1016万例文収録!

「堆積」に関連した英語例文の一覧と使い方(229ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定


セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

堆積を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 11987



例文

土壌、汚泥、堆積物、廃棄物、焼却灰等の固体状被汚染物から、重金属類の難溶性の画分(部分)まで確実に除去し、固体状被汚染物中重金属類含有濃度そのものを低下させ、将来にわたって汚染リスクを排除することができる固体状被汚染物の処理方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for treating solid polluted materials which surely remove even hardly soluble portions (parts) of heavy metals from solid polluted materials such as soil, sludge, deposits, waste materials and incineration ash, reduce the concentration itself of heavy metals in the solid polluted materials, and eliminate the pollution risk in the future. - 特許庁

ここで、紙出口5の下端縁5aを規定している水平なステージ面40のプリンター幅方向の他方の端側部分の紙排出方向の上流端縁50aには切り欠き開口44が形成されているので、落下した糊は切り欠き開口44から落下して、ステージ面40上に堆積することがない。例文帳に追加

Here, a notched opening 44 is formed on an upstream edge 50a in a paper discharge direction at the other end side part in the printer width direction of the horizontal stage surface 40 defining the lower edge 5a of the paper outlet 5, and therefore the fallen paste falls from the notched opening 44 and does not accumulate on the stage surface 40. - 特許庁

対向電極を形成する際に、対向電極101,103の間隙部および周辺支持部に粉体酸化珪素を主成分とし硼素またはリンを高濃度に含む接着層105を堆積し、対向電極を形成する2枚の基板を接着した後、対向電極間隙部104の接着層を取り去ることによって、対向電極構造を形成する。例文帳に追加

At the forming of the counter electrodes, an adhesive layer 105 including powder silicon oxide as main components and boron or phosphorus with high concentration is accumulated at the interval part and peripheral supporting part of the counter electrodes 101 and 103, and two substrates forming the counter electrodes are adhered, and then the adhesive layer of the counter electrode interval part 104 is removed so that the counter electrode structure can be formed. - 特許庁

気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けて基材表面に酸化物膜を堆積する大気開放型化学気相析出法において、反応空間場に電界を印加することを特徴とする基材表面に形成する酸化物膜の構造を制御する。例文帳に追加

In the open-to-atmosphere type chemical gas phase deposition method to deposit the oxide film on the substrate surface by blowing a gasified raw material together with a carrier gas on the substrate surface heated in open to atmosphere, it is featured that the structure of the oxide film deposited on the substrate surface is controlled by imparting an electric field to a reaction space field. - 特許庁

例文

超音波トランスデューサにおいて、超音波を送受信する振動子を形成する圧電体層10と被検体との間において音響インピーダンスを整合させる音響整合層14であって、互いに音響インピーダンスの異なる複数の材料を用い、該複数の材料の混合割合を堆積された膜の厚さに応じて変化させながら成膜を行うことにより形成されている。例文帳に追加

This acoustic matching layer 14 matches an acoustic impedance between the object under test and a piezoelectric material layer 10 forming a piezoelectric vibrator for transmitting and receiving an ultrasonic wave in the ultrasonic transducer, and is formed by performing film forming by using a plurality of materials having acoustic impedances different from one another, and changing the ratios of mixing of the plurality of materials according to the thickness of deposited films. - 特許庁


例文

また、第1層間絶縁膜4にコンタクト孔8を形成し高融点金属シリサイドを全面に堆積させた後にエッチバックを行うことなく、そのまま高融点金属シリサイドのパタ−ニングを行い、ビット線10を含む金属配線を形成しているので製造工程を短縮できる。例文帳に追加

Also, a contact hole 8 is formed in a first interlayer insulating film 4, and the high melting point metal silicide is accumulated on the whole face, and the patterning of the high melting point metal silicide is carried out without operating etching- back, and metallic wirings including the bit lines 12 are formed so that a manufacturing process can be shortened in time. - 特許庁

薄膜堆積用複合分子線源セルは、それぞれ成膜材料9、10を収納し、これら成膜材料9、10を気化させるヒータ7、8と、これら坩堝1、2から気化した成膜材料9、10の分子を1つの空間にまとめて混合する混合室5と、この混合室5から混合した分子を放出する放出口6とを有する。例文帳に追加

The multiple molecular beam source cell for thin film deposition has crucibles 1, 2 housing respective film forming materials 9, 10, heaters 7, 8 for vaporizing the film forming materials, a mixing chamber 5 for collecting the molecules of the film forming materials 9, 10 vaporized from the crucibles 1, 2 and mixing and a releasing port 6 for releasing mixed molecules from the mixing chamber 5. - 特許庁

処理容器(真空室)内に導入された原料ガスを発熱体によって分解及び/又は活性化させ、処理容器(真空室)内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体CVD装置において、発熱体の長寿命化と、発熱体の固定方法の改善が図られ、生産性の向上された発熱体CVD装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heater CVD system for depositing a thin film on a wafer placed in a treatment vessel (vacuum chamber) by decomposing and/or activating a material gas introduced into the treatment vessel (vacuum chamber) by a heater, where the heater longer service life is turned longer, a method of fixing the heater is improved and productivity is improved. - 特許庁

紫外線蛍光灯131の光が酸化チタン膜132に照射されることによって、水素、酸素、二酸化炭素、窒素等の微細気泡が発生し、発生したこの気泡は、沈殿分離槽110の槽底部に堆積した汚泥物S1に付着しスカムS2となって水面付近へと浮上するようになっている。例文帳に追加

The titanium oxide film 132 is irradiated with light of the ultraviolet fluorescent lamp 131 to generate fine gas bubbles of hydrogen, oxygen, carbon dioxide, nitrogen and the like and these fine gas bubbles adhere to the sludge matter S1 deposited on the bottom part of the sedimentation/separation tank 110 to float the sludge matter S1 to the vicinity of the surface of the water as scum S2. - 特許庁

例文

沈殿池の底面に堆積した汚泥を往復動式の汚泥掻寄機を用いて排出するとともに、その沈殿池の水面上のスカムを往復動するスクレーパを有するスカム掻寄機を用いて掻寄せて排出する沈殿装置において、前記スカム掻寄機の往復動の駆動源は、前記汚泥掻寄機の駆動機構から分岐して得られたものであることを特徴とする。例文帳に追加

In a sedimentation apparatus constituted so that sludge deposited on the bottom surface of the sedimentation basin is discharged using a reciprocating sludge scraper and scum on the surface of the water of the sedimentation basin is scraped up by a scum scraper having a reciprocating scraper to be discharged, the drive source for moving the scum scraper forward and backward is branched from the drive mechanism of the sludge scraper. - 特許庁

例文

パルス軌道回路110及び直流軌道回路において、厚い錆や、大量の降灰、黄砂、落葉等がレール10上に堆積した状態でも、列車の検知をより確実に行うバックアップ装置120を付加した列車検知装置100を、現状の軌道回路を極力そのまま使用し、シンプルな構成で、より低コストに実現させる。例文帳に追加

To provide a train detection device 100 having a backup device 120 for reliably detecting a train even when thick rust, a large amount of ash fall, yellow sand, fallen leaves or the like is deposited on a rail 10 in a pulse track circuit 110 and a DC track circuit with a simple structure at low cost while using the present track circuit as much as possible. - 特許庁

パージ液の循環経路90,91,93,94内を循環するパージ液を限外濾過フイルタ等のタンパク質除去フイルタ71によって濾過し、このパージ液中に侵入するタンパク質を除去し、このタンパク質を除去したパージ液を人工心臓1に送り、その内部のシール機構等にタンパク質が凝固堆積するのを防止してその機能低下を防止する。例文帳に追加

A purge solution which circulates within purge solution circulating passages 90, 91, 93, 94 is filtered by a protein removal filter 71 such as an ultrafiltration filter, to remove proteins that enter the purge solution, and the purge solution free from the proteins is supplied to an artificial heart 1 to prevent protein coagulation and deposition on a sealing mechanism or the like inside it, thereby preventing its functional degradation. - 特許庁

電極の下部絶縁部材の側面に堆積する中性塩のスラッジに起因して、当該電極とそれを受ける電極座間の絶縁抵抗が下がるのを効果的に阻止することができ、電極周りに配置される絶縁部材の交換周期を延長できるステンレス鋼帯の電解設備における電極の絶縁装置を提供する。例文帳に追加

To provide an isolator for electrodes in electrolytic equipment for a stainless steel strip where the phenomenon that, caused by the sludge of a neutral salt deposited on the side face of the lower insulation member in each electrode, the reduction of the isolation resistance between each electrode and each electrode seat receiving the same can be effectively checked, and the exchanging period of each isolation member arranged around each electrode can be elongated. - 特許庁

層40の堆積は、(i)第1流量において、第1反応物質が真空チャンバ内へと流入する段階、(ii)真空チャンバ内への第1反応物質の流入を、第2流量に低下させる段階、および(iii)第1反応物質の真空チャンバ内への流入を、第3流量へと増加させる段階を連続して行うことによって実施される。例文帳に追加

The layer 40 is piled up by the continuous steps of a first reaction substance is allowed to enter a vacuum chamber at a first flow rate, the inflow of the first reaction substance into the vacuum chamber is lowered to that of a second lower flow rate, the inflow of the first reaction substance into the vacuum chamber is increased in steps to a third flow rate. - 特許庁

転写残トナー21中に、クリーニング助剤22を10〜40質量%の混合比率で外添、混合し、クリーニングブレード19と中間転写体4との当接部位に供給することで、ブレードのエッジ先端部に、クリーニング助剤22が層状に堆積する構成とし、当接圧を増すことなく球形トナーの掻き取り除去を可能とする。例文帳に追加

By externally adding and mixing a cleaning assistant 22 in the toner left after transfer 21 by a mixing ratio of 10 to 40 mass %, and supplying the resultant mixture to the abutting part of the cleaning blade 19 on the intermediate transfer member 4, the cleaning assistant 22 is accumulated in a layer state at the edge part of the blade, so that the spherical toner can be scraped and removed without increasing abutting pressure. - 特許庁

かかる構成により,貯留された液体Wと衝撃吸収部材60だけでなく,堆積した研磨材Aをも緩衝材として利用して高圧液噴流168の衝撃を減衰できるので,キャッチタンク30の損傷を確実に防止でき,衝撃吸収部材60の消耗を抑制できる。例文帳に追加

By this arrangement, not only the stored liquid W and the shock absorbing member 60 but also the deposited abrasive material 1 can be used as shock absorbing material to damp shock of the high pressure liquid jet 168, whereby damage of the catch tank 30 can be surely prevented and wearing of the shock absorbing member can be restrained. - 特許庁

本発明は、減圧下で発光性材料を含む溶液を陽極もしくは陰極に向けて噴射し、前記溶液が前記陽極もしくは陰極に到達するまでの間、該溶液中の溶媒を揮発させると共に、残存した前記発光性材料を前記陽極もしくは陰極上に堆積させて発光層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。例文帳に追加

In the manufacturing method of an light emitting device, a solution containing a light emitting material is sprayed to an anode or a cathode at reduced pressure, and before the solution reaches the anode or the cathode, a solvent in the solution is volatilized, and the remained light emitting material is deposited on the anode or the cathode, and thereby a light emitting layer is formed. - 特許庁

550℃以下の温度でハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱CVD法を用いて、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材上にSiGeあるいはGeの結晶核を形成し、該結晶核上に気相堆積法でSi多結晶膜を形成する半導体基材の製造方法により、上記課題を解決する。例文帳に追加

This production method of a semiconductor base material comprises: forming crystal nucleus of SiGe or Ge on a base material, such as an amorphous, a polycrystal and a metal using a heat CVD method which is performed at a temperature of 550°C or lower using a germanium halide and silanes as raw materials; and forming a Si polycrystal film on the crystal nuclei by a vapor phase deposition method. - 特許庁

酸化物層をエッチングして、基板上にゲート112に隣接させて第一酸化物スペーサ108を残し、その上に堆積した窒化物層等をマスクとしてゲートポリシリコン層112及び基板におけるソース領域106を選択的にエッチングして、実質的に垂直な面と水平な面を含む凹部117をソース領域106の隣に形成する。例文帳に追加

An oxide layer is etched, by which a first oxide spacer 108 is left on a substrate adjacent to the gate polysilicon layer 112, the gate polysilicon layer 112 and the source region 106 of the substrate are selectively etched using a nitride layer or the like deposited on the oxide spacer 108 as a mask, and a recess 117 which includes a vertical plane and a horizontal plane is formed adjacent to the source region 106. - 特許庁

堆積した処理物の総重量が変化することによって開閉調節される開閉チャフシーブと、この開閉チャフシーブからの処理物に作用する固定チャフシーブとを備えている脱穀装置において、穀粒が塵埃と共に機外に排出される損失を効果的に抑制できるようにする。例文帳に追加

To effectively reduce the loss of grains discharged with dust to the exterior of a machine in a threshing apparatus having an opening and closing chaff sieve regulated according to the change of the total weight of an accumulated treating material so as to be opened and closed, and a fixed chaff sieve acting on the treated material from the opening and closing chaff sieve. - 特許庁

建設機械の排気ガス浄化システムにおいて、フィルタに多量のPMが堆積される前にフィルタの再生を行うことで、再生直前の排気ガスの圧力上昇による出力の低下を回避し、かつ再生を行なった際のPMの燃焼によるフィルタ内部温度の異常上昇やそれに由来するフィルタの溶損を引起す可能性を低減する。例文帳に追加

To avoid degradation of an output due to a pressure rise of exhaust gas immediately before regeneration, and reduce the possibility that temperature inside a filter abnormally rises and a filter is melt-damaged due to the abnormal temperature rise caused by PM combustion during regeneration by regenerating the filter before accumulating a large amount of PM in the filter in an exhaust emission control system for a construction machine. - 特許庁

さらに、ポリマー被覆粒子の水性分散物を製造する方法と、このような水性分散物を製造する方法に有用な重合性ポリマーと、このような水性分散物から形成される粉末コーティング組成物と、少なくとも一部がこのような組成物でコーティングされた支持体と、このような組成物から堆積された非隠蔽性コーティング層を含む反射面とを製造する方法が開示される。例文帳に追加

Also following methods are disclosed: a method for producing the aqueous dispersion of polymer-enclosed particles; and methods for producing a polymerizable polymer useful in the method for producing such the aqueous dispersion, a powder coating composition formed from such the aqueous dispersion, a substrate at least partially coated with such the composition, and a reflective surface including a non-hiding coating layer deposited from such a composition. - 特許庁

レジスト膜8を除去した後、全面に第2のレジスト膜13を堆積し、メモリセルトランジスタ領域Aのチャネル領域に対応させて第2のレジスト膜13をパターニングし、第2のレジスト膜13にメモリセルトランジスタ領域Aのチャネル領域に対応するホール13aを形成し、第2のレジスト膜13を熱及び紫外線により硬化させる。例文帳に追加

After a resist film 8 is removed, the second resist film 13 is deposited over the entire surface and is patterned, in correspondence with the channel region of a memory cell transistor regions A to form holes 13a corresponding to the channel regions of the memory cell transistor region A in the second resist film 13, and then the second resist film 13 is cured with heat and ultraviolet rays. - 特許庁

廃棄物堆積場に用いられる遮水シート状材料において、少なくとも1枚の、水分を透過しないシート本体3と、該シート本体3の上または下に配置された導電性膜2と、該導電性膜2の上および/または下に積層された不織布シートとから構成され、前記不織布シートの少なくとも1枚が水膨潤性不織布シートHである。例文帳に追加

The sheet used for waste disposal facilities is constituted of the main body 3 of at least one water-impermeable sheet, an electrically conductive film 2 arranged on or under the main body 3 and a nonwoven fabric sheet laminated on and/or under the conductive film 2, and at least one of the nonwoven fabric sheets is a water swelling nonwoven fabric sheet H. - 特許庁

反応容器内に張られたヒータ線1を加熱し、ヒータ線1の表面で原料ガス分子を熱分解し、基板上に、シリコン又はシリコン化物からなる膜を堆積させる発熱体CVD装置において、ヒータ線1の低温部分を、シリサイド化される金属からなるシリサイド化防止材5、7により包囲する。例文帳に追加

In the heater CVD system where a heater wire 1 stretched inside a reaction vessel is heated, raw material gas molecules are thermally decomposed at the surface of the heater wire 1, and a film composed of silicon or silicone is deposited on a substrate, the low temperature part in the heater wire 1 is surrounded by silicidation preventive materials 5, 7 composed of a metal to be subjected to silicidation. - 特許庁

このような不織布バッグフィルタ材料は、ダスト捕集用不織布及び支持基布を重ね、必要に応じそれらを仮止めするためにダスト捕集用不織布側からニードルパンチ処理を行った後に、支持基布側に堆積ダスト剥離シートを重ね、ダスト捕集用不織布側からステッチ縫合することにより製造する。例文帳に追加

The filter material is produced by laminating the nonwoven fabric for dust collection and the supporting base cloth, if necessary, after needle punched processing is performed for tentatively fastening them from the side of the nonwoven fabric for dust collection, laminating the releasing sheet for heaped dusts on the side of the supporting base cloth and stich sewing them from the side of the nonwoven fabric for dust collection. - 特許庁

PCVバルブ内の体内通路に形成された計量部でのブローバイガスの流速を高めるとともに乱流を抑制し、ブローバイガスの体内通路内での流れをスムーズにして、ブローバイガス中のスラッジが計量部やスプリングに付着堆積することを抑制し、エンジンの損傷を防止する。例文帳に追加

To suppress the deposition and accumulation of sludge in blow-by gas on a measurement part or a spring to prevent damage to an engine by improving the flow rate of the blow-by gas in the measurement part formed in a body passage of a PCV valve and suppressing the turbulent flow thereof to smooth the flow of the blow-by gas in the body passage. - 特許庁

BTBAS(ビス3級ブチルアミノシラン)ベースの窒化膜(BTN)の剥離を抑えるため、反応管の石英と同じSiO_2からなる酸化膜(BTO)をプリコート膜として反応管上に形成していても、堆積膜を除去するためのガスクリーニングの終点を適当に定め、総膜厚を抑えることのできる減圧CVD装置を提供する。例文帳に追加

To provide a low pressure CVD device capable of suppressing total film thickness by properly specifying an end point of gas cleaning for removing a deposition film, even if an oxide film (BTO) of SiO_2 which is identical with quartz of a reactive tube is formed on the reactive tube as a precoat film for suppressing peeling of nitride film (BTN) of BTBAS (bis tertiary butylamino silane) base. - 特許庁

パーツフィーダーは、パーツ堆積物に振動を与えてパーツを搬送する搬送装置と、搬送装置の上方に配置され、搬送装置に載置され搬送されるパーツにイオンを供給するイオン発生装置と、イオンを少なくともパーツの外部雰囲気に露呈してない面に導くように空気を吸引するための空気流路部と、を備える。例文帳に追加

The part feeder 10 includes a conveying device 12 for conveying parts by imparting the vibration to a pile of parts, an ion generating device 16 which is disposed above the conveying device for providing ions to the parts 14 loaded on and conveyed by the conveying device, and an airflow passage part 18 for sucking in air to introduce ions to a surface not exposed to at least an outer atmosphere of the parts. - 特許庁

Si(OR)_n H_m 化合物(但し、Rはアルキル基であり、n+m=4)と、SiF_p (OR)_q 化合物(但し、Rはアルキル基であり、p+q=4)と、酸化性ガスとを含む反応ガスをプラズマ化して反応させ、被堆積基板103上にシリコン含有絶縁膜204を成膜する成膜方法による。例文帳に追加

This silicon-containing insulating film 204 is formed on a substrate 103 through causing a reaction by ionizing a reaction gas, containing an Si(OR)nHm compound (where R is a alkyl group and n+m=4), an SiFp(OR)q compound (where R is an alkyl group and p+q=4), and an oxidizing gas into a plasma with a microwave. - 特許庁

有機物雰囲気下にあるチャンバ2に収容されたマスク1に対し、遠紫外線ランプ5および遮光板6の作用により遠紫外線を局所的に照射して、マスク1の遮光パターン12が形成された面とは反対側の面上に、有機物を局所的に堆積させて、露光波長に対する透過率をショット内で自由に制御する。例文帳に追加

A mask 1 housed in a chamber 2 containing an organic substance environment is locally irradiated with far UV rays by the effect of a far UV lamp 5 and a shielding plate 6 to locally deposit the organic substance on the opposite face of the mask 1 to the face where the light shielding pattern 12 is formed so as to arbitrarily control the transmittance at the wavelength of the exposure light in the shot region. - 特許庁

これと共に、これら高温ガスビーム2b,2cと前記基板1の表面とにより画成された高温空間6に、堆積性を有する膜形成用の熱分解ガス7を供給し、それを熱分解させて活性種を生成させ基板1の表面に吹き付けることにより、熱CVD膜を形成することができる。例文帳に追加

Together with this, a pyrolysis gas 7 for forming a film having deposition performance is supplied to a high-temperature space 6 defined by the high-temperature gas beams 2b, 2c and the surface of the substrate 1, and the supplied gas is pyrolyzed to generate radicals and is emitted to the surface of the substrate 1, and thereby, a thermal CVD film can be formed. - 特許庁

ホスゲンを製造する際、ニッケルを含有する固体の化合物が固体触媒層上への堆積や固体触媒層の間隙に詰まりによる圧力損失上昇および固体触媒の劣化を抑制し、固体触媒の更新頻度を少なくして、コスト的に有利で、かつ生産効率に優れたホスゲンの製造方法を提供する。例文帳に追加

To suppress, when phosgene is produced, the increase of pressure drop and the deterioration of a solid catalyst due to the deposition of a nickel-containing solid compound on a solid catalyst layer and the clogging of the solid catalyst layer with the compound, so that the renewal frequency of the solid catalyst is reduced, and to provide a method for producing phosgene in a cost-wise advantageous manner with excellent production efficiency. - 特許庁

薄膜の製造方法は、基材上に原料粉末を供給する工程(S10)と、原料粉末に対してパルスレーザを照射して原料粉末を昇華させる工程(S30)と、昇華した原料粉末を構成する材料を、基材に対向して配置された基板上に堆積させる工程(S40)とを備えている。例文帳に追加

The method for depositing the thin film includes: a step (S10) of supplying raw material powder onto a base material; a step (S30) of irradiating the raw material powder with pulsed laser to sublime the raw material powder; and a step (S40) of depositing a material constituting the sublimed raw material powder on a substrate arranged to be opposed to the base material. - 特許庁

刈られて平均1〜15cmの長さに切断された草と木材チップとを混合して混合物を得る工程と、該混合物を載置面上に堆積して発酵させ混合発酵物を得る発酵工程と、葉が発酵して成る腐葉土状物を準備する工程と、該腐葉土状物と前記混合発酵物とを混合する工程とを含む堆肥の製造方法であり、その製造方法により得られた堆肥である。例文帳に追加

The compost is obtained by the manufacturing method. - 特許庁

流体噴射装置用吸引プラテンアセンブリは、複数の吸引孔(102)を有するプラテン(101)を備え、前記複数の吸引孔の少なくとも1つ(102B)はそれぞれ、目詰まり回避形状を有する側壁(208A,208B)を有して、前記側壁における媒体破片および流体粒子を含むエアゾールの堆積を実質的に回避する。例文帳に追加

The suction platen assembly for a fluid ejector comprises a platen (101) having a plurality of suction holes (102) wherein at least one (102B) of the plurality of suction holes has a side wall (208A, 208B) shaped to avoid clogging thus substantially avoiding deposition of fragments of a medium and aerosol containing fluid particles on the the side wall. - 特許庁

ジメチル亜鉛などの有機化合物及び酸素などの気体元素化合物を出発原料として、エキシマレーザー21照射により中間準位を経ない非共鳴の多光子吸収により解離及びイオン化し、イオン化された元素を電磁場55による質量分離法により不純物を分離して所定のイオン化元素のみをターゲット61上に堆積させる。例文帳に追加

An organic compound such as dimethylzinc and a gas element compound such as oxygen are used for starting materials, which are dissociated and ionized by non-resonant multiple photon absorption not through an intermediate level by emission of an excimer laser 21, and impurities are separated from the ionized elements by the mass separation method using an electromagnetic field 55 to deposit only the prescribed ionized elements onto a target 61. - 特許庁

本発明は、減圧下で発光性材料を含む溶液を陽極もしくは陰極に向けて噴射し、前記溶液が前記陽極もしくは陰極に到達するまでの間、該溶液中の溶媒を揮発させると共に、残存した前記発光性材料を前記陽極もしくは陰極上に堆積させて発光層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。例文帳に追加

This is the production method of the light-emitting device in which solution containing a luminescent material is sprayed on an anode or a cathode under reduced pressure, and a solvent in the solution is made volatilized until the solution reaches the anode or the cathode, and the remnant luminescent material is made deposited on the anode or the cathode to form a light-emitting layer. - 特許庁

TEOSシリコン酸化膜117を異方性にエッチング(RIE)することにより、開口部の側壁にサイドウォール119Aを残すように、また、MOSトランジスタのゲート部とPoly−Si膜との段差部にスペーサ119Bの形成を行い、さらに全面にPoly−Si膜120を堆積させる。例文帳に追加

A side wall 119A is left on the side wall of an opening part by ansotropically etching (RIE) a TEOS silicon oxidation film 117, a spacer 119B is formed on a level difference part between the gate part of a MOS transistor and a Poly-Si film, and further the Poly-Si film 120 is accumulated on the whole face. - 特許庁

また、蒸着材料を収容する容器と、容器内に収納され、空孔を含む加熱媒体と、空孔内に蒸着材料が充填された蒸着源と、蒸着材料を加熱する加熱手段とを具備し、加熱手段によって蒸着材料を蒸発させることにより、基板上に蒸着膜を堆積するように構成した蒸着装置とした。例文帳に追加

Moreover, by providing the container in which the evaporation material is accommodated, the heating medium accommodated in the container with pores, an evaporation source filled up with the evaporation material in the porous parts, and a heating means to heat the evaporation material, and by making the evaporation material evaporate by the heating means, the evaporation films are deposited on a substrate. - 特許庁

予め位置合わせ用溝4に堆積した酸化膜5のみをフォトレジストをマスクとして選択的に薄くすることにより、その後の平坦化加工においても、位置合わせ用溝4の領域が平坦になることはなく、素子絶縁分離工程に続く工程の目合わせ用マークとして有効に機能させることができる。例文帳に追加

Merely an oxide film 5 that is deposited, in advance, in a groove 4 for alignment is selectively thinned with photo resist as a mask, thus preventing the region of the groove 4 for alignment from being flattened even in a flattening machining after that, and hence achieving an effective function as the mark for positioning of a process following after an element insulation and isolation process. - 特許庁

圧延工程において排出される冷却水や金属ストリップより剥離したスケールを捕集し押し流すスケールスルースにおいて、スケールスルース流路への堆積物を排除するように、水を貯留するタンクから間欠的に多量に流水することを特徴とするスケールスルース内の流水方法。例文帳に追加

In this running water method in the scale sluice for collecting and washing away cooling water discharged in a rolling process and scale separated from a metallic strip, a large quantity of water is intermittently run from a tank in which the water is stored so as to remove the deposit in the flow passage of the scale sluice. - 特許庁

次いで、リフトオフ用マスク層上に配線パターン材料層を堆積し、露光されたリフトオフ用マスク層を剥離することにより、配線パターン材料層から形成された各コアに対応する複数の正規パターンと各正規パターンの少なくとも片側に該正規パターンから所定間隔離間して形成された複数のダミーパターンを形成する。例文帳に追加

Next, a plurality of normal patterns corresponding to the respective cores formed from a wiring pattern material layer and a plurality of dummy patterns formed at least one side of each of the normal patterns apart from the normal pattern by a prescribed interval are formed by depositing the wiring pattern material layer on the mask layer for lift-off and peeling off the exposed mask layer for lift-off. - 特許庁

この排気浄化システムでは、コーク堆積量ΣCkが所定の閾値以上となった場合には、コーク除去フラグF_CkRegを“1”にセットし、プラズマリアクタによりプラズマを発生させながら、空気供給装置により空気を供給させ、活性酸素を含む活性ガスを改質触媒に供給するコーク除去制御を実行する。例文帳に追加

When the deposited amount ΣCk of the coke reaches equal to or above a prescribed threshold value in the exhaust emission control system, a coke removal flag F_CkReg is set to "1", air is supplied by the air supply device while generating plasma by the plasma reactor and a coke removal control by supplying an active gas containing active oxygen to the reforming catalyst is carried out. - 特許庁

合成繊維からなる樹脂繊維網の少なくとも一方の面に、気相堆積法に従い、高い抗菌作用を有する銅または銀を10μg/cm^2〜30μg/cm^2の範囲で付着せしめ、続いてその上から、ステンレスを8μg/cm^2〜24μg/cm^2の範囲で付着せしめることによって達成される。例文帳に追加

Copper or silver having a high antimicrobial effect is adhered in a range of 10-30 μg/cm^2 on at least one surface of a resin fiber screen made of a synthetic resin by a vapor deposition method, and stainless steel is adhered thereafter in a range of 8-24 μg/cm^2 on top of it. - 特許庁

基板100を提供することと、前記基板100の上に非晶質シリコン層114を堆積することと、プラズマを前記非晶質シリコン層114と接触させることによって、前記薄膜トランジスタ101の閾値電圧を調整することと、結晶工程を行い、前記非晶質シリコン層114を多結晶シリコン層114に変換することを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a thin film transistor comprises a step for providing a substrate 100, depositing an amorphous silicon layer 114 on the substrate 100, adjusting the threshold voltage of the thin film transistor 101 by bringing a plasma in contact with the amorphous silicon layer 114, and converting the amorphous silicon layer 114 into a polycrystalline silicon layer 114 through a crystallizing process. - 特許庁

膜によって原水室と透過水室とに区画された膜モジュールを用いて被処理水を浄化処理する水処理装置の運転方法において、前記原水室側からの吸引操作により原水室内にガス導入を行い、前記膜の膜面の堆積物を系外に排出することを特徴とする水処理装置およびその運転方法。例文帳に追加

In the operating method of the water treatment apparatus which purifies water to be treated by using a membrane module divided into a raw water chamber and a permeate chamber with the membrane, gas introduction into the raw water chamber is carried out by the sucking operation from the raw water chamber side to discharge the deposit on the surface of the membrane to the outside of a system. - 特許庁

修復又は再生した物品であり、特に、第一の材料を含む損傷部品を準備する段階80と、残存基板の壁厚を評価する段階84と、残存基板の少なくとも一部の上に第二の材料の層を堆積させる段階86A、86Bとを含む方法で修復又は再生したガスタービンエンジン用の部品。例文帳に追加

A restored or regenerated article is provided, particularly a component for use in a gas turbine engine, restored or regenerated by a method comprising a step 80 of preparing a damaged component comprising a first material, a step 84 of evaluating wall thickness of a residual substrate and steps 86A and 86B of depositing a second material on at least a portion of the residual substrate. - 特許庁

噴射孔8ないしシート部9近傍を有効に冷却可能で、デポジットの堆積にともなう噴射量の変化、噴霧形状の変化を抑制するとともに、取付けスペースが限られていても、現行の形状ないし構造に大きな影響を与えることなく、シリンダーヘッド2に装着可能な燃料噴射弁を提供すること。例文帳に追加

To provide a fuel injection valve capable of effectively cooling the neighborhood of an injection hole 8 and a seat part 9, inhibiting the change of the injection amount caused by the accumulation of deposit and the change of spray shape, and being mounted on a cylinder head 2 even in a limited mounting space without giving the influence on the present shape and structure. - 特許庁

例文

アレイ基板10の検査工程において層間ショート個所21が検出されたならば、層間ショート個所21近傍の部分3aを両側から挟む、左右の信号線部分3b,3cを互いに連結するための略コの字状のバイパス配線5を、レーザーCVDを用いる局部的な金属の堆積により形成する。例文帳に追加

If a layer short 21 is detected in inspection of an array substrate 10, nearly U-shaped bypass wiring 5 for sandwiching a part 3a in the vicinity of the layer short 21 from both sides and mutually inking left and right signal line parts 3b, 3c is formed by the local deposition of a metal that uses laser CVD(chemical vapor deposition). - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS