「堆積」に関連した英語例文の一覧と使い方(234ページ目) - Weblio英語例文検索

ヘッドスライダ上に新たな加熱ヒータ等のデバイスの追加することなく、さらに、ヘッド機構部品の熱劣化の加速してしまう問題のない方法を用いて、長期使用に伴い堆積するヘッドスライダの液状付着物を除去できる機構を付与することで、長期に渡って信頼性の高い磁気ディスク装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a magnetic disk drive that is highly reliable for a long time by using a method without the problem that heat deterioration of a head mechanism component is accelerated without adding a new device such as a heating heater on a head slide and attaching a mechanism capable of eliminating liquid attachment on the head slider which is accumulated in accordance with use for a long time. - 特許庁

本発明は、基板上に原料粒子を飛翔させて膜を製造する、スパッタリング法などによる膜の製造方法に関し、特に、成膜中の膜厚を制御・管理する手段と、その制御された堆積膜を所定の目標膜厚で正確に加工終了させるように停止させる手段に関する。例文帳に追加

The method of depositing a film by a sputtering method or the like where raw material particles are flown onto a substrate to deposit a film is provided with, in particular, a means of controlling/managing a film thickness in the process of film deposition, and a means of stopping the working so that the working is ended when the controlled deposition film obtains a prescribed objective film thickness. - 特許庁

基板の下部クラッド層上に所望形状のコアを形成し、次いで該下部クラッド層上に主成分が酸化ケイ素からなる第一上部クラッド層を形成し、次いで該第一上部クラッド層上にドーパントを含むガラスを堆積し、これを加熱してリフローさせることにより第二クラッド層を形成し光導波路部品を製造することを特徴とする光導波路部品の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of the optical waveguide component is such that it is manufactured by forming the core of a desired shape on the lower clad layer of the substrate, forming the first upper clad layer whose main component consists of silicon oxide on the lower clad layer, depositing the glass containing the dopant on the first upper clad layer, and forming the second clad layer by heating the glass to make it reflow. - 特許庁

ＤＰＦ装置３に堆積したＰＭの除去時期に達したら、ＰＭの除去が完了したと判断するまで、エンジン停止中は、第１調量バルブ７から排気通路９へ空気を供給するとともに当該空気を加熱手段８により加熱してＰＭを燃焼除去する制御を行うＥＣＵ４を備えた排気浄化システム１である。例文帳に追加

An exhaust emission control system 1 is equipped with an ECU 4 for executing control for combusting and removing the PM by heating air by a heating means 8 while supplying air to an exhaust passage 9 through a first metering valve 7 during an engine stop until the removal of the PM is determined to be completed when reaching the removal timing of the PM accumulated on a DPF device 3. - 特許庁

成長表面１３における（電子に対する）表面電位が下がり、エネルギーバンドが大きく曲がっている状態でｐ-ＧａＮ１１を成長させ、成長表面１３の近傍にイオン化したＧａ空孔１４を有するｐ-ＧａＮ１１とし、成長表面１３に金属を堆積して低抵抗なオーミック電極を構成する。例文帳に追加

p-GaN11 is grown in condition that the surface potential (relative to the electron) at a growth surface 13 drops and the energy band is bent largely, so as to make p-GaN11 which has ionized Ga voids 14 in the vicinity of the growth surface 13, and a metal is accumulated on the growth face 13 to constitute a low-resistance ohmic electrode. - 特許庁

蒸着法により形成する硫化物発光層であって、少なくともストロンチウム蒸発源と、発光中心が添加された硫化亜鉛蒸発源とを有し、これらの蒸発源の各々からストロンチウムおよび硫化亜鉛原料を蒸発させ、基板上に堆積する際にそれぞれの原料物質を結合させて硫化物発光層を得る構成の硫化物発光層の製造方法、および製造装置とした。例文帳に追加

In this method and device for producing a sulfide light emitting layer, the sulfide light emitting layer formed by an evaporating method at least has a strontium evaporation source and a zinc sulfide evaporation source to which the center of light emitting has been added, strontium and zinc sulfide raw materials are evaporated from these evaporation sources, and the respective raw material substances are bonded when being deposited on a substrate to obtain the sulfide light emitting layer. - 特許庁

収容空間内の粉体の堆積量がある程度のレベルに達するまでは回収容器の満杯を誤検知することがなく、また、他のユニットの交換などに起因して回収容器に衝撃が作用した場合であっても、満杯か否かを誤検知することがなく、回収容器の満杯検知を高い信頼性で行うことが可能な粉体収容装置を提供する。例文帳に追加

To provide a powder receiving container which can detect with high reliability that a recovery container is full without erroneously detecting that the recovery container is full until the accumulated volume of powder in a receiving space reaches a certain level, and does not erroneously detect whether full or not, even when an impact is applied on the recovery container resulted from replacement with another unit. - 特許庁

その後、シリコン酸化膜１２５を堆積させ、エミッタ及びＭＯＳソース／ドレイン取り出し用の低抵抗拡散層を形成するためのパターンニングを行い、バイポーラトランジスタのエミッタ部とＮＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＡｓ＋イオンを注入し、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＢＦ２＋イオンを注入する。例文帳に追加

Thereafter a silicon oxidation film 125 is accumulated, patterning for forming a low resistance diffusion layer for emitter and MOS source/drain taking-out is performed, As+ ion is injected on the emitter part of a bi-polar transistor and the source/drain taking-out part of an NMOS transistor, and BF2+ ion is injected to the source/drain taking-out part of a PMOS transistor. - 特許庁

本発明によれば、サファイア単結晶を含む基体を、炭化水素ガス含有雰囲気中で１０００℃以上に加熱することにより、基体の表面上に炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成することができるので、触媒の不均一な堆積に影響されない、より表面平滑な膜を作製することができる。例文帳に追加

According to the present invention, a film having a more smooth surface that is unaffected by an uneven deposition of catalysts can be produced because a diamond-like carbon film can be formed on the surface of a base material by a pyrolysis of a hydrocarbon gas by allowing the base material containing sapphire single crystals to be subjected to a heat treatment not lower than 1,000°C in an atmosphere containing a hydrocarbon gas. - 特許庁

出発ロッドとガラス微粒子合成用バーナとを平行に相対的に往復運動させながらガラス微粒子を出発ロッドの表面に一層ずつ堆積させて多孔質ガラス母材を製造する方法において、より単純な装置構成で母材長さ方向の外径変動を抑制できる多孔質ガラス母材の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a porous glass preform which is a method of manufacturing the porous glass preform by depositing glass particulates by one layer each on the surface of a starting rod while moving the starting rod and a burner for synthesizing the glass particulates back and forth relatively in parallel and is capable of suppressing the fluctuation in the external diameter in the longitudinal direction of the preform with simpler apparatus configuration. - 特許庁

植物繊維と、該繊維と熱融着可能な熱可塑性樹脂とが混合されてなる植物繊維を主原料とした混合物を、立体形状を有する多孔質の金型上に分散し、堆積させた後、加熱処理によって、前記熱可塑性樹脂を介して、該繊維同士の交点が少なくとも部分的に接着されてなることを特徴とする立体成形物である。例文帳に追加

The three-dimensional formed article is formed by a method wherein a mixture constituted mainly of the vegetable fibers and prepared by mixing the vegetable fibers with thermoplastic resin thermally weldable to the fibers is dispersed and deposited on a porous mold having a three- dimensional shape and then the points of mutual intersection of the fibers are bonded partially, at least, through the intermediary of the thermoplastic resin by heat treatment. - 特許庁

この製造方法は、エアロゾルを利用したセラミックス膜の製造方法であって、非結晶性の成分を含有するセラミックス原料粉をガスに分散させることによってエアロゾルを生成する工程（ａ）と、工程（ａ）において生成されたエアロゾルを基板が配置されたチャンバ内に供給して、上記セラミックス原料粉を基板に堆積させることにより膜を形成する工程（ｂ）とを含む。例文帳に追加

The ceramic film producing method using aerosol comprises a process (a) for producing the aerosol by dispersing ceramic raw material powder containing an amorphous component in a gas and a process (b) in which the aerosol produced in the process (a) is supplied into a chamber in which a substrate is arranged, and the ceramic raw material powder is deposited on the substrate to form the film. - 特許庁

続いてエッチングにより絶縁膜４に第２の凹部５を形成するとともに第２の凹部５内に第１の凹部３の側周のエッチングストッパ膜２を露出させ、エッチングストッパ膜２をスパッタリングすることにより第１の凹部３上を覆う状態にスパッタ物６を堆積させてエッチングを自発的に停止させる。例文帳に追加

A second recessed part 5 is formed at the insulating film 4 through etching, while the etching stopper film 2 on the side peripheral of the first recessed part 3 is exposed in the second recessed part 5, and by making the etching stopper film 2 sputtered so that a sputtering object 6 is deposited as to cover the first recessed part 3, thus allowing etching to stop spontaneously. - 特許庁

基体１上に配置した一対の電極２，４と、電極上及び電極間の基体上に配置されたカーボン膜７を有する電子放出素子を製造する際、電極間の基体表面及び／または電極表面に、炭素化合物のイオンビームを照射すると共に、電極２，４に電圧を印加してカーボン膜７を堆積させる。例文帳に追加

When a pair of electrodes 2, 4 disposed on a base substance 1 and an electron emitting element having a carbon film 7 disposed on the electrodes as well as on the base substance between the electrodes, an ion beam of a carbon compound is irradiated on the base substance between the electrodes and/or the surface of the electrodes, the voltage is applied to the electrodes 2, 4 so that the carbon film 7 is deposited. - 特許庁

基台上の犠牲層の上に該犠牲層が露出する凹所をレジストで形成し、該凹所にプローブ材料を堆積してプローブを形成した後、レジストを除去し、さらにエッチング処理により、犠牲層をその一部を残して除去し、その残部で基台上に保持されたプローブを基台上から剥離することを含むプローブの製造方法。例文帳に追加

In a method of manufacturing the probe, a recess exposed by a sacrifice layer is formed with a resist on the sacrifice layer on the pedestal, after a probe material is accumulated in the recess to form the probe, the resist is removed, the sacrifice layer is removed by performing etching treatment and leaving part thereof, and the probe held on the pedestal by the remaining part includes being peeled from the pedestal. - 特許庁

脱水処理によって出発部材近傍の水酸基を大幅に低減でき、かつ透明ガラス化する際に、出発部材と堆積されたガラス微粒子とにおいてズレや剥離がほとんど発生しない多孔質ガラス母材と、この多孔質ガラス母材を歩留まり良く製造できる多孔質ガラス母材の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a porous glass preform in which a hydroxy group in the vicinity of a starting member can be remarkably reduced by dewatering treatment, and, when it is made into a transparent glass, slippage and peeling are hardly generated between the starting member and deposited glass particulates, and to provide a method for producing a porous glass preform capable of producing the porous glass preform at a high yield. - 特許庁

コインを払い出すには、ベルトコンベアを回転すると、ベルトコンベア上に堆積したコインがベルトの回転につられて回転方向に移動すると共に、ベルトコンベアに接触する弾性板を押し上げて、側板と弾性板に囲まれた空間からベルトコンベアの回転方向に払い出される。例文帳に追加

To eject the coins, when the belt conveyor is rotated, coins accumulated on the belt conveyor are moved in the rotational direction in accordance with the rotation of the belt, also push up the elastic boards being in contact with the belt conveyor and are ejected out of the space surrounded by the side boards and the elastic boards in the rotational direction of the belt conveyor. - 特許庁

チャンバー内に比較的小質量の小片もしくは球状の任意材質で構成する磨滅防護材を、少なくとも装置構成部材が埋没する程度に導入堆積させせた状態で、磨滅防護材上の処理対象物に砥粒を吹き付けることで、装置構成部材を砥粒による磨滅解消を提供するもの。例文帳に追加

Under a condition that a wear protecting material constituted of a given small-piece or sphere-shaped material with comparatively small mass is introduced and accumulated in a chamber at a degree that at least the device constituting member is embedded, abrasive coating is sprayed to a processing object on the wear protecting material, so as to solve wear of the device constituting member due to abrasive coating. - 特許庁

炉底部にコークスを堆積して燃焼させることにより高温燃焼帯３０を形成し、この高温燃焼帯３０の上方から投入された廃棄物を熱分解させてガス化し、その残渣を溶融する廃棄物ガス化溶融炉における廃棄物の処理方法において、粒径が１０ｍｍ〜５０ｍｍの廃プラスチックを羽口７から高温燃焼帯３０へ吹き込む。例文帳に追加

In the method of disposing of waste in a waste gasifying fusion furnace which forms a high-temperature combustion zone 30 by accumulating coke on the bottom of a furnace and combusting it, and thermally cracks the waste inputted from above this high-temperature combustion zone 30 thereby gasifying it, and fuses the residua, the waste plastic 10-50 mm in grain diameter is blown into the high-temperature zone 30. - 特許庁

加工液２中の加工屑等のスラッジが仮に下アーム１３に堆積しても、スラッジが可撓性筒体４０と擦れ合わないので、可撓性筒体４０のシール劣化や加工槽１の摺動抵抗の変化が少なく、加工槽１の移動がスムースであり、工作物Ｗに対する加工精度が向上する。例文帳に追加

Even if sludge such as machine chips in machining fluid 2 is deposited on the lower arm 13, deterioration of sealing of the flexible cylindrical body 40 and the change of slide resistance of the machining tank 1 are few since the sludge does not rub against the flexible cylinder 40, and therefore, the machining tank 1 is smoothly moved, and machining precision of a workpiece W is improved. - 特許庁

半導体製造方法は、半導体基板上に形成された膜にエッチングを施す工程と、エッチングの後に、膜上の堆積物を剥離する薬液を所定の回転数よりも回転数が小さい状態の半導体基板に供給し、その後、半導体基板を所定の回転数よりも大きい高回転数で回転する剥離工程とを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing semiconductor device includes steps of conducting an etching process to a film formed on a semiconductor substrate and peeling the deposits on the film by supplying a chemical solution, after the etching process, to the semiconductor substrate in a state where the substrate is rotated in the number of rotations lower than the predetermined number of rotations and then rotating the semiconductor substrate in the number of rotations larger than the predetermined number of rotations. - 特許庁

この電極製造方法は、ＺｎＳｅ基板１をエッチング液を用いてエッチングするとともに、エッチングされた表面に、エッチング反応で生成する析出物を堆積して保護膜３を形成する工程と、ＺｎＳｅ基板１の表面に形成された保護膜３を除去して、表面１１を露出させる工程と、露出した表面に電極４を形成する工程とを備える。例文帳に追加

The method of manufacturing an electrode comprises a process of etching a ZnSe substrate 1 with an etchant and then forming a protective film 3 by depositing a deposit generated by the etching reaction on the etched surface of the ZeSe substrate 1, and a process of removing the protective film 3 formed on the surface of the ZeSe substrate 1 and then forming an electrode 4 on the exposed surface of the substrate 1. - 特許庁

本発明は、焼却炉２より排出された焼却灰３を受け入れる水貯留容器５と、水貯留容器５内に設置され、湿らせた焼却灰３を排出側へ押し出す押出機６とを備えた灰押出装置１において、押出機６側に位置し、押出機６の後部に堆積した焼却灰３ａを排出側に搬送する搬送手段７を設けている。例文帳に追加

In the ash pusher 1 which is equipped with a water tank 5 for receiving incinerated ash 3 discharged from an incinerator 2 and an extruder 6 for extruding wet incinerated ash 3 to discharge side, a carriage means 7 is provided on the side of the extruder 6 for carrying the incinerated ash 3a accumulated at the rear of the extruder 6 to the discharge side. - 特許庁

基体１００の近傍に、網状部１２４を有して基体１００を被包する第１誘導電極を設け、この第１誘導電極に負のバイアス電圧を印加している間に、第１誘導電極の外部の蒸発粒子発生手段１３０で発生させた蒸発粒子を、網状部１２４から導入して基体１００の表面上に堆積させる。例文帳に追加

The vicinity of a substrate 100 is provided with a primary induction electrode having a network part 124 and covering the substrate 100, and, while negative bias voltage is applied to the primary induction electrode, evaporated particles generated by an evaporated particle generating means 130 at the outside of the primary induction electrode are introduced from the network part 124 and are deposited on the surface of the substrate 100. - 特許庁

本発明の長尺の薄膜線材の製造方法は、ターゲット３とテープ状基材１との間に複数のテープ材２を組合せて配置し、複数のテープ材２の組合せにより構成される粒子通過口２ａを通じてターゲット３から発生させた粒子の一部を選択的にテープ状基材１に堆積させることを特徴とする。例文帳に追加

In the method of producing a long-length thin film wire rod, a plurality of tape materials 2 are combinedly arranged on the space between a target 3 and a tapelike base material 1, and a part of particles produced from the target 3 through a particle passing port 2a composed by the combination of the plurality of tape materials 2 is selectively deposited on the tapelike base material 1. - 特許庁

建設機械の排気ガス浄化システムにおいて、フィルタに多量のＰＭが堆積される前にフィルタの再生を行うことで、再生直前の排気ガスの圧力上昇による出力の低下を回避し、かつ再生を行なった際のＰＭの燃焼によるフィルタ内部温度の異常上昇やそれに由来するフィルタの溶損を引起す可能性を低減する。例文帳に追加

To avoid lowering of an output due to a pressure rise of exhaust gas immediately before regeneration, and reduce the possibility that a temperature inside a filter abnormally rises and a filter is melt-damaged due to the abnormal temperature rise caused by PM combustion during regeneration by regenerating the filter before accumulating a large amount of PM in the filter in an exhaust emission control system for a construction machine. - 特許庁

すなわち、ブラシ摩耗粉は直流ブラシモータ３から離れた場所に収容され、このブラシ摩耗粉がモータ部１ｂのコンプレッサハウジング１の内周面上に堆積することが防止されるため、直流ブラシモータ３に電流を流したときにブラシ摩耗粉を介して直流ブラシモータ３とコンプレッサハウジング１との間で漏電が発生することが防止される。例文帳に追加

Consequently, since brush wear powder is stored in a place remote from the direct current brush motor 3 and the brush wear powder is prevented from accumulating on an inner circumference surface of a compressor housing 1 of a motor part 1, leak between the direct current brush motor 3 and the compressor housing 1 via the brush wear powder when current is passed on the direct current brush motor 3 is prevented. - 特許庁

発酵槽のオ−バ−フロ−口から溢出しシュ−タを経て回収トレイに落流してシュ−タの排出口下方部分に山積み状に堆積する処理済物を、回収トレイの全域に行渡るように均し処理する充填手段を回収トレイに係らせて設けた処理済物回収装置にしている。例文帳に追加

This apparatus is provided with a filling means engaged with the recovering tray for equally distributing the disposed material, which flows down toward the recovering tray from the overflow port of the fermenting tank through the overflow chute and is accumulated and stacked in the lower part of the discharge port of the overflow chute, so that the disposed material can reach the whole area of the recovering tray. - 特許庁

半導体基板上に金属膜を堆積し、第１の熱処理により、金属膜を半導体基板と反応させて、金属半導体化合物層を形成し、金属半導体化合物層に、飛程が金属半導体化合物層の膜厚未満となる条件でＳをイオン注入し、第２の熱処理により、Ｓを再配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: depositing a metal film on the semiconductor substrate; forming the metal semiconductor compound layer by reacting the metal film with the semiconductor substrate by a first heat treatment; ion-implanting S to the metal semiconductor compound layer under a condition so that a range is smaller than a thickness of the metal semiconductor compound layer; and rearranging S by a second heat treatment. - 特許庁

半導体基板１００上に形成された第１及び第２の電界効果型トランジスタの上には第１の保護絶縁膜１０６が堆積されており、該第１の保護絶縁膜１０６の上には、容量下部電極１０９、絶縁性金属酸化膜からなる容量絶縁膜１１０Ａ及び容量上部電極１１１からなる容量素子が形成されている。例文帳に追加

In this device, a first protective insulating film 106 is deposited on a first and second FETs formed on a semiconductor substrate 100, and a capacitor lower electrode 109, an capacitor insulating film 110A composed of an insulating metal oxide film; and a capacitor element comprising a capacitor upper electrode 111 is formed on the first protective insulating film 106. - 特許庁

油化対象物を含む原料を密閉された熱分解釜内で加熱し、該熱分解釜内で分解生成された燃料油を主成分とする気体を冷却することにより燃料油を回収するための油化装置であって、前記熱分解釜が供給された前記原料を混練するための原料混練手段と、底部に堆積した残渣物を前記熱分解釜から排出するための残渣物排出手段とを有する。例文帳に追加

The liquefaction apparatus is designed to recover the fuel oil by cooling a gaseous product mainly composed of the fuel oil produced by pyrolysis of raw materials containing the materials to be liquefied, by heating them in a sealed pyrolysis even which equipped with a means for kneading the charged raw materials and a means for discharging a residual product deposited onto the bottom from the oven. - 特許庁

炭素数１０以上の三環式飽和炭化水素化合物を、固体触媒の存在下に異性化してアダマンタン類を製造する際に、異性化反応工程において、供給する原料中に含酸素化合物が存在していても、該異性化反応器の入口部や反応器内の下部に含酸素化合物由来の固形物が生成、堆積しない、アダマンタン類の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for producing adamantanes by isomerizing a ≥10C tricyclic saturated hydrocarbon compound in the presence of a solid catalyst, wherein, in the isomerization step, oxygen-containing compound originated solid is not produced to accumulate neither on the inlet part of the isomerization reactor nor on the bottom part in the reactor even when the oxygen-containing compound is contained in the supplied material. - 特許庁

半導体デバイスの第１の層１０４と第２の層１０８との間の部分的に酸化されたインタフェース１１０を持つ第１の層１０４に水素含有プラズマを作用させて、酸化されたインタフェース１１０を減少させ、第２の層１０８形成材料にも水素含有プラズマを作用させて、酸化防止の環境下で第１の層１０４上に堆積させる。例文帳に追加

An oxidized interface 110 in a semiconductor device having a first layer 104 and a second layer 108 is reduced by introducing a hydrogen- containing plasma to the first layer 108 having the oxidized interface 110, and the material used for forming the second layer 108 is deposited on the first layer 104 in an oxidation preventing environment by also introducing the hydrogen-containing plasma to the material. - 特許庁

シートの堆積交換時に遊動ラップコンベヤの第１ラップコンベヤの増減速と変動長さＬ_１を調整遊動することと、第２ラップコンベヤの増減速に加えて横移動することと、第３ラップコンベヤの増減速と変動長さＬ_３の調整遊動を自在にして山替えを容易にすることができる。例文帳に追加

Acceleration or deceleration and variation length L_1 of a first lap conveyer of a free lap conveyer are freely adjusted and played in changing the stack of sheets, a second lap conveyer is freely laterally moved in addition to the acceleration or deceleration, and the acceleration or deceleration and variation length L_3 of a third lap conveyer are freely adjusted, thereby facilitating transfer. - 特許庁

粉体もしくは液状の薬剤を呼吸ガス中に分散させる手段と、呼吸ガス供給手段を有する薬剤投与器において、薬剤を呼吸ガス中に分散させる手段に、スパイラルフローノズル用ることにより、薬剤を呼吸ガス中に均一分散させ、薬剤の局所的な堆積を防ぐことによって、効果を高めた薬剤投与器である。例文帳に追加

A spiral flow nozzle 4 is used for the means for dispersing the drug into respiratory gas of the drug administrating device for dispersing the powdery or liquid drug into the respiratory gas, by which the drug is uniformly dispersed into the respiratory gas and the local deposition of the drug may be prevented. - 特許庁

サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮなどの基板本体と、その表面に直接またはバッファ膜を介してエピタキシャル堆積された良好な結晶性および平坦性を有するＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ，ｙ，ｚ≧０）膜とを具える半導体デバイスおよびその製造方法およびこのような半導体デバイス用の基板を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, a method for manufacturing the same and a substrate for such a semiconductor device having a substrate body of a sapphire, SiC, GaN or the like and an AlxGayInzN (x+y+z=1, x, y, z≥0) film having good crystallinity and flatness and epitaxially deposited on its surface directly or via a buffer film. - 特許庁

本発明のスイッチ（１００）は、該スイッチ内部に形成された主チャネル（１２０）と少なくとも１つの廃棄チャンバ（２１０、２１２）を備えるチャネルプレート（１１０）と、少なくとも１つの接触パッド（１６０、１６２、１６４）を備える基板（１５０）と、前記少なくとも１つの接触パッド上に堆積された液体スイッチング素子（１８０）と、を有する。例文帳に追加

The switch 100 has a channel plate 110 provided with a main channel 120 formed in a switch interior, and at least one disposal chamber 210 and 212, a substrate 150 provided with at least one contact pad 160, 162 and 164, and the liquid switching element 180 deposited on at least one contact pad. - 特許庁

電子写真用感光体の製造としてアルミニウムを主成分とする円筒状基体を切削加工し、その後、珪酸塩を含んだ水により洗浄をおこなうことで１０μｍ×１０μｍ範囲における表面粗さＲａが２．５ｎｍ以下の範囲である被膜を形成し、その後、プラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン層を堆積させる。例文帳に追加

For manufacturing the electrophotographic photoreceptor, the cylindrical base body mainly consisting of the aluminum is machined, and then, coating film whose surface roughness Ra in the area of 10 μm X 10 μm is set to ≤2.5 nm is formed by cleaning with water incorporating silica salt, and the amorphous silicon layer is heaped by a plasma CVD method. - 特許庁

支持体上に気相堆積法により形成された柱状結晶の輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、該支持体の波長４４０ｎｍの表面反射率が５０％〜１００％であり、かつ、該支持体の表面うねり（ＷＣＡ）が０．１〜１．０であることを特徴とする放射線像変換パネル。例文帳に追加

In this radiographic image conversion panel having a stimulable phosphor layer containing a columnar crystal of stimulable phosphor formed by a vapor deposition method on a support body, a surface reflectance of the support body is from 50 to 100% at 440 nm of wavelength, and surface waviness of the support body (WCA) is from 0.1 to 1.0. - 特許庁

充填塔の充填層に余剰汚泥等が堆積して目詰まりが顕在化する前に目詰まりの発生を予防することにより、脱臭性能の一時的低下をもたらすこと無く、脱臭性能を長期にわたり安定的に維持することができる生物脱臭装置及びその洗浄方法を提供する。例文帳に追加

To provide a bio-deodorization system capable of stably keeping a deodorization performance for a long period of time without causing a temporary deterioration of the deodorization performance by taking a preventive measure of clogging before the clogging substantially appears due to the deposition of extra sludge and the like in the packed bed of a loading tower and a method for washing the same. - 特許庁

生体セラミックス結晶を電気泳動堆積法によって形成する方法の特徴を生かし、これを改善することで、クラックの発生や基板の剥離という不都合の発生を抑えることができる、薄膜のセラミック結晶膜を形成することを可能とし、生体内で生じる様々な反応の解析等に有用な、リン酸カルシウム化合物のバイオセンサー構成体と、その製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a biosensor formation of calcium phosphate compound and a manufacturing method thereof, which are useful for analysis and the like of various reaction, arising within the living body and capable of forming filmy ceramic crystal film that can suppress the occurrences of cracks and nonconformities, such as peeling of a substrate by employing the compound the method to improve the characteristics biomedical ceramic crystal with the electrophoresis depositing method. - 特許庁

本発明は、堆積岩土壌に無機酸を加えて得られる非晶質鉄水和複合体を水の電気分解で得られる水素ー酸素混合気体と共にマイクロバブル化して反応させる事を特徴とする新規土壌改善剤の製造方法及び其の方法に依って得られる土壌改善剤を提供する事を課題とする。例文帳に追加

To provide a method for producing a new soil conditioner, which is characterized in that, an amorphous iron hydrate complex obtained by adding an inorganic acid to a sedimentary rock soil, is brought into micro-bubbles together with a hydrogen-oxygen mixed gas prepared by electrolysis of water, followed by reacting them; and to provide the soil conditioner obtained by the same. - 特許庁

本発明の構造化触媒は、自己担持型であり、気相反応物および生成物の移動を促進する三次元構造を有する１以上の混合金属酸化物触媒、ならびに気相反応物および生成物の移動を促進する開口部を有する連続単位構造の三次元形状上に堆積された１以上の混合金属酸化物触媒を含む。例文帳に追加

The structured catalyst is self-supported type, which contains a mixed catalyst of one or more metal oxides having a three-dimensional structure increasing the movement of gas phase reaction materials and its product and a mixed catalyst of one or more metal oxides deposited on a three-dimensional shape of a continuous unit structure having an opening increasing the movement of the gas phase reaction materials and the product. - 特許庁

従来技術の、プラチナ下部電極の低温堆積技術を利用して製造した強誘電性キャパシタと比較して、疲労に対する抵抗性の改善された強誘電性キャパシタを提供し、また、従来技術の強誘電性キャパシタスタックと比較して、強誘電性キャパシタスタックの全体としての応力を減じ、かつその熱安定性を高めること。例文帳に追加

To provide a ferroelectric capacitor, whose resistance to fatigue is improved, when compared to a ferroelectric capacitor which is manufactured by employing a low-temperature deposition technique for a platinum lower electrode of a conventional technique, and reduce stress and raise its thermal stability as the whole of a ferroelectric capacitor stack, when compared to a ferroelectric capacitor stack of the conventional technique. - 特許庁

フラックスインジェクション回転脱ガス装置により非ナトリウム系フラックスを用いてアルミニウム合金溶湯を処理する際に、未反応フラックスの付着・堆積を防止して高い脱滓効果を確保した非ナトリウム系フラックスおよびそれを用いたアルミニウム合金溶湯の処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sodium-free flux which prevents the adhesion and deposition of an unreacted flux and secures a high slag-removing effect, when treating a molten aluminum alloy with the use of a sodium-free flux and a flux-injection rotary degassing device, and to provide a method for treating the molten aluminum alloy using the same. - 特許庁