体によって微小液滴に分散・飛翔させられ、自己表面張力で球形になった風砕スラグ粒子の落下位置に配置され、前記風砕スラグ粒子を受けるステンレススラグ粉６を堆積させた受粒面５と、この受粒面５の排出側に設置され、受粒面５から一緒に排出された前記風砕スラグ粒子（製品１０）とステンレススラグ粉６を分級する分級装置を備えた構成である。例文帳に追加

The effects of this device is that the slag grains are prevented from mutual fusion bonding at the time of manufacturing, storing, and transporting, and more perfect spherical air granulated grain can be obtained. - 特許庁

横断面が概略十字形のタイロッドと、概略Ｕ字形の横断面形状を有し、内部に中性子吸収材を内包するシース４を備えた沸騰水型原子炉用制御棒のクラッド付着検出方法であって、複数の電極を備えるセンサプローブ８を用いて、前記シース内面のクラッド付着量を前記シースの外面から電気化学的に計測することによって、シース４と中性子吸収材５の間の隙間部に堆積した腐食生成物等の量を検出することができる。例文帳に追加

The control rod for boiling water reactors includes a tie rod having a substantially cross-shaped cross section, and a sheath 4 having a substantially U-shaped cross section and including a neutron absorber in the inside thereof. - 特許庁

積み上げソース／ドレインＣＭＯＳデバイスを製造する方法は、シリコン基板を準備する工程と、ゲート酸化物層を堆積させる工程と、ゲートプレースホルダーを形成する工程と、積み上げソース／ドレイン領域を形成する工程と、上記積み上げソース／ドレイン領域中でイオンの注入、活性化および拡散を行なって、ソース領域およびドレイン領域を形成する工程と；上記ゲートプレースホルダーとゲート材料とを取り換える工程とを含む。例文帳に追加

A method of fabricating a raised source/drain CMOS device, includes preparing a silicon substrate; depositing a layer of gate oxide; forming a gate placeholder; forming a raised source/drain region; implanting, activating and diffusing ions in the raised source/drain region to form a source region and a drain region; and replacing the gate placeholder with gate material. - 特許庁

六フッ化硫黄と、酸素および亜酸化窒素からなる群から選択された酸素含有化合物とを含むガス混合物を、リモートプラズマ源６６に導入するステップと、ガス混合物の一部分をイオンに解離するステップと、それらの原子をチャンバ２０２の処理領域２１２に移送するステップと、インシチュプラズマを与えるステップと、イオンとの反応によって、チャンバ内から堆積物を洗浄するステップとを含む方法。例文帳に追加

The method includes the steps of introducing into a remote plasma source 66 a gas mixture including sulfur hexafluoride and an oxygen-containing chemical compound selected from a group composed of oxygen and nitrogen monoxide, dissociating a portion of the gas mixture into ion, transferring their atoms into a processing region 212 of a chamber 202, providing in situ plasma, and rinsing out a deposit from the chamber through ionic reaction. - 特許庁

また、回収容器２５内において流入口２５３の下方側で、しかも自由落下する廃トナーＴから水平方向（＋Ｙ）に外れた位置に回動軸２６２が設けられるとともに、その回動軸２６２にフラップ２６３が取り付けられており、自由落下してきた廃トナーＴの堆積量の増加に伴ってフラップ２６３が方向Ｒに回動変位し、それをフォトインタラプタで検知して廃トナーの満杯状態を検知する。例文帳に追加

In the collection container 25, a rotary shaft 262 is provided below the intake 253 and horizontally (+Y) off the waste toner T which freely falls and fitted with a flap 263; as the amount of deposits of the freely falling toner T increases, the flap 263 is displaced by rotating as shown by R and a photointerrupter detects that to detect the fullness state of the waste toner. - 特許庁

半導体基材内に異材料層が配置された半導体素子を製造するための方法であって、対向し合う２つの各側壁と底部とを有するトレンチを上記半導体基材内に作成する工程と、上記トレンチの上記２つの各側壁のうちの第１の側壁に異材料層を作成する工程と、上記トレンチの上記２つの各側壁のうちの第２の側壁および底部に半導体材料をエピタキシャルに堆積することによって上記トレンチを充填する工程とを含んでいる方法。例文帳に追加

The method for producing a semiconductor element having the foreign material layer disposed in the semiconductor body includes the steps of: producing a trench having two opposite sidewalls and a bottom in the semiconductor body; producing the foreign material layer on a first one of the two sidewalls of the trench; and filling the trench by epitaxially depositing a semiconductor material onto the second one of the two sidewalls and the bottom of the trench. - 特許庁

ジェットエンジンの堆積物量の低減方法であって、該方法が、ジェットエンジンに、ジェット燃料及び少なくとも一つのヒドロカルビル櫛型ポリマーを含むジェット燃料組成物を供給することを含み；少なくとも一つのヒドロカルビル櫛型ポリマーの数平均分子量が、ポリスチレン標準に対してゲル浸透クロマトグラフィにより測定した場合、5,500未満、好ましくは5,000未満であることを特徴とする、上記方法。例文帳に追加

The method for reducing deposits in a jet engine comprises supplying to the jet engine a jet fuel composition comprising a jet fuel and at least one hydrocarbyl comb polymer, wherein at least one hydrocarbyl comb polymer has a number average molecular weight, as measured by gel permeation chromatography against polystyrene standards, of less than 5,500, preferably less than 5,000. - 特許庁

ここに記載される改良された炭素ビーム蒸着チャンバー４０は、チャンバーの開口プレート２０の外側表面上での炭素膜の堆積を大幅に減少させることにより、システム洗浄やハードウェアの交換が必要になる前の処理可能なディスク枚数を大幅に増加させることができ、又、コーティングされたディスク４４におけるディスク欠陥を大幅に減少させて、炭素銃１０の生産性を実質的に増加させるものである。例文帳に追加

The improved carbon beam deposition chamber described herein substantially reduces the accumulation of a carbon film on the outer surfaces of the chamber aperture plates, thereby substantially increasing the number of disks which can be processed before system cleaning or hardware replacement is required, thereby to substantially reduce disk failure for coated disks 44 and substantially increase carbon gun 10 productivity. - 特許庁

チタンベースバリアメタル層を形成する方法は、基板を準備するステップであって、基板上にＩＣ素子を形成するステップを包含する、ステップと、約５容量％のテトラキス（メチルエチルアミノ）チタニウム（ＴＭＥＡＴ）および約９５容量％のオクタンの溶液を用いてチタンベースバリアメタルプリカーサを形成するステップと、ＭＯＣＶＤによって基板上にチタンベースバリア層を堆積させるステップとを包含する。例文帳に追加

The process for forming a titanium based barrier metal layer comprises a step for preparing a substrate, a step for forming an IC element on the substrate, a step for forming a titanium based barrier metal precursor using a solution of about 5 vol% of tetrax (methyl ethyl amino) titanium (TMEAT) and about 95 vol% of octane, and a step for depositing a titanium based barrier layer on the substrate by MOCVD. - 特許庁

化学蒸着システム１０は、入口３０及び出口３２を備えたハウジング１２を備え、下側及び上側ハウジング部分１６，１８によって構成される堆積チャンバ１４を有し、下側及び上側ハウジング部分１６，１８の水平結合部にシールアセンブリ２２を備え、水平結合部は前記入口３０及び出口３２の双方よりも高い位置にあり、前記入口３０は、コーティングされるガラスシート基板Ｇをチャンバ１４に導入し、前記出口３２は該コーティングガラスシート基板をチャンバ１４から出す。例文帳に追加

A chemical vapor deposition system 10 includes: a housing 12 having an entry 30 and an exit 32; and a deposition chamber 14 defined by lower and upper housing 16, 18 having a seal assembly 22 at their horizontal junction which is higher than both the entry 30 and the exit 32, through which glass substrates G to be coated are introduced and exited from the deposition chamber 14. - 特許庁

Ｃｕ配線２上に酸化膜３を堆積する工程と、前記酸化膜３をドライエッチングして、前記Ｃｕ配線２に通達するビアホールＨを形成する工程と、前記ビアホールＨ内にＤＩＷを供給する工程と、前記ＤＩＷを供給した後に、前記ビアホールＨ内に燐酸アンモニウムを供給する工程と、前記燐酸アンモニウムを供給した後に、前記ビアホールＨ内に導電材料５を埋め込む工程とを含む。例文帳に追加

This manufacturing method of the semiconductor device comprises the steps of depositing an oxide film 3 on Cu wiring 2, forming a via hole H reaching the Cu wiring 2 by dry-etching the oxide film 3, supplying DIW into the via hole H, supplying ammonium phosphate into the via hole H after supplying the DIW, and filling the via hole H with an electrically conductive material 5 after supplying the ammonium phosphate. - 特許庁

そのセラミックス製成形体の製造方法は、セラミックス及び／又はその前駆体粒子を分散し、酸性リン酸エステル及びポリエチレンイミンを含有する有機溶媒分散液中で、成形型に導電層を形成した所望の形状の成形体用電極を用いて、電気泳動により前記電極にセラミックス及び／又はその前駆体粒子を堆積させて成形体前駆体を形成し、次いで前記前駆体を焼結させることを特徴とする。例文帳に追加

In the method for producing the ceramic molded article: a ceramic and/or a precursor particle thereof is dispersed; using a desired form of molding electrode in which a conductive layer is formed in a mold, the ceramic and/or precursor particle is deposited onto the electrode by electrophoresis to form a precursor of molded article in an organic solvent-dispersed liquid containing an acidic phosphate and polyethylenimine; and then the precursor is sintered. - 特許庁

特別加入している建設業の一人親方等が復旧復興作業に伴う工作物の現状回復の事業（除染を目的として行われる高圧水による工作物の洗浄や側溝に溜まった堆積物の除去等を含む。）に従事する際に被った災害を労災保険による補償の対象とする労働者災害補償保険法施行規則の一部を改正する省令が公布されたことに伴い、その内容について都道府県労働局あて通知例文帳に追加

The ordinance provides that when one masters in the construction industry, covered by the special enrollment insurance, incur accidents while restoring workpieces to the original state, as part of recovery and reconstruction work (such as washing the workpieces by high-pressure water for the purpose of decontamination and removing deposited materials piled up in gutters) they are covered by the workers' accident compensation insurance. - 厚生労働省

この積層構造体は、複数の柱状構造物が所定の配列で配置された基板を用いて製造される積層構造体であって、複数の柱状構造物の内の第１群の柱状構造物の周囲を除く基板又は絶縁層上に導電材料を成膜することにより形成された第１の電極層１１と、第１の電極層が形成された基板に絶縁原料の粉体を吹き付けて堆積させることにより形成された絶縁層１０と、複数の柱状構造物の内の第２群の柱状構造物の周囲を除く絶縁層上に導電材料を成膜することにより形成された第２の電極層１２と、少なくとも第１の電極層と絶縁層と第２の電極層とが形成された基板から複数の柱状構造物を除去することによって形成された空孔に導電材料を充填して形成された複数の配線１３及び１４とを含む。例文帳に追加

The laminated structure is manufactured using a substrate on which a plurality of columnar structures are arranged in a prescribed array. - 特許庁

バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ（特にＭＯＳトランジスタ）を同一基板上に形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板１上の全面に絶縁膜１６を形成する工程と、ＭＯＳトランジスタ部分の絶縁膜１６に開口を設け、開口底部にゲート絶縁膜２２を形成する工程と、少なくともＭＯＳトランジスタを被覆するレジスト２３を形成する工程と、バイポーラトランジスタ部分の絶縁膜１６にＲＩＥを行い、開口側壁に高分子膜を堆積させながら開口を設ける工程と、前記高分子膜を除去する工程と、バイポーラトランジスタおよびＭＯＳトランジスタの開口内に導電体層２４を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。例文帳に追加

A bipolar transistor and a field effect transistor (especially a MOS transistor) are formed on the same substrate. - 特許庁

石灰質や珪酸等からなる各種ネクトン、プランクトン、藻類、海藻等が埋没して堆積し、腐植溶性を帯びた結晶体である貝化石を有効成分としてなり、動物の排泄物及び飼料がもたらす有機物負荷を専ら逓減する環境汚染負荷の逓減につながる添加物によって、そのミネラルを動物が吸収し生理活性が高まり、良好な健康状態が保持されて飼料中の肉や血となる成分が充分に消化吸収され、排泄物に残る有機物が減少し、有機物負荷が少なく且つ排泄物自体の分解能が高いから、莫大な費用をかけないで、水域に於ける養殖漁場及び陸上における飼育場の環境汚染を減らすことが出来る。例文帳に追加

This additive comprises seashell fossil which is a crystal having soluble humus produced by accumulation of buried various nektons comprising calcareous, silicic acid or the like, planktons, algae or the like, as the active component and successively reduces the organic load of animal feces on environment and feeds. - 特許庁

シリカ源原料ガス、水素ガス及び酸素ガスをバーナーから反応域に供給するに際し、シリカ源原料ガスにケイ素以外の元素を含む化合物のガスを混合してバーナーの同一ノズルより供給し、上記反応域において火炎加水分解反応によりケイ素以外の元素を添加したシリカ微粒子を生成させるとともに、上記反応域に配置された回転可能な基材に上記シリカ微粒子を堆積させてケイ素以外の元素を含む多孔質シリカ母材を作製し、同多孔質シリカ母材を加熱ガラス化する合成石英ガラスの製造工程において、シリカ源原料ガスのケイ素に結合した官能基がすべて同一であり、かつケイ素以外の元素を含む化合物のガスの該元素に結合した官能基がシリカ源原料ガスのケイ素に結合した官能基と同一であることを特徴とするドープ合成石英ガラスの製造方法。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a synthetic quartz glass capable of stably doping elements other than silicon. - 特許庁