「堆積」に関連した英語例文の一覧と使い方(231ページ目) - Weblio英語例文検索

反応容器１１内に酸化鉄１２および固体還元剤１３を充填し、加熱して酸化鉄を還元することにより、海綿鉄を製造する方法において、前記酸化鉄１２および固体還元剤１３が交互に層状もしくは交互に絡み合う螺旋状に堆積するように充填する高純度海綿鉄の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the sponge iron with high purity, iron oxide 12 and a solid reducing agent 13 are charged into a reaction vessel 11 and heated to reduce the iron oxide, wherein the iron oxide 12 and the solid reducing agent 13 are charged so as to be stacked into an alternately layered shape or an intermingling spiral shape. - 特許庁

フイルター手段の周辺における、分別後のトナーの付着や堆積、又は、トナー架橋の形成を防止して、回収トナーの分別と搬送が安定して行われて、回収トナーの分別率も高く、回収トナーを使用しても高品質の画像を形成する回収トナー分級装置及びそれを備えた画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a recovered toner classifying device and the image forming device provided with the same made possible to prevent the toner after classification from the adherence and the heap, or the toner bridge formation, on the surroundings of filter means, to stably perform the classification and transportation of the recovered toner, to achieve the high classification ratio, and to form the excellent image in spite of adopting the recovered toner. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、酸化膜３０、窒化膜または酸窒化膜が設けられた第１の領域、および、半導体材料が露出した第２の領域を含む主面を有する半導体基板１０を準備し、２００℃〜２６０℃のもとでＨｆＳｉＯ膜を堆積することによって、ハフニウム濃度の異なるＨｆＳｉＯ膜４０、５０を、第１の領域および第２の領域に形成することを具備する。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of preparing a metal frequency 30 and a semiconductor substrate 10 having a first region having a nitride or oxynitride film and a main surface including a second region with an exposed semiconductor material, and depositing an HfSiO film at 200-260°C to form HfSiO films 40, 50 different in hafnium density on the first and second regions, respectively. - 特許庁

またランプに近いエキシマ光取出窓部材近傍では、エキシマ光の照度が高く、ラジカル酸素またはオゾン（Ｏ_３）がより発生し易いため、窓部材の酸化膜の堆積を選択的に抑制し、光出力の経時的減衰を効果的に抑制するので、これによりウエハ上の酸化膜形成が損なわれることもない。例文帳に追加

Also, near an excimer beam extracting window member close to a lamp, the illuminance of excimer beam is high, and the radical oxygen or ozone (O3) tends to accur, so that selectively suppressing the deposition of the oxide film of the window member, effectively suppressing the attenuation of light output with time, and hence preventing the formation of the oxide film on the wafer from being impaired. - 特許庁

これに続いて、絶縁膜９をエッチングストッパとして、半導体基板１の主面上に堆積した酸化シリコンを主成分とする絶縁膜を異方性のドライエッチングによりエッチバックすることにより、ゲート電極５ａの側壁にサイドウォール１０を形成し、半導体基板１へのダメージ層の形成を防ぐ。例文帳に追加

In succession, using the insulating film 9 as an etching stopper, an insulating film whose main component is silicon oxide deposited on the main surface of the semiconductor substrate 1 is etched back through an anisotropic dry etching method, whereby a side wall 10 is formed on the side wall of the gate electrode 5a so as to prevent a damage layer from being formed on the semiconductor substrate 1. - 特許庁

そして、開口部１１５が形成されたシリコン基板１０１の素子形成面をプラズマに曝し、開口部１１５を形成する工程で開口部１１５の側壁に付着した堆積物１１３を除去した後、ＳｉＮ膜１２９をマスクとしてシリコン基板１０１を選択的に除去して凹部を形成する。例文帳に追加

Then, the element-forming surface of the silicon substrate 101 in which the opening 115 is formed is subjected to plasma processing and deposits 113, attached to the sidewall of the opening 115 in the process of forming the opening 115, are removed, the silicon substrate 101 is selectively removed to form a concave portion by using the SiN film 129 as a mask. - 特許庁

基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。例文帳に追加

After a plurality of trenches 111 for wiring are formed in an FSG film 109 and an ARL film 110 formed on a substrate 100, a barrier metal film (tantalum nitride film 112) and conducting films for wiring (copper films 113 and 114) are deposited in sequence on the ARL film 110, in such a manner that each of the trenches 111 is completely filled. - 特許庁

その工程は、有機絶縁膜３３をパターン形成する工程と、有機絶縁膜３３を含む基板にプラズマ処理を施す工程と、無機絶縁膜３２にコンタクトホール２６，２７を開口する工程と、層間絶縁膜上に透明導電膜を堆積する工程と、透明導電膜をパターニングして透明電極７１、７２を形成する工程とを含む。例文帳に追加

The step includes a step to pattern the organic insulating film 33, a step to apply plasma to the substrate including the organic insulating film 33, a step to form contact holes 26, 27 throughout the inorganic insulating film 32, a step to deposit the transparent conductive film on the interlayer insulating film, and a step to form the transparent electrodes 71, 72 by patterning the transparent conductive film. - 特許庁

加えるに、圧延工程において排出される冷却水や金属ストリップより剥離したスケールを捕集し押し流すスケールスルースにおいて、スケールスルース流路への堆積物を排除するように、該スケールスルース流路を狭めて流水することを特徴とするスケールスルース内の流水方法。例文帳に追加

In addition, in the scale sluice for collecting and washing away the cooling water discharged in a rolling process and the scale separated from the metallic strip, the water is run by narrowing the flow passage of the scale sluice so as to remove the deposit in the flow passage of the scale sluice. - 特許庁

基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。例文帳に追加

After a plurality of trenches 111 for wiring are formed in an FSG film 109 and an ARL film 110 formed on a substrate 100, a barrier metal film (tantalum nitride film 112) and conducting films for wiring (copper films 113 and 114) are deposited in sequence on the ARL film 110, in such a manner that each of the trenches 111 is completely filled. - 特許庁

輝尽性蛍光体層の厚さを薄くし、高感度で、粒状性にすぐれ、輝尽性蛍光体層厚内での放射線や励起光の拡散が減少し鮮鋭性の優れた放射線画像変換プレートを気相堆積方法により作製する放射線画像変換プレートの製造方法及び放射線画像変換プレートの製造方法により製造する放射線画像変換プレートの提供。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a radiation image conversion plate whose stimulable phosphor layer is thinned, which is highly sensitive and is excellent in granularity, where less radiation and excitation light diffuse in the thickness of a stimulable phosphor layer, which is excellent in sharpness by a vapor phase deposition method and to provide the radiation image conversion plate manufactured by the manufacturing method mentioned above. - 特許庁

亜鉛成分を含有する放射性廃棄物が溶融される放射性廃棄物溶融炉１の煙道を、溶融炉の出口部分で２直線が交差する形状に屈曲させて滞留部７を形成し、亜鉛成分を含有する灰をこの滞留部７に堆積させることにより、煙道の後段に設置されたフィルタの目詰まりを防止する。例文帳に追加

The flue of the radioactive waste melting furnace 1 for melting radioactive waste containing a zinc component is bent like a shape that two straight lines intersect with each outer on an exit part of the melting furnace to form a residence part 7, and ash containing the zinc component is accumulated on the residence part 7 to prevent clogging of the filter arranged on the post stage of the flue. - 特許庁

酸素を含む酸化性ガスをプラズマ化してシリコン材に曝す工程を、エッチング工程や保護膜を堆積させる工程とは別個の工程として設けた上で、これらの工程を順次繰り返す方法を採用することにより、段差を有する複雑なシリコン成形体であっても、そのエッチング到達面を極めて平滑にすることができる。例文帳に追加

A process for making oxidizing gas, containing oxygen into plasma and exposing a silicon material in the plasma gas, is provided as another process different from an etching process or a protective film depositing process; and then, a method wherein these processes are repeated sequentially is adopted, whereby an etching arriving surface can be very much smoothed, even when a complex silicon form having level differences is etched. - 特許庁

少なくとも、原料ガスを導入して気相反応により基材上にダイヤモンド膜を製造する方法において、リンのドープ源としてＰ（ＯＣＨ_３）_３ガスを前記原料ガス中に含ませ、該原料混合ガスを用いて気相反応により基材上にリンをドープしたダイヤモンド膜を堆積させることを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the diamond film on a base material by a vapor phase reaction at least by introducing a raw material gas, P(OCH_3)_3 gas is incorporated into the raw material gas as a doping source of phosphorous and the diamond film doped with phosphorous is deposited on the base material by the vapor phase reaction utilizing the mixed raw material gas. - 特許庁

竪型溶融炉１の充填層３内に粉状の炭素系固体が堆積するのを防止でき、炉内の通気性が改善され、また、充填層３のストックライン上に形成される炉頂空間内を上昇する排ガス中に随伴されて炉頂から排ガスと共に炉外へスムーズに排出されるので良好な操業が維持される。例文帳に追加

The piling of the powdery carbon solid in the packing layer 3 of the vertical smelting furnace 1 is prevented and the gas ventilation in the furnace is improved and since the gas is smoothly exhausted out of the furnace accompanied with the ascended exhaust gas in a space of the furnace top formed on the stock line of the packing layer 3, the good operation is secured. - 特許庁

少なくとも、原料ガスを導入して気相反応により基材上にダイヤモンド膜を製造する方法において、リンのドープ源としてＰＯ（ＯＣＨ_３）_３ガスを前記原料ガス中に含ませ、該原料混合ガスを用いて気相反応により基材上にリンをドープしたダイヤモンド膜を堆積させることを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the diamond film on a base material by a vapor phase reaction at least by introducing a raw material gas, PO(OCH_3)_3 gas is incorporated into the raw material gas as a doping source of phosphorous and the diamond film doped with phosphorous is deposited on the base material by the vapor phase reaction utilizing the mixed raw material gas. - 特許庁

シリコン有機化合物が燃料と共に燃焼する際に生成される二酸化シリコンが、高温燃焼気体に晒される全てのガスタービン高温部品に均一に堆積し、数乃至数十μｍ厚の酸化物コーティング層が形成されるようにして、ガスタービン運転中に耐食・耐酸化層を形成させることを特徴とする。例文帳に追加

Silicon dioxide produced by burning a silicon organic compound together with the fuel, is uniformly deposited on all the high-temperature components of the gas turbine, which are exposed to the combustion gas of a high temperature, thus forming an anti-corrosion and anti-oxidation coating layer of a thickness of several to several tens of μm on the high-temperature components during the operation of the gas turbine. - 特許庁

発熱性の電気素子により熱せられた空気を外部へ排出する放熱ユニットを筐体内に内蔵したアーク溶接制御装置であって、放熱ユニットは、空気を流通させる空洞部を形成する外周部を備えたトンネル型形状であり、機器内部の導電部に粉塵、溶接ヒューム等の堆積,付着を防止することが可能となる。例文帳に追加

In the arc welding control device with a heat radiation unit to discharge air heated by a heat-generating electric element outside, the heat radiation unit has a tunnel shape having an outer circumferential part to form a cavity to circulate air therein, and deposition or adhesion of dust, welding fume, etc. on a conductive part inside the equipment can be prevented thereby. - 特許庁

油圧ポンプから油圧シリンダを作動させるために供給された作動油にワークの加工作業中に生じるクーラントが混入して、潤滑性の低下及びりスラッジの堆積を防止して、油圧ポンプや電磁弁等の油圧機器類の動作不良を未然に防止できる工作機械の油圧装置を提供する。例文帳に追加

To provide a hydraulic device of a machine tool for preventing operational failure of hydraulic equipment such as a hydraulic pump and a solenoid valve, by preventing reduction in lubricatability and a deposit of sludge, when a coolant generated in processing work of a workpiece is mixed in a hydraulic fluid supplied for operating a hydraulic cylinder from the hydraulic pump. - 特許庁

この基材チューブは、ガラス形成前駆体が基材チューブの内部に供給される供給側と、基材チューブの内部に堆積されなかった構成材料が排出される排出側とを備え、エネルギー源は、供給側の反転点と排出側の反転点との間で基材チューブの長手に沿って運動可能である。例文帳に追加

The substrate tube has a supply side for supplying glass-forming precursors to the interior of the substrate tube and a discharge side for discharging components which have not been deposited on the interior of the substrate tube, while the energy source is movable along the length of the substrate tube between a reversal point on the supply side and a reversal point on the discharge side. - 特許庁

電解質層と、該電解質層の一方の側に形成されている燃料極層と、電解質層の他方の側に形成されている空気極層とを具備し、燃料極層と空気極層との内の少なくとも一方が、原料の粉体を下層に噴射して堆積させるエアロゾルデポジション法を用いて形成されている。例文帳に追加

The solid oxide fuel cell comprises an electrolyte layer, a fuel electrode layer formed on one side of the electrolyte layer, and an air electrode layer formed on the other side of the electrolyte layer; wherein at least one of the insides of the fuel electrode layer and air electrode layer is formed by an aerosol deposition method by jetting the powder of a material to a lower layer. - 特許庁

特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ_3及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。例文帳に追加

In particular, the invention provides apparatus and methods for limiting deposition/condensation of GaCl_3 and reaction by-products on an isolation valve that is used in the system, and a method for forming a monocrystalline Group III-V semiconductor material by reacting an amount of a gaseous Group III precursor as one reactant with an amount of a gaseous Group V component as another reactant in a reaction chamber. - 特許庁

排気微粒子の捕集量が第２の基準値未満の比較的少量のときでもエンジン負荷が高い運転条件になると再生を開始するので、燃費への影響が少なく排気温度を高めやすい高負荷条件を活用してフィルタの微粒子堆積量を少なく維持しておくことができる。例文帳に追加

The regeneration is started with the engine being operated in the highly loaded conditions even when the trapped amount of the exhaust particulates is relatively small, less than the second reference value, and so the the amount of the particulates accumulated on the filter can be kept smaller by utilizing the highly loaded conditions where there are less influences on fuel consumption and the exhaust temperature is easy to increase. - 特許庁

フィーダフレームからのアスファルト合材のこぼれ落ちを防ぐことにより、施工への悪影響を防止して、より質の高い舗装の施工を可能とし、また下部カバーへのアスファルト合材の付着・成長を食い止めてフライトバーがフィーダフレームに干渉する不具合を防止する合材の漏れ止め及び堆積防止構造を持つコンベヤ装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a conveyor device having a mixture sealing and deposition preventing structure, for preventing adverse influence on execution of works and making higher quality paving execution possible, stopping the adhesion/growth of an asphalt mixture onto a lower cover, and preventing a failure that a flight bar interferes with a feeder frame, by preventing the asphalt mixture from spilling out from the feeder frame. - 特許庁

熱障壁被覆の熱伝導率を低減する方法は、一つまたは複数の層を形成するように基体上に、セラミックマトリックスと、金属酸化物を形成できる金属分散質とを含む混合物を堆積させ、金属分散質を酸化して一つまたは複数の層の熱障壁被覆を形成するのに十分な温度および時間で、一つまたは複数の層を加熱する、各工程を含む。例文帳に追加

The method for reducing heat conductivity of the thermal barrier coating comprises the steps of: depositing a mixture containing a ceramic matrix and a metal dispersoid capable of forming the metal oxide on a substrate to form one or more layers, heating the one or more layers at a sufficient temperature for a sufficient time for oxidizing the metal dispersoid, and forming one or more layers of thermal barrier coating. - 特許庁

加熱部材（ヒートドラム）や付勢部材（対向ローラ）の表面に堆積した異物を容易に除去しうる洗浄方法を提供することであり、また前記部材の表面が弾性体で構成されているときの弾性体の劣化を引き起こさず、かつ容易に保守洗浄が可能な洗浄方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning method which can easily remove foreign matter deposited on the surfaces of a heating member (heat drum) and an energizing member (counter roller) and to provide a cleaning method which never causes the deterioration of an elastic body when the surface of the member is made of the elastic body and can easily maintain and clean it. - 特許庁

少なくとも、原料ガスを導入して気相反応により基材上にダイヤモンド膜を製造する方法において、ボロンのドープ源としてＢ（ＯＣ_２Ｈ_５）_３ガスを前記原料ガス中に含ませ、該原料混合ガスを用いて気相反応により基材上にボロンをドープしたダイヤモンド膜を堆積させることを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the diamond film on a base material by a vapor phase reaction at least by introducing a raw material gas, B(OC_2H_5) gas is incorporated into the raw material gas as a doping source of boron and the diamond film doped with boron is deposited on the base material by the vapor phase reaction utilizing the mixed raw material gas. - 特許庁

低圧チャンバー内にＳｉＨ_4 とＮＨ_3 との混合ガス１１１を導入すると共に下部電極１０７に高周波電力を供給して、ＳｉＨ_4 とＮＨ_3 との混合ガス１１１をプラズマ化し、該プラズマにより銅シリサイド層１１０の上を含む絶縁膜１０１の上にシリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜１１２を堆積する。例文帳に追加

A mixed gas 111 of SiH4 and NH3 is introduced in the low-pressure chamber while the lower part electrode 107 is applied with a high-frequency power so that the mixed gas 111 comes ionized, so a second insulating film 112 of a silicon nitride film is deposited on the insulating film 101 including above the copper silicide layer 110, under the plasma. - 特許庁

ＭＢＥを用いて清浄な（０００１）表面を持つ基板１上に低温ＩｎＮバッファ層２を堆積し、このバッファ層２の上に結晶成長軸が基板１の法線方向に対し数度だけ傾いたＩｎＮ層３を成長させ、このＩｎＮ層３に基板１の法線方向からイオン注入する。例文帳に追加

A low-temperature InN buffer layer 2 is deposited on a substrate 1 having a clean surface (0001) employing MBE, and an InN layer 3 with crystal growing axis slanted by several degrees with respect to the normal line direction of the substrate 1 is grown on the buffer layer 2 while the ion is implanted into the InN layer 3 from the normal line direction of the substrate 1. - 特許庁

像担持体１の帯電手段２が導電性粒子４０を用いた接触注入帯電手段であり、導電性粒子４０が現像装置３の現像剤ｔに含まれ、またクリーナーレスシステムである画像形成装置について、帯電性能の向上と、帯電部材に対する導電性粒子の過剰堆積を防止して、より安定したクリーナーレスシステムを達成する。例文帳に追加

To provide a stabler cleanerless system by improving electrification performance and preventing conductive particles from being excessively deposited on a charging member in the image forming device of a cleanerless system in which the charging means 2 of an image carrier 1 is a contact injection charging means using conductive particles 40 and the conductive particles 40 are contained in a developer (t) of a developing device 3. - 特許庁

反応容器１０１内に、堆積膜が形成される円筒状基体１０５を支持する、円筒状基体１０５の外径よりも大きい外径のつば部１１８を有した基体キャップ１０７と、基体キャップ下部１１９の表面から距離ｄの位置に非接触に配置された仕切り板１１３とが設けられている。例文帳に追加

This apparatus comprises a base body cap 107 having a flange part 118 with an external diameter wider than that of a cylindrical base body 105, which supports the cylindrical base body 105 for forming a deposition film, and a dashboard 113 arranged at a distance d from the surface of a lower part 119 of the base body cap without touching, in a reaction vessel. - 特許庁

熱可塑性廃プラスチック２ａを熱風(図示せず)により加熱溶融してプラスチックの見掛け容積を減少させる際に、少なくとも溶融するプラスチック２ｂが堆積する加熱部３内の壁面(傾斜部３ａ）を、粗面または凹凸面にする、耐熱黒色塗料の塗布面にする、または前記粗面または凹凸面上に前記塗布面を形成して、壁面から放射する遠赤外線放射量を増大させるようにした。例文帳に追加

When the thermoplastic waste plastics 2a is heated/melted by hot air to reduce its apparent volume, at least the inner wall surface of a heating part 3 in which plastics 2b to be melted is deposited is roughened or made uneven and/or is coated with a heat-resistant black coating to increase the dosage of far-infrared rays radiated from the wall surface. - 特許庁

絶縁性基板１上に多結晶ＩＶ族半導体層２を堆積したのち、少なくともソース・ドレイン形成領域及びチャネル形成領域にＩＶ族元素或いは希ガス元素３のいずれかをイオン注入してアモルファス化したのち、アモルファス化したＩＶ族半導体層４のソース・ドレイン形成領域に導電型決定不純物５をイオン注入する。例文帳に追加

A polycrystalline group IV semiconductor layer 2 is deposited on an insulating substrate 1, ions of any one of group IV element or rate gas element 3 are implanted at least into a source/drain formation region and a channel formation region in the layer to amorphize the region, and then ions of conduction type determining impurities 5 are implanted into the amorphized source/drain formation region of the group IV semiconductor layer 4. - 特許庁

時間の関数として分圧のラインのヒストリカルな勾配を求めるステップと、残留ガス分析器６３による分圧測定に基づいたラインの新規な勾配を計算するステップと、ヒストリカルな勾配と新規な勾配を比較するステップと、オペレータに信号を送るステップとを含む方法により、プラズマ増強型化学気相堆積システム内のプロセス不調を確認する。例文帳に追加

Malfunction of process in the plasma enhanced CVD system is confirmed by a method comprising a step for determining the historical gradient of partial pressure line as a function of time, a step for calculating a new gradient of line based on partial pressure measurements by the residual gas analyzer 63, a step for comparing the historical gradient with the new gradient, and a step for delivering a signal to an operator. - 特許庁

さらに、本発明は、容器内に収容された有機発光材料を、容器内に収納され、空孔を含む媒体とともに加熱することにより蒸発させ、基板上に蒸着膜を堆積する工程と、少なくとも蒸着膜に電界を印加する電極を形成する電極形成工程とを含む有機ＥＬ素子の製造方法とした。例文帳に追加

Furthermore, the manufacturing method of the organic EL elements includes a production process in which an evaporated film is deposited on a substrate by making an organic luminescent material contained in the container evaporate by heating with the medium accommodated in the container and with pores, and at least an electrode forming production process in which an electrode, by which an electric field is impressed on the evaporated film, is formed. - 特許庁

半導体装置の製造において、半導体基板上に形成した積層膜をエッチングする際に、ビアの底部にある下地誘電体膜をエッチング除去するプロセスを、水素化フッ化炭素、水素化フッ化環化オレフィン又は炭化水素ガスプラズマを用いて、水素化フッ化炭素、水素化フッ化環化オレフィン又は炭化水素のポリマを堆積すると共に、下地誘電体膜をエッチング除去することにより行う。例文帳に追加

When a laminated film formed on a semiconductor substrate is etched in the manufacture of a semiconductor device, a process for etching and removing the underlying dielectric film located on the bottom of the via is carried out by depositing carbon fluoride hydride, cyclized olefin fluoride hydride or a polymer of hydrocarbon, using carbon fluoride hydride, cyclized olefin fluoride hydride or hydrocarbon gas plasma, and also by etching and removing the underlying dielectric film. - 特許庁

ガラス基板５０を予熱し、その基板上に非結晶シリコン先駆層を一次温度で堆積させ、熱処理チャンバ５２，５４，５６，５８内において基板を一次温度よりも十分に高い二次温度でアニーリングして先駆層内における水素濃度を実質的に減少させることによってガラス基板５０上に薄膜層を形成できる。例文帳に追加

In a method for forming a polycrystalline silicon layer on the glass substrate, a thin film layer is formed on the glass substrate 50 by preheating the glass substrate 50, depositing an amorphous silicon precursor layer on the substrate at a primary temperature, and annealing the substrate in thermal processing chambers 52, 54, 56, 58 at a secondary temperature sufficiently higher than the primary temperature to substantially reduce hydrogen concentration in the precursor layer. - 特許庁

廃棄物処分場１０内に堆積される廃棄物１４内に交互に埋設配管される排気管２６及びガス供給管２８と、排気管２６に接続されたバイオリアクタ３６、活性炭吸着層３８からなるガス浄化設備と、ガス供給管２８に接続された酸素供給タンク４６、水分供給設備４４とを備えた。例文帳に追加

A waste disposal plant 10 is provided with exhaust pipes 26 and gas feed pipe 28 embedded and laid alternately in wastes 14 accumulated in a waste disposal plant 10, a bioreactor 36 connected with the exhaust pipes 26, a gas purification equipment formed of active carbon adsorption layers 38, an oxygen feed tank 46 connected with the gas feed pipes 28 and a water content feed equipment 44. - 特許庁

本発明の多結晶シリコン膜の水素化処理方法は、プラズマＣＶＤ装置のチャンバー２０内をクリーニングする工程と、同チャンバー２０の内壁にシーズニング膜２２を堆積させる工程と、チャンバー２０内に多結晶シリコン膜が形成された基板Ｗを導入し、基板Ｗに水素プラズマ処理を施す工程とを有する。例文帳に追加

This hydrogenation treatment method of a polycrystalline silicon film is provided with a process for cleaning the inside of a chamber 20 of a plasma CVD system, a process for depositing a seasoning film 22 on the inner wall of the chamber 20, and a process for introducing a substrate W on which a polycrystalline silicon film is formed into the chamber 20 to give a hydrogen plasma treatment to the substrate W. - 特許庁

ＣＺ法により窒素と炭素を添加したシリコン単結晶を引き上げ、エピタキシャル層を形成する前のシリコン単結晶をウェーハに加工する工程の中で７５０℃以上８５０℃以下の温度で、１時間以上３時間以下の熱処理を行ったシリコン単結晶ウェーハの表面にエピタキシャル法によりシリコン単結晶層を堆積させる。例文帳に追加

In a process of pulling up silicon single-crystal to which nitrogen and carbon are added by a CZ method and working the silicon single-crystal before forming an epitaxial layer to a wafer, a silicon single-crystal layer is deposited by an epitaxial method on the surface of a silicon single-crystal wafer to which heat treatment is carried out for one hour to three hours at 750°C to 850°C. - 特許庁

改質物質の元となる材料を電極から供給するのではなく、加工液中に混入した改質物質の元となる材料と加工液を構成する炭素元素を放電により反応させて改質物質を形成し、被処理材表面が放電により除去加工される以上にその改質物質を被処理面に多く堆積させる。例文帳に追加

To form a modifying substance not by feeding a material as the original of the modifying substance from an electrode but by bringing the material as the original of the modifying substance mixed into a working soln. into reaction with a carbon element composing the working soln. by discharge and to deposite the modifying substance largely than the quantity of the surface of the material to be treated and to be removed by the discharge. - 特許庁

基体が装着された基体ホルダが反応容器内に設置されると、導電性棒状体が移動または伸張して、導電性棒状体の側面が反応容器のゲート弁の弁体に接触し、導電性棒状体が反応容器と電気的に接続されることを特徴とする堆積膜形成装置。例文帳に追加

The deposition film forming apparatus is configured such that, when a substrate holder with a substrate held thereon is set inside a reaction vessel, a conductive rod is moved or extends to come into contact with a valve element of a gate valve of the reaction vessel with a lateral surface thereof, thereby establishing an electrical connection between the conductive rod and the reaction vessel. - 特許庁

この差分ΔθＧをＥＧＲ装置４４の稼動期間に算出したノック学習値θＧＫＮＯＣＫから差し引き、新たなノック学習値θＧＫＮＯＣＫとして設定することで、例えばデポジットの堆積といったＥＧＲ装置４４の異常以外に起因する点火時期遅角量を加味して点火時期設定する。例文帳に追加

The difference ΔθG is subtracted from a knock learning value θGKNOCK calculated in the operation period of the EGR device 44, and is set as a new knock learning value θGKNOCK, and the ignition timing is set by adding the ignition timing delay quantity caused by the fact except for the abnormality of the EGR device 44 such as deposition of a deposit. - 特許庁

またＤＰＦ温度とＰＭ堆積量とがそれぞれの所定値よりも大きくかつ無噴射運転状態であり（Ｓ４０：ＹＥＳ）、かつエンジン回転数が所定値よりも小さい（Ｓ６０：ＮＯ）場合は、吸気スロットルを全閉（あるいはその近傍）、ＥＧＲバルブを全開（あるいはその近傍）に設定する吸気制御２を実行する（Ｓ８０）。例文帳に追加

When the DPF temperature and the PM accumulation amount are larger than respective predetermined values in a non-injection operating state (S40:YES) and the engine speed is lower than a predetermined value (S60:NO), intake control 2 is executed for setting the intake throttle to be fully (or almost) closed and the EGR valve to be fully (or almost) opened (S80). - 特許庁

給紙カセット１に収納された記録媒体を堆積するボトムプレート１４と、前記ボトムプレート１４とカセット底板８との間に配置される第１の弾性部材２０と、前記第１の弾性部材２０の付勢力を補助し、ボトムプレート１４上に積載される記録媒体の状態に応じて付勢力が変化する第２の弾性部材２１を設けた。例文帳に追加

This paper feeding cassette is provided with a bottoms plate 14 on which recording mediums contained in a paper feeding cassette 1 are deposited, a first elastic member 20 disposed between the bottom plate 14 and a cassette bottom plate 8, and a second elastic member 21 of which energization force is changed in accordance with the condition of the recording medium stacked on the bottom plate 14 to assist energization force of the first elastic member 20. - 特許庁