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堆積を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 11987



例文

乾燥槽と通風槽から成る本体槽を一方に傾倒させて乾燥槽に収容堆積した穀物を容易に搬出することができるとともに、本体槽を水平姿勢から傾倒姿勢まで常に架台上に支持される状態を保って姿勢の安定を図り、作業性と安全性をともに向上させることができる穀物乾燥装置を提供する。例文帳に追加

To provide a grain dryer capable of easily feeding out the grain accommodated and accumulated in a drying tank by tilting a body tank composed of the drying tank and a ventilating tank, to one side, stabilizing an attitude by keeping a state that the body tank is constantly supported on a frame from its horizontal attitude to the tilted attitude, and improving the workability and safety. - 特許庁

基板1上にゲート電極6、ゲート電極カバー窒化膜5、窒化膜サイドウォール8を形成し、基板表面領域内にn^-型半導体領域7、n^+型半導体領域拡散層9を形成した後、全面にポリシリコンを堆積しエッチバックしてゲート電極間にポリシリコンを埋め込む。例文帳に追加

A gate electrode 6, a gate electrode cover nitride film 5, and a nitride film side wall 8 are formed on a substrate 1, an n--type semiconductor region 7 and a n+-type semiconductor region diffusion layer 9 are formed on the surface region of the semiconductor 1, a polysilicon layer is deposited on all the surface and etched back, and polysilicon is filled in a gap between the gate electrodes. - 特許庁

導電膜15、窒化膜17、導電膜18、および層間絶縁膜19を堆積し、ビットコンタクト形成領域を開孔した後、層間絶縁膜19と同一の膜から成るサイドウォール21を形成することによって、パッド上の層間絶縁膜19のエッチングを自己整合で行なう。例文帳に追加

A conductive film 15, a nitride film 17, a conductive film 18, and an interlayer insulating film 19 are deposited, a hole is bored in a bit contact forming region, and a side wall 21 formed of the same film with the interlayer insulating film 19 is provided, whereby the interlayer insulating film 19 on the pad is etched in a self-aligned manner. - 特許庁

一定回転角速度で回転するターンテーブル5上の回転中心Cを中心とした円周位置に基板11を配置し、ターンテーブル5を回転させながらバーナ6をターンテーブル5の径方向に往復移動して基板11上を往復させ、バーナ6から噴出するガス等により形成されるクラッドとコアの微粒子を基板11上に堆積する。例文帳に追加

Substrates 11 are arranged at circumferential position around the center C of rotation of a turntable 5 which rotates at a fixed rotating angular speed and while the turntable 5 is rotated, a burner 6 is moved reciprocally in the radial direction of the turntable 5 and is reciprocally moved over the substrates 11 to deposit particulates of a clad and a core formed with gas, etc., jetted from the burner 6 on the substrates 11. - 特許庁

例文

並置された複数の導波管と、壁面で囲まれた処理室にヘリウムを含む反応性気体を供給し、処理室内の圧力を大気圧若しくは準大気圧に保持しつつ、並置された導波管で挟まれた空間にマイクロ波を供給してプラズマを生成し、処理室内に載置された基板上に微結晶半導体でなる微結晶半導体層を堆積する。例文帳に追加

A reactive gas containing helium is supplied to a treatment chamber surrounded by a plurality of juxtaposed waveguides and a wall surface, microwaves are supplied to a space that is interposed between the juxtaposed waveguides to generate plasma while the pressure of the treatment chamber is held at an atmospheric pressure or a sub-atmospheric pressure, and a microcrystalline semiconductor layer made of a microcrystalline semiconductor is deposited over a substrate placed in the treatment chamber. - 特許庁


例文

一対の導入線間のステム上に飛散物が連続的に付着して堆積することを阻止し、一対の導入線間の短絡などに伴う異常放電の継続を抑制すること、ひいては透光性放電容器が溶融、破損することや過大電流が流れつづけることを防止すとともに、光束立ち上り特性を向上することができる蛍光ランプを提供する。例文帳に追加

To provide a fluorescent lamp in which continuation of abnormal discharge due to short circuit between a pair of lead wires is suppressed by preventing continuous adhesion and deposition of the scattering object on the stem of the pair of lead wires, and melting and breakage of the translucent discharge container and continuous flow of over current are prevented, and the start-up characteristics of the light flux can be improved. - 特許庁

汚泥回収装置は沈殿池1の池底aに堆積した汚泥Aをピット12へ導いて回収するためのものであり、沈殿池1の池底aに沿って水を噴射してピット12へ向かう水流を生じさせる複数の噴水ノズル2と、各噴水ノズル2に水を供給する給水機構4とから成るものである。例文帳に追加

The sludge recovery equipment for guiding sludge A deposited on the bottom (a) of a sedimentation pond 1 to a pit 12 and recovering the sludge is composed of a plurality of fountain nozzles 2 which inject water along the bottom (a) of the sedimentation pond 1 and form a water stream heading toward a pit 12 and a water feeding mechanism 4 which supplies water to the respective nozzles 2. - 特許庁

ガラス微粒子を出発母材へ堆積させる複数のバーナーを具備する多孔質ガラス母材の製造装置であって、バーナーを第1移動速度で往復移動する第1移動軸と、第1移動軸を第2移動速度で往復移動する第2移動軸とを具備し、バーナーの往復移動の折返し位置を移動させることが可能とされている製造装置。例文帳に追加

The production device of the porous glass base material is provided with a plurality of burners for accumulating the fine particles of glass on the starting base material, the first movement axis used for reciprocating the burners at the first speed, the second movement axis used for reciprocating the first axis at the second speed and a means for shifting the turning positions of the burners. - 特許庁

このパターン修正装置では、基板加熱部6のヘッド部6bを挿入して固定するための孔50dを有する保持部材50bと、堆積装置5に固定され、保持部材50bを介してヘッド部6bを斜めに保持し、レーザスポットを塗布ノズル30の直下の点Fに位置させる支持部本体50aとを備える。例文帳に追加

This pattern correcting device includes a holding member 50b having a hole 50d for inserting and fixing the head part 6b of a substrate heating part 6, and a support part body 50a which is fixed to a deposition device 5, obliquely holds the head part 6b through the holding member 50b, and positions a laser spot at the point F right below the application nozzle 30. - 特許庁

例文

高圧の排ガスを若干昇圧して水熱反応器内に再投入し、水熱反応器内の塩パージや冷却等の様々な用途に使用するため、堆積物や腐食性ガスの排出を低エネルギ消費で行うことができる他、耐圧容器を安価な材料で構成することができ、水熱反応装置の経済性を向上させる。例文帳に追加

The high pressure exhaust gas, after being somewhat compressed, is re-charged into the hydrothermal reactor to be used in various applications such as purging salts in the hydrothermal reactor and cooling, so that deposit and the corrosive gas can be discharged at low energy consumption, the pressure container can be constituted of an inexpensive material, and the economical properties of the hydrothermal reaction apparatus can be improved. - 特許庁

例文

通気性の筒状の濾材2で囲まれる空間に繊維を含む原料スラリーを供給した後又は供給しながら、前記原料スラリーに遠心力を作用させて該原料スラリー中の固形成分を含む湿潤状態の筒状の繊維積層体10を濾材2の表面に堆積させ、しかる後、該繊維積層体を乾燥させて筒状抄造体を得る。例文帳に追加

The cylindrical paper-made body is obtained by accumulating a cylindrical fiber laminate 10 in a wet state including solid components in a raw material slurry by applying a centrifugal force to the raw material slurry, on the surface of a filter material 2 after or while feeding the raw material slurry containing fiber to a space surrounded by the air-permeable cylindrical filter material 2, and drying the fiber laminate obtained thereby. - 特許庁

反射膜3aは、高分子分散剤によって保護された光反射性ナノ微粒子もしくは光散乱性ナノ微粒子からなるコロイド粒子を溶質とし、アルコールを溶媒とするコロイド溶液を用い、この溶媒が揮発するときにコロイド粒子が相互に接触して堆積するように形成した。例文帳に追加

The reflection film 3a is formed by using the colloidal solution formed by using colloidal particles consisting of light reflection nano fine particles or light scattering nano fine particles protected by a polymer dispersant as a solute and alcohol as a solvent so that the colloidal particles come in contact with each other to be accumulated when the solvent is volatilized. - 特許庁

第六十五条 第六十二条第一項の規定による告示又は新たな事業地の編入に係る第六十三条第二項において準用する第六十二条第一項の規定による告示があつた後においては、当該事業地内において、都市計画事業の施行の障害となるおそれがある土地の形質の変更若しくは建築物の建築その他工作物の建設を行ない、又は政令で定める移動の容易でない物件の設置若しくは堆積を行なおうとする者は、都道府県知事の許可を受けなければならない。例文帳に追加

Article 65 (1) After the public notice pursuant to the provision of Article 62 paragraph (1), or the public notice pursuant to the provision of Article 62 paragraph (1), as applied mutatis mutandis pursuant to Article 63 paragraph (2) pertaining to inclusion of new project sites have been made, if, within the relevant project sites, any person intends to change the shape or character of land or build a building or construct other structure which may hinder the execution of city planning projects, or to set up or pile up any kind of the articles not readily movable specified by Cabinet Order, they shall obtain the permission of the prefectural governor.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

本発明の樹脂成形品は、(a)基板上へのレジスト層の形成、(b)マスクとレジスト層のギャップを設定、(c)マスクを用いたレジスト層の露光、(d)レジスト層の現像を行い、所望のレジストパターンを形成する、レジストパターン形成ステップと、前記レジストパターンにしたがって、前記基板上に金属構造体をメッキにより堆積させる金属構造体形成ステップと、前記金属構造体を型として、樹脂成形品を形成する成形品形成ステップによって製造される。例文帳に追加

The manufacturing method for the resin molded product has a step for forming a metal structure and a step for forming the resin molded product using the metal structure as a mold. - 特許庁

そして、ターボチャージャー10のタービン10bの下流側に設けられた前段酸化触媒13と、前段酸化触媒13の下流側に設けられた後段酸化触媒14と、後段酸化触媒14の下流側に設けられたパティキュレートフィルタ15と、パティキュレートフィルタ15に堆積したパティキュレートを酸化して除去するフィルタ再生処理に必要な燃料を供給するインジェクタ5とを備え、前段酸化触媒13は、ディーゼルエンジン2のアイドル運転時における空間速度が175,000(1/h)以下となるように容量が設定されている。例文帳に追加

The prior stage oxidation catalyst 13 is set in its volume so that space velocity during idling operation of the diesel engine 2 is 175,000 (1/h) or less. - 特許庁

本発明の課題は、除去すべき酸性化合物に対して使用される塩基の最小限のモル過剰量でもって実施でき、有機相及び水相の分離の間の相反転の危険性無しに安定な操作が保証され、固形物の堆積、汚れ及び/又は蒸留の間の急な粘度上昇といった問題が回避されるように、フェノール性ヒドロキシル基を有する化合物の分離を塩基を用いた処理により可能にする芳香族アミンの製造及び精製のための方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method for producing and purifying an aromatic amine, which can be put into practice with a minimum excess molar amount of a base used against acidic compounds to be removed and can be practiced by avoiding or overcoming difficult problems in the production. - 特許庁

本発明の実施例によるライナ除去方法は、基板内に溝を形成する工程、前記溝内部にコンフォーマルなライナを堆積する工程、前記溝をバルク充填材料で充填する工程;及び、前記バルク充填材料の露出表面上への保護層の形成及び前記コンフォーマルなライナのエッチングを交互に実行することによって前記コンフォーマルなライナの余剰部分を選択的に除去する工程を有する。例文帳に追加

The liner removing method includes the steps of: forming a groove in a substrate; stacking a conformal liner in the groove; packing the groove with the bulk packed material; and selectively removing an excessive part of the conformal liner by alternately forming a protective layer on the exposed surface of the bulk packed material and etching the conformal liner. - 特許庁

貫通穴を目詰まりさせることなく、ガス供給電極の表面に粗面化することができ、また、貫通穴を加工する際に、穴の位置がずれたり、ドリルが破損したりすることがなく、これにより、成膜を行う際に、電極の表面に堆積した成膜物が電極から剥離して基板に付着することを抑制でき、また、安定したガス供給を行なうことができ、高品質な膜を形成することができるガス供給電極の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a gas supply electrode capable of preventing a through-hole from clogging, roughening a gas supply electrode surface, preventing a positional shift of the through-hole and a breakage of a drill while processing the through-hole to suppress film-forming substance adhesion to a substrate after being pelt off from the electrode, supplying gas stably, and forming a high quality film. - 特許庁

異なるサイズの用紙の使用に際して、2つの給紙カセットの切替が容易であり、且つサイズの小さい用紙を堆積させる第2給紙カセットが第1給紙カセットの給紙位置にセットした状態でなければ、給送作用ができないようにし、第1給紙カセットと第2給紙カセットとを一体的に出し入れ動作するのに応じて給紙手段が自動的に昇降でき、操作が簡単な給紙装置を提供する。例文帳に追加

To provide an easy-to-operate paper feeder including two feed cassettes easily switchable when using different-size papers, for prohibiting feeding operation unless a second feed cassette for accumulating small-size papers is set on the feed position of the first feed cassette, and for permitting automatic up-and-down movement of a feed means depending on the integral in/out operation of the first feed cassette and the second feed cassette. - 特許庁

正の固有複屈折を有するアクリル重合体と負の固有複屈折を有するスチレン系重合体とを含む、負の固有複屈折を有する熱可塑性樹脂組成物であって、溶融押出成形時(例えば、溶融押出成形による当該組成物からのフィルム形成時)に、当該組成物に含まれる成分の蒸散ならびに押出成形に使用する装置(例えば、フィルム成形用ロール)への付着物の堆積が抑制された樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a thermoplastic resin composition having negative intrinsic birefringence and comprising an acrylic polymer having positive intrinsic birefringence and a styrene polymer having negative intrinsic birefringence, wherein evaporation of a component contained in the composition and deposition of deposited material to a device to be used for extrusion molding (e.g., a film-forming roller) are suppressed during melt extrusion molding (e.g., during film formation from the composition by melt extrusion molding). - 特許庁

エピタキシャル成長炉2内に付着したシリコン堆積物を塩化水素含有ガスによりエッチング除去するクリーニング処理工程と、クリーニング処理工程に引き続き、エピタキシャル成長炉内にシリコンソースガスを供給してサセプタ表面にグレーンサイズが0.7μm〜0.3μmのポリシリコン膜を形成するポリシリコン成膜工程とを有することを特徴とするエピタキシャル成長方法である。例文帳に追加

The epitaxial growth method includes a cleaning treatment step of etching and removing a silicon deposit that adheres to the inside of an epitaxial growth furnace 2 by a hydrogen chloride containing gas, and a polysilicon depositing step of forming a polysilicon film having a grain size of 0.7 μm -0.3 μm on the surface of a susceptor by supplying a silicon source gas to the inside of the epitaxial growth furnace, following the cleaning process. - 特許庁

このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイド含有半導体物質、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)、発光ダイオード(LED);および、光応答デバイス(例えば、エレクトロフォトグラフィ(例えば、レーザープリンタおよびコピー機)、整流器、写真用露出計および太陽電池)、並びに、カルコゲナイド含有相変化メモリデバイスの製造に使用するための基体上にセレンを堆積する方法。例文帳に追加

Provided are methods of preparing the selenium ink and of using the selenium ink to deposit selenium on a substrate for use in the manufacture of a variety of chalcogenide containing semiconductor materials, such as, thin film transistors (TFTs), light emitting diodes (LEDs); and photo responsive devices (e.g., electrophotography (e.g., laser printers and copiers), rectifiers, photographic exposure meters and photo voltaic cells) and chalcogenide containing phase change memory devices. - 特許庁

このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイド含有半導体物質、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)、発光ダイオード(LED);および、光応答デバイス(例えば、エレクトロフォトグラフィ(例えば、レーザープリンタおよびコピー機)、整流器、写真用露出計および太陽電池)、並びに、カルコゲナイド含有相変化メモリ物質の製造に使用するための基体上にセレンを堆積する方法。例文帳に追加

Also provided are methods for producing the selenium ink and for using the selenium ink to deposit selenium on a substrate for use in the manufacture of a variety of chalcogenide-containing semiconductor materials, such as thin film transistors (TFTs), light emitting diodes (LEDs); and photoresponsive devices (e.g. electrophotography (e.g. laser printers and copiers), rectifiers, photographic exposure meters and solar cells) and chalcogenide-containing phase change memory materials. - 特許庁

具体的には、実施の形態1にかかる微結晶薄膜の成膜方法は、第1原料気体および第2原料気体を供給する原料供給工程と、上記の第1原料気体の供給を停止して第2原料気体のみを供給し、原料供給工程において供給された原料を基板上に成膜させる原料堆積工程とを含み、これらの工程を交互に繰り返すことによって高品質の微結晶薄膜を成膜する。例文帳に追加

Concretely, the method includes: a material supply step where the first and second material gases are supplied; and a material accumulation step where the supply of the first material gas is stopped, only the second material gas is supplied and the material supplied in the material supply step is formed into a film on a substrate, and the steps are repeated to form a high-quality microcrystal thin film. - 特許庁

基板上に磁気記録層を形成すること、該磁気記録層上に保護オーバーコート層を形成すること、該保護オーバーコート層の表面をパーフルオロシクロアルカン及び酸素を含む雰囲気に暴露すること、及び該パーフルオロシクロアルカンをプラズマ強化化学気相成長法を用いて重合して、該保護オーバーコート層上にパーフルオロポリエーテル含有層を堆積すること、を含む磁気記録媒体の製造方法。例文帳に追加

A method of manufacturing the magnetic recording medium includes steps of: forming a magnetic recording layer on a substrate; forming a protection overcoat layer on the magnetic recording layer; exposing the surface of the protection overcoat layer in an ambient atmosphere including perfluorocycloalkane and oxygen; and polymerizing the perfluorocycloalkane using a plasma enhanced chemical vapor deposition to deposit a layer including perfluoropolyether on the protection overcoat layer. - 特許庁

シリコン系薄膜光電変換装置は、順次積層された1導電型層104と、結晶配向性制御層116と、結晶質シリコン系薄膜光電変換層105と、逆導電型層106とを含み、その1導電型層104は、350℃以下の下地温度の下でプラズマCVD法によって堆積された非晶質シリコン膜がパルスレーザアニールによって結晶質化されたものであることを特徴としている。例文帳に追加

The silicon based thin film photoelectric converter comprises a one conductivity type layer 104, a crystal orientation control layer 116, a crystalline silicon based thin film photoelectric conversion layer 105 and a reverse conductivity type layer 106 laminated sequentially wherein the one conductivity type layer 104 is formed by crystallizing an amorphous silicon film, deposited by plasma CVD under temperature of 350°C, by pulse laser annealing. - 特許庁

また、本発明の電気化学電極の製造方法は、遷移金属酸化物ナノ結晶を作製する工程と、作製された遷移金属酸化物ナノ結晶の表面で酸化を促進し、表面の少なくとも一部を価数の異なる酸化膜で被覆する工程と、遷移金属酸化物ナノ結晶を導電性基材の上に略垂直方向に配列して堆積させることにより活性層を形成する工程と、を有する電気化学電極の製造方法とする。例文帳に追加

The manufacturing method of the electrochemical electrode comprises processes of: manufacturing the transition metal oxide nano-crystal; promoting oxidation on the surface of the manufactured transition metal oxide nano-crystal, and covering at least one part of the surface with oxide film different in valence number; and forming an active layer by depositing the transition metal oxide nano-crystal on the conductive base material in almost vertical direction. - 特許庁

シリカ製造原料ガス、水素ガス、酸素ガス及びフッ素化合物ガスをバーナーから反応域に供給し、この反応域においてシリカ製造原料ガスの火炎加水分解反応によりフッ素を含有したシリカ微粒子を生成させると共に、上記反応域に配置された回転可能な基材に上記シリカ微粒子を堆積させてフッ素含有多孔質シリカ母材を作製し、この多孔質シリカ母材をフッ素化合物ガスを含む雰囲気下で、加熱ガラス化することを特徴とする合成石英ガラスの製造方法。例文帳に追加

To provide a synthetic quarts glass at a low cost which has a uniform structure and a higher transmittance of vacuum ultraviolet rays than the conventional one. - 特許庁

基板上に単結晶の半導体材料の層を形成する方法に関し、この方法は、基板1を準備する工程と、基板上に少なくとも1つの半導体材料の単分子層2を含むテンプレートをエピタキシャル成長する工程と、テンプレート上に半導体材料のアモルファス層3を堆積する工程と、熱処理またはレーザアニールを行い、半導体材料のアモルファス層を、半導体材料の単結晶層に完全に変える工程とを含む。例文帳に追加

A method for forming a layer of a monocrystalline semiconductor material on a substrate, comprises: providing the substrate 1; growing epitaxially a template comprising at least one monomolecular layer 2 of a semiconductor material on the substrate 1; depositing an amorphous layer 3 of the semiconductor material on the template; and performing a thermal treatment or a laser anneal thereby completely converting the amorphous layer of the semiconductor material into a monocrystalline layer of the semiconductor material. - 特許庁

半導体製造工程等から排出される有害ガスの燃焼式除害装置において、固体粒子を発生する有害ガス成分を含む有害ガスを燃焼処理した場合であっても、装置が複雑になることなく、処理対象ガスの分解率の低下、不完全燃焼、あるいは失火の原因となるような固体付着物の堆積を抑制することができ、長時間にわたり安全で安定した燃焼状態が得られるような燃焼式除害装置を提供する。例文帳に追加

To provide combustion-type detoxifying equipment capable of suppressing solid adhesion which could cause reduction in the degradation rate of gas subject to treatment, incomplete combustion or accidental fire, attaining a safe and stable combustion condition over a long period of time, without being complicated even when combustion treatment of noxious gas containing noxious gas components which generate solid particles is performed in the combustion-type detoxifying equipment for noxious gas being discharged during semiconductor manufacture. - 特許庁

基板上に、規則的に配列した小孔アレイを形成し、前記基板を熱処理することにより、前記小孔アレイの配列に対応させて前記基板表面に原子ステップのネットワークを形成し、前記基板上に、前記基板とは異なる物質を堆積させることにより、前記ステップネットワークの分岐点あるいは湾曲部に前記基板とは異なる物質からなる微小島を形成することを特徴とする結晶成長制御法によって、上記課題を解決する。例文帳に追加

An array of regularly arranged small holes is formed on a substrate, the substrate his heat treated to form a network of atomic steps on the substrate surface corresponding to the small hole array, and a substance different from that of the substrate is deposited on the substrate to form micro- islands, made of the substance different from that of the substrate on the cross points or curved parts of the step network. - 特許庁

OVD法又はVAD法により作製したガラス微粒子堆積体を透明ガラス化する焼結工程、焼結後の焼結母材を所望の外径に延伸する延伸工程を経て作製されるガラス母材中の異物を検出する方法において、前記焼結工程及び延伸工程中のガラス母材が加熱されている状態で異物を検出することを特徴とするガラス母材中の異物検出方法。例文帳に追加

This method comprises detecting the foreign matter in the glass preform manufactured by undergoing a sintering process step for forming a glass particulate deposit made by an OVD process or VAD process into transparent glass and a stretching process step of stretching a sintered preform after sintering to a desired external diameter, in which the foreign matter is detected while the glass preform is kept heated during the sintering process step and the stretching process step. - 特許庁

シンチレータ材料の堆積に際して位置合せを行うための装置は、検出器アレイの不活性部分(56)上にはシンチレータ材料を付着させることなく検出器アレイの活性部分(54)をシンチレータ材料で被覆するように検出器アレイに対するマスクの適正な位置合せを可能にするため、検出器アレイ(50)及び下方のパレット・アセンブリ(80)上に確実に配置し得るように形成されたカバーマスク・アセンブリ(66)を含んでいる。例文帳に追加

A device for aligning when depositing a scintillation material includes a cover mask assembly 66 that is formed so that it can be reliably arranged on a detector array 55 and a lower pallet assembly 80 to appropriately aligning a mask for the detector array so that an active part 54 of the detector array can be covered with the scintillation material without gluing the scintillation material onto an inactive part 56 of the detector array. - 特許庁

薄膜電気光学偏向装置は、薄い強誘電性酸化物層を含むプレーナ光学導波路と、導電性基板及び導電性エポキシを含む第1の電極と、プレーナ光導波路に連結された第2の電極と、サポート基板と、サポート基板に堆積させられた第2の電極に付着されたクラッド層と、サポート基板及びクラッド層を通過し、第2の電極を外部電圧源へ接続する孔と、を有する。例文帳に追加

This thin film electro-optical deflector consists of a planar optical waveguide containing a thin ferroelectric oxide layer, a first electrode containing a conductive substrate and conductive epoxy, a second electrode connected to the planar optical waveguide, a support substrate, a clad layer adhered to the second electrode deposited on the support substrate, and a hole penetrating through the support substrate and the clad layer and connecting the second electrode to an external voltage source. - 特許庁

溶銑予備処理スラグや二次精錬スラグ、転炉スラグ等の製鋼スラグを強制的にエージングする製鋼スラグのエージング方法に関し、養生床上に堆積させた製鋼スラグのエージング処理斑を少なくして水浸膨張比を小さくすることができ、さらに同一ロット内やロット間における水浸膨張比のバラつきを小さくすることができ品質の安定性に優れる製鋼スラグのエージング方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of aging steel slag which relates to the forcible aging of steel slag such as hot metal pretreatment slag, secondary refining slag and converter slag, is capable of reducing the uneven aging and the immersion expansion ratio of the steel slag piled on a curing bed and decreasing the variation in the immersion expansion ratio within a lot and among the lots and producing a steel slag with stable quality. - 特許庁

コンクリート試験を行う際に、養生水槽内に置かれたコンクリート供試体に記載した文字が擦れたり、この文字が沈殿物の堆積や付着等により見えなくなった場合においても、このコンクリート供試体を簡易かつ正確に識別することができるコンクリート供試体の識別方法、及び、多数のコンクリート供試体から目的とするコンクリート供試体を簡易かつ正確に識別し取り出すことができるコンクリート試験方法を提供する。例文帳に追加

To provide an identification method for concrete test pieces simply and accurately even if the characters inscribed on the concrete test piece put in a curing water tank are rubbed out or become invisible due to accumulation and adhesion of deposits when conducting a concrete test, and to provide a concrete test method for identifying and taking out the desired concrete test piece from among many concrete test pieces simply and accurately. - 特許庁

遮蔽する波長成分を、所望のナノ微粒子19のエネルギーギャップに合わせておくことにより、当該ナノ微粒子19のみを選択的に残存させ、他サイズのナノ微粒子19を全て蒸発させることができる点に着目し、ナノ微粒子19に吸収される波長領域を含む光を、当該吸収される少なくとも一の波長成分のみ遮蔽して、基板13上に堆積されたナノ微粒子19へ照射する。例文帳に追加

In view of adjusting a shielding wavelength component to the energy gap of desired nano particles 19 to allow only the desired nano particles 19 to selectively remain and to evaporate all the nano particles 19 of the other size, the nano particles 19 deposited on the substrate 13 is irradiated with light including a wavelength region absorbed by the nano particles 19, shielding at least one absorbed wavelength component. - 特許庁

送給モータ11と、この送給モータ11によって回転する送給ロール12と、溶接ワイヤ5を前記送給ロール12との間に挟持して送給する押付ロール13と、前記両ロール12、13の挟持部から送り出される溶接ワイヤ5を溶接トーチ内のライナ22へとガイドするための中空筒状体をなすアウトレットガイド14とから構成されるワイヤ送給装置において、前記両ロール12、13の回転圧力によってワイヤ表面の酸化物が削られて剥がれかかった削れカスがライナ22内に次第に堆積して送給不良の原因となる。例文帳に追加

To provide a wire feeder used for the consumable electrode type arc welding, in particular, having a scrap removing mechanism for removing ground scraps in which oxides on a surface of a welding wire are ground and almost peeled off by the rotational pressure of a feed roll of the wire feeder, and an outlet guide as a component of the feeder. - 特許庁

強誘電体薄膜の製造方法は、基板105が入れられた液体103aと、強誘電体微粒子104bが分散された分散液104aとを、強誘電体微粒子104bが分散液104aから液体103aに対して拡散することができるように配置する工程と、分散液104a中の強誘電体微粒子104bの周囲に電界を形成して分散液104a中の強誘電体微粒子104bを基板105に向けて泳動させることにより、基板105上に強誘電体微粒子104bを堆積させる工程とを備え、基板105は、分散液104aから所定の距離以上離して配置されるようになっている。例文帳に追加

The substrate 105 is disposed farther than a prescribed distance apart from the dispersion liquid 104a. - 特許庁

本発明の透明ガスバリア性フィルム11は、ポリアミド樹脂からなる基材フィルム111と、前記基材フィルム111の一方の主面上に形成され、窒素原子とアジピン酸とビスフェノールグリシジルエーテルとを含み、リアクティブイオンエッチングによる表面処理が施された易接着層112と、前記易接着層112上に気相堆積法によって形成された無機酸化物層113とを具備したことを特徴とする。例文帳に追加

The transparent gas barrier film 11 has a substrate film 111 of a polyamide resin, an easy adhering layer 112 surface treated by reactive ion-etching and an inorganic oxide layer 113 formed by a vapor phase deposition method thereon, wherein the easy adhering layer 112 is formed on one primary surface of the substrate film 111 and contains nitrogen atoms, an adipic acid and bisphenol glycidyl ether. - 特許庁

酸素ガスとフッ素ガスとの混合ガスをアッシングガスとして導入することでマスク材表面に残留したケイ素成分や硬化したマスク層等を含んだ領域のマスク材の除去と真空容器内壁に堆積したカーボン系、ケイ素系のデポ物デポ物の除去を同時にができ、且つ、低圧力でのマスク材除去をすることと、上記酸素ガスとフッ素ガスのプラズマを用いるステップに引続き、酸素ガスのみのプラズマを用いる事により、エッチング後の膜層へのダメージ(エッチング)を少なくすることが可能となる。例文帳に追加

Furthermore, the masking material can be removed under a low pressure, and a surface treatment is carried out using only an oxygen gas plasma so as to reduce the damage (etching) to the film layers subjected to etching after the above step of using a mixed gas plasma of oxygen and fluorine is carried out. - 特許庁

バイオセンサーにおいて生体成分中の目的とする被検出物質を捕捉して検出するセンサーチップは陽電極及び陰電極が所定の間隔をおいて相対配置され、該陰電極上に被検出物質からなるチップ素材が電気的絶縁状態で配置された反応容器内に有機又は無機化合物の原料ガスを導入して所定のガス圧に調整した状態で陽電極及び陰電極間に印加された電圧により発生するグロー放電により原料ガス中の有機又は無機物質をプラズマ化してチップ素材に付着堆積させて製膜した後、チップ素材を溶解除去して被検出物質に一致する凹部を有して形成する。例文帳に追加

Organic or inorganic substance in the material gas, in the form of plasma, is deposited on the chip material to form a film and then the chip material is dissolved and removed to form a recess matching the substance being detected. - 特許庁

モノクロ画像比率が高いタンデムカラー方式にて、各色クリーニングトナーを1つのトナー回収容器へ回収する場合、黒色トナーの発生量が特に多いためにトナー回収容器内の堆積状態が不ぞろいとなり、各色トナーのフル状態を個々の検出手段で検出したり、クリーニングトナーの全体発生量以上の容量を余分に確保する必要がありコスト及び空間の有効利用の観点から非常に非効率的である。例文帳に追加

To provide a toner recovering container by which full detection is accurately performed by one toner detecting means by collectively performing the recovery of removed toner from the image forming part of each color and efficiently storing the removed toner of each color of a quantity corresponding to a content amount thereof and a tandem type color image forming apparatus using it. - 特許庁

一実施形態において、クロムをエッチングする方法は、クロム層を有する膜スタックを処理チャンバー内に用意するステップと、膜スタック上でホトレジスト層をパターン化するステップと、パターン化されたホトレジスト層に適合保護層を堆積するステップと、その適合保護層をエッチングして、パターン化されたホトレジスト層を通してクロム層を露出させるステップと、クロム層をエッチングするステップとを備えている。例文帳に追加

In one embodiment, a method for etching chromium includes steps of: preparing a film stack having a chromium layer in a processing chamber; patterning a photoresist layer on the film stack; depositing a conformal protective layer on the patterned photoresist layer; etching the conformal protective layer to expose the chromium layer through the patterned photoresist layer; and etching the chromium layer. - 特許庁

支持体上に、気相堆積法により形成された、少なくとも1層の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの作製方法において、輝尽性蛍光体原料を含む蒸気流を該支持体に入射する時に、前記支持体の一方の面を加熱しながら、且つ、前記支持体のもう一方の面を冷却する工程を経て、該輝尽性蛍光体層の少なくとも1層が形成されることを特徴とする放射線画像変換パネルの作製方法。例文帳に追加

In this method of manufacturing the radiation image conversion panel having at least one photostimulable phosphor layer formed on a support by a vapor phase deposition method, at least one photostimulable phosphor layer is formed through a process for heating one face of the support while cooling the other face of the support, in applying the vapor flow including the photostimulable phosphor material to the support. - 特許庁

上記のような形態で設置後、濁流水を流した際、上流から下流に向けてのこの古タイヤを接合した排水溝には、それぞれの古タイヤが持つ半輪状のタイヤ形状が蛇腹状に並んでいることから、それぞれの半輪状のタイヤ内側に濁流水内の汚泥が自重により沈み込むと共に、半輪状のタイヤ内側の形状に沿った形で水流も廻るため、汚泥を食い止め、堆積させる水流も同時に発生させる。例文帳に追加

Then, since the semicircular old tires are arrayed in a bellows shape in a drainage ditch formed by jointing the old tires to each other in a range from the upstream side to the downstream side, sludge in the muddy stream water when carried sinks inside the semicircular tires with its dead weight and a water stream turns along the inside shape of the semicircular tires. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、シリコン基板1上にポリシリコン層3を形成する工程と、ポリシリコン層3上にフォトレジストマスク5を形成する工程と、フォトレジストマスク5をマスクにしてポリシリコン層3をドライエッチングするとともに、ポリシリコン層を3ドライエッチングしている最中に生成される副生成物6を、フォトレジストマスク5の上面および側面の上に堆積する工程とを有する。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a polysilicon layer 3 on a silicon substrate 1, forming a photoresist mask 5 on the polysilicon layer 3, dry etching the polysilicon layer 3 with the use of the photoresist mask 5 as a mask, and depositing a by-product 6 produced in the act of dry etching the polysilicon layer 3 on and on the side of the photo resist mask 5. - 特許庁

スパッタ装置内における半導体ウエハWの固定を、半導体ウエハWと接する当接部6b、ひさし部6aおよび板バネ6dを有するクランプリング6と、ヒータ7とで行い、ひさし部6aの長さをチップ取得数向上のために短くし、ひさし部6a内の膜成分の巻き込みが多くなり、当接部6bと半導体ウエハWとの境界部に膜成分が堆積しても、成膜工程終了後にヒータ7が下降する際、板バネ6dの延びる力により半導体ウエハWと当接部6bとを引き離す。例文帳に追加

The length of the peak 6a is reduced to increase the number of chips acquisition and also a lot of film components are involved in the peak 6a. - 特許庁

RFマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。例文帳に追加

The manufacturing method of ferroelectric film in which the ferroelectric film is formed on a substrate disposed on an anode by using a target made from a ferroelectric substance disposed on a cathode according to an RF magnetron sputtering method comprises: a substrate heating process for heating the substrate; and a charged particle neutralizing process for neutralizing charged particles of the ferroelectric substance which fly and deposit on the substrate. - 特許庁

例文

本発明は、流動層反応器を用いて反応ガスを供給しながらシリコン粒子を流動させて粒子形態の多結晶シリコンを量産するにおいて、塩化水素を含むエッチングガスを反応ガス供給手段の表面に注入することによってシリコンが析出されて堆積されるのを有効に防ぎ、反応器を連続的に運転することを可能とする多結晶シリコンの製造方法及び装置を提供する。例文帳に追加

A method and an apparatus for manufacturing a polycrystal silicon permitting the reactor to be continuously operated by effectively preventing silicon from precipitating and depositing by injecting an etching gas containing hydrogen chloride onto the surface of the reaction gas feeding means, when manufacturing at a large scale the polycrystal silicon of particle form by fluidizing silicon particles while feeding the reaction gas by using a fluidized bed reactor, are provided. - 特許庁

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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
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