「堆積」に関連した英語例文の一覧と使い方(228ページ目) - Weblio英語例文検索

配線層にトレンチを形成し、トレンチをマイグレーション問題の影響を受け難い材料を無電解メッキ、イオン注入、および気相堆積法などの技術を用いて充填するなどの方法で電気抵抗の増加を最小限にして、機械的強度を増し、配線のエレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーションの影響の受けやすさを減少させる。例文帳に追加

A trench is formed in a wiring layer, and the increase of electric resistance thereof is minimized and the mechanical strength thereof is enhanced and then influence of the electromigration and the stress migration of the wiring is decreased by a method filling a material hardly affected by a migration problem into the trench with use of technologies such as electroless plating, ion implantation, and gas phase depositing. - 特許庁

基板１１Ａと、金属膜をエッチングによりパターニングし基板１１Ａ上に設けられた複数の金属細線１８Ａと、金属膜のエッチング時におけるエッチングガス及びエッチング生成物が化学反応することで各金属細線１８Ａの上端部に形成されてなる堆積膜１１８とを備えた偏光素子１である。例文帳に追加

The polarizing element 1 includes: a substrate 11A; a plurality of metal filaments 18A provided on the substrate 11A by patterning a metal film by means of etching; and a deposition film 118 formed in an upper end part of each metal filament 18A, by chemical reaction of an etching gas with an etching product when etching the metal film. - 特許庁

気相合成法により合成したガラス微粒子堆積体を、Ｈｅ含有雰囲気中で焼結して透明ガラス化し、得られた焼結体をＨｅを除いた雰囲気中で加熱処理する方法において、前記加熱処理を行う雰囲気を塩素分圧比で１％以上となるように塩素を添加した雰囲気とすることを特徴とするガラス母材の製造方法。例文帳に追加

This method comprises sintering the glass particulate deposit synthesized by a vapor phase synthesis process in an He-containing atmosphere to form transparent glass and heat treating the resultant sintered compact in the atmosphere removed of He, in which the atmosphere to perform the heat treatment is added with chlorine so as to attain ≥1% in the partial pressure ratio of the chlorine. - 特許庁

非磁性基体上に信号パターン状に堆積された強磁性材料を、磁気記録媒体に密着もしくは近接させて磁化することにより、磁気記録媒体にサーボ信号などのプリフォーマット信号を面接触で転写するマスター情報担体の転写回数に対する耐久性を向上させるとともに、連続転写にかかる時間を短縮する。例文帳に追加

To improve durability to transfer number of a master information carrier which transfers a preformat signal such as a servo signal onto a magnetic recording medium by surface contact by magnetizing a ferromagnetic material accumulated on a nonmagnetic substrate in a signal pattern shape by being in close contact with or close to the magnetic recording medium. - 特許庁

本発明に係る太陽電池用金属プリカーサー形成材１０は、複数の粒子１２が基体１１上に堆積されている太陽電池用金属プリカーサー形成材であって、粒子１２は、IIIＡ族元素を含むコア粒子１６と、コア粒子１６の周りを被覆し、IＢ族元素を含む被覆物質１４とを有することを特徴とする。例文帳に追加

A metal precursor formation material 10 for solar cell according to the present invention has a plurality of particles 12 deposited on a base 11, and the particles 12 have core particles 16 containing a group IIIA element, and a coating substrate 14 which covers peripheries of the core particles 16 and contains a group IB element. - 特許庁

まず、基板１上に、少なくとも２つの高さレベルを形成する表面を有する第１の電極構造体１１を形成し、該第１の電極構造体１１の上に、スピンコーティング法によって、層厚さ変化を有する強誘電体層１３を堆積させ、引き続き、該強誘電体層１３の上に第２の電極構造体１２を形成する。例文帳に追加

First, a first electrode structure 11 having the surface which forms at least two-height levels is formed on a substrate 1, a ferroelectric- material layer 13 having a variety of layer thickness is laminated on the first electrode structure 11 by spin coating, and in succession, a second electrode structure 12 is formed on the ferroelectric-material layer 13. - 特許庁

この誘電体膜の形成方法は、被成膜面としてのＳｉＯ_2膜２にプラズマ３を照射することによって、ＳｉＯ_2膜の表面を改質する工程と、その改質されたＳｉＯ_2膜の表面上に、霧状のＳＢＴ原料４を堆積することによって、ＳＢＴ原料膜５を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

The dielectric film forming method is provided with a process for improving the surface of a SiO_2 film 2 by irradiating the SiO_2 film 2 with plasma 3 and a process for forming an SBT raw-material film 5 by depositing mist of SBT raw-material 4 on the improved surface of the SiO_2 film 2. - 特許庁

気相堆積法によって基板上に輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法において、基板上に輝尽性蛍光体層を形成した後、輝尽性蛍光体層を加熱する際に、基板面の輝尽性蛍光体層が形成された領域全体に亘って加熱プレートを接触させて加熱する。例文帳に追加

In this method of manufacturing the radiological image conversion panel of forming a photostimulable phosphor layer on a substrate by a vapor deposition method, a heating plate is brought into contact over the whole area formed with the photostimulable phosphor layer on a substrate face, when heating the photostimulable phosphor layer after forming the photostimulable phosphor layer on the substrate. - 特許庁

微晶子が埋設された非晶質物質を堆積して、微結晶フィルムを基板上に形成する工程（ステップＳ２）と、形成された微結晶フィルムの微晶子を選択的に溶融するようにアニールする工程（ステップＳ３）と、ステップＳ３で行われたアニールにより加熱溶融された微結晶フィルムを冷却する工程（ステップＳ４）とを含む。例文帳に追加

This method includes the steps of depositing amorphous substance, having microcrystallites buried therein to form a microcrystalline film on a substrate (step S2), annealing the formed microcrystalline film so as to selectively melt microcrystallites therein (step S3), and cooling the heated and melted microcrystalline film by annealing carried out at the step S3 (step S4). - 特許庁

導電性基体上に少なくともシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層、及び表面層を堆積する工程を有する電子写真感光体の製造方法において、該表面層は硬度の大きい領域、硬度の小さい領域をこの順に積層して形成し、その後、表面を研磨することを特徴とする。例文帳に追加

In the method for manufacturing the electrophotographic photoreceptor including a step of depositing, on a conductive substrate, at least a photoconductive layer comprising a non-single-crystal material based on silicon atoms and a surface layer, the surface layer is formed by sequentially depositing a high hardness region and a low hardness region and then grinding the surface. - 特許庁

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for spin-on depositing a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates, such as, silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon. - 特許庁

この廃トナー回収装置は，廃トナー入口２１を有する廃トナー回収容器２０と；廃トナー入口２１に設けられ，感光ドラム１０から廃トナーを擦り取って廃トナー入口２１に導くクリーニングブレード３０と；廃トナー入口２１に堆積した廃トナーを，廃トナー回収容器の内部に搬送する廃トナー搬送ユニット４０と；を備えることを特徴とする。例文帳に追加

This waste toner collecting device is equipped with the waste toner collecting container 20 which has the waste toner entrance 21; a cleaning blade 30 which scrapes waste toner off the photoreceptor drum 10 and guides it to the waste toner entrance 21; and a waste toner conveying unit 40 which conveys the waste toner deposited in the waste toner entrance into the waste toner collecting container. - 特許庁

直流・交流点灯中に発生し、フリッカの原因となる放電灯電極の表面の荒れやハロゲンサイクルに起因する析出物を電極の先端に堆積させて電極間距離を次第に短くさせ、明るさを次第に低下させるような原因を解消することができる放電灯の点灯方法の開発を課題とするものである。例文帳に追加

To develop a lighting method of an electric discharge lamp which can prevent roughness of a surface of an electric discharge lamp electrode which occurs during DC/AC lighting and causes flicker, and prevent gradual reduction of luminance which occurs because deposit attributable to a halogen cycle is accumulated to tips of electrodes and a distance between the electrodes decreases. - 特許庁

真空チャンバー内にガスを導入してマイクロ波や高周波により放電プラズマを形成すると共に基板に負のバイアス電圧を印加して、基板上に堆積したポーラスシリカを含有する材料の薄膜をエッチングする方法において、 エッチングガスとして二重結合を持たないフッ素系ガスを使用してエッチングを行うことを特徴としている。例文帳に追加

In the method of forming discharge plasma by microwaves or high frequency by introducing gas into a vacuum chamber, and etching the thin film of the material containing porous silica accumulated on the substrate by applying negative bias voltage to the substrate, the etching is performed using the fluoric gas not having double coupling as etching gas. - 特許庁

ＯＮＯ膜を挟んで２つのポリシリコン膜を堆積した後、パターニングして、トンネル絶縁膜４の上に、フローティングゲート電極５，電極間絶縁膜６及びコントロールゲート電極７からなるメモリゲート電極８を形成するとともに、その側方にセレクトゲート電極部１８を形成する。例文帳に追加

After an ONO film is sandwiched to deposit two polysilicon films, patterning is performed, a memory gate electrode 8 comprising a floating gate electrode 5, an inter-electrode insulation film 6 and a control gate electrode 7 is formed on a tunnel insulation film 4, and a selection gate electrode part 18 is formed sideward thereof. - 特許庁

半導体ウェハ上に形成した堆積膜を選択的に除去するエッチング方法であって、その裏面を上にし水平にして半導体ウェハ１をウェハ保持体であるウェハ保護用カップ２に保持し上記ウェハ保持体をスピン回転させ上記半導体ウェハ１の裏面側よりエッチング液３を供給する。例文帳に追加

This is an etching method for selectively removing a stacked film made on a semiconductor wafer, and herein a semiconductor wafer 1 is turned upside down horizontally, and is held with a cup 2 for wafer protection being a wafer holder, and the wafer holder is spin-rotated, while being supplied with etchant 3 from the rear side of the semiconductor wafer 1. - 特許庁

支持体上に、膜厚５０μｍ以上の輝尽性蛍光体層を気相堆積法により形成し、加熱処理する放射線画像変換パネルの製造方法において、加熱処理前後の輝尽性蛍光体の輝尽発光波長における透過率が０．５≦Ｔ／Ｔ_0≦１０であることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。例文帳に追加

In this manufacturing method for the radiological image transformation panel, a stimulable phosphor layer with a film thickness of 50 μm or more is formed on a support by a vapor phase deposition method and treated by heating. - 特許庁

シリコン基板１１を陽極化成することによって多孔質層１２を作製し、シリコンゲルマニウムの堆積や、ゲルマニウムを含む気体、固体あるいは液体の導入，ゲルマニウムの拡散と孔封止にて多孔質層の孔封止層１３（孔多孔質層１２と封止層１３は歪み誘起多孔質層となる）を形成する。例文帳に追加

A porous layer 12 is made by anodizing a silicon substrate 11 to form a porous layer's pores sealing layer 13 (a porous layer 12 and a sealing layer 13 become a strain-induced porous layer) by deposition of silicon-germanium, introduction of a gas, solid, or liquid containing germanium, and spreading of germanium and sealing of pores. - 特許庁

ＭＯＳゲートトレンチ素子は、トレンチのシリコン表面にひずんだＳｉＧｅ層を約１３ｎｍよりも小さな厚さに形成し、エピ層がゲート酸化物層に転化されるＳｉＧｅ層にエピタキシャル堆積されたシリコンの薄い（３０ｎｍ又はそれよりも薄い）層を形成することによって、減少されたオン抵抗を有する。例文帳に追加

An MOS gate trench device has on-resistance reduced by forming a strained SiGe layer on a silicon surface of trench in a thickness smaller than about 13nm, and forming thin (30nm or smaller than 30nm) layer of silicon epitaxially deposited on the SiGe layer by which an epilayer is converted to a gate oxide layer. - 特許庁

イオンガンよりイオンビームをターゲットに照射して絶縁性の薄膜を基板上に成膜するイオンビームスパッタ装置において、イオンビームの一部が照射される位置に導電材ターゲット３１を配置し、その導電材ターゲット３１よりスパッタアウトされた粒子によってイオンガン１３のグリッド２２に導電膜が堆積される構成とする。例文帳に追加

In the ion beam sputtering apparatus for depositing an insulating thin film on a substrate by irradiating a target with ion beams from an ion gun, a conductive target 31 is arranged at the position where a part of the ion beams are emitted, and a conductive film is deposited on a grid 22 of the ion gun 13 by particles sputtered out from the conductive target 31. - 特許庁

本発明による方法は、ａ）金属間化合物合金で形成された基材を調製する操作、ｂ）保護する前記基材表面上に金を堆積する操作、ｃ）保護する前記表面への制限された金の拡散を生じさせるために、前記金被膜を備える前記基材に、制御された条件で焼きなましを施す操作を含む。例文帳に追加

The method includes the steps of: (a) preparing the substrate formed from an intermetallic alloy; (b) depositing gold on the surface of the substrate to be protected; and (c) annealing the substrate having the gold coating under a controlled condition so as to induce limited diffusion of gold at the surface to be protected. - 特許庁

本発明によって、真空チャンバー内においてターゲット物質にイオン照射を行い該ターゲット物質の構成物質を基板に堆積させて薄膜作製を行う成膜法であって、イオン照射とイオン非照射とからなる断続的なイオン照射の第１の動作周期の１周期内に少なくとも１秒以上の非照射時間を設ける、ことを特徴とする成膜方法が提供される。例文帳に追加

In the deposition method performing thin-film formation by irradiating a target material with ions in a vacuum chamber to deposit the constitution material of the target material on a substrate, at least one or more seconds of non-irradiation time is set within one period of a first operation period of intermittent ion irradiation consisting of ion irradiation and ion non-irradiation. - 特許庁

放電電極と対向電極の間の放電作用により空気中に含まれる塵埃を、集塵電極あるいは集塵フィルターに吸着させる電気集塵器付き空気調和機において、放電電極と対向電極との間で起こり易い塵埃の堆積による異常放電の発生を防止する。例文帳に追加

To prevent generation of abnormal discharge caused by accumulation of dust often found between a discharge electrode and a counter electrode, in an air conditioner with an electric dust collector for allowing dusts included in the air to be adsorbed to a dust collecting electrode or a dust collecting filter by discharge action between the discharge electrode and the counter electrode. - 特許庁

テレフタル酸の水スラリーを高温高圧で取り扱う場合において、最大の問題点である結晶析出その他の固形物の堆積、又はこれに伴うスラリー輸送配管の閉塞を抑制し、スラリー輸送配管、弁などの装置を連続運転可能な状態に保つ連続的なスラリー送液方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a method for continuously conveying slurry through suppressing crystallization and other solids deposition or the cloggings of slurry conveyance pipings associated with these phenomena as the most problematic points in the case of handling aqueous terephthalic acid slurry at high temperatures and pressures, thus keeping devices including the slurry conveyance pipings and valves in continuously operable conditions. - 特許庁

フェノール類のような電気化学的に可逆ではなく、かつ酸化電位の高い物質の電気化学反応による電気的変化を検出する際に、電極表面に酸化反応の生成物が堆積するおそれが無く、しかも高い感度を維持したまま長時間の検出が可能な電気化学測定用電極及びそれを用いた電気化学分析装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode for electrochemical measurement and an electrochemical analyzer using it, not electrochemically-reversible like phenols, nor in danger of any oxide deposition on the electrode surface when detecting electrical changes due to electrochemical reaction of a substance with high oxidation potential, additionally keeping long-term detection with high sensitivity. - 特許庁

コントローラは、堆積量推定手段が推定する推定量が所定の閾値を越えかつバッテリに蓄えられた電力が所定量以下のときにパティキュレートフィルタの温度を上昇させてパティキュレートを燃焼させるとともにバッテリを充電してバッテリに所定量を超える電力が蓄えられるようにエンジン及びモータを制御する。例文帳に追加

The controller controls the engine and the motor to raise temperature of the particulate filter and burn particulate matter, and to charge the battery and store electric power exceeding predetermined quantity to the battery when quantity estimated by the accumulation quantity estimation means exceeds a predetermined threshold and electric power stored in the battery is predetermined quantity or less. - 特許庁

本方法は、基板上のフィーチャのエッチング前の臨界寸法(CD)の測定値を得るステップと、フィーチャをエッチングするステップと、エッチング中にフィーチャ上に堆積された側壁上のポリマーを減少及び/又は除去するために、エッチングされた基板を処理するステップと、エッチング後のＣＤ測定値を得るステップとを有する。例文帳に追加

The method comprises steps of obtaining pre-etched critical dimension (CD) measurements of a feature on a substrate, etching the feature, treating the etched substrate so as to reduce and/or remove sidewall polymers deposited on the feature during etching, and obtaining post-etched CD measurements. - 特許庁

プレス潤滑油を供給することなく、あるいは通常の供給量を低減しても、優れた潤滑性で、工具へのアルミの凝着及び塗膜の堆積を抑制してプレス加工を行うことができ、且つ、プレス加工後に親水性が残存している熱交換器用アルミニウムフィン材を提供すること。例文帳に追加

To provide an aluminum fin material for a heat exchanger which has an excellent lubricity even if a press lubricant oil is not supplied or an ordinary supplying amount is reduced, capable of being press-worked with controlling adhesion of aluminum to a tool and accumulation of a coated film, and has hydrophilicity remaining after the press work. - 特許庁

基板３００上にアモルファス炭素を含む層３１２を堆積させるステップと、その後、該層３１２を少なくとも約３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で該基板３００を約６００ｎｍ〜約１０００ｎｍの波長を１つ以上もつ電磁放射線にさらすステップと、を含む前記方法が提供される。例文帳に追加

The method includes a step of depositing a layer 312 including amorphous carbon on the substrate 300 and then a step of exposing the substrate 300 to the electromagnetic radiation having at least one wavelength of between about 600 nm and about 1,000 nm under a condition sufficient for heating the layer 312 to the temperature of at least about 300°C. - 特許庁

半導体基板１００の上に金属配線パターン１０１を形成した後、Ｃ_4Ｆ_8／ＣＨ_4 ／ビニルトリメトキシシランの混合ガスからなる第１の原料ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、半導体基板１００の上に全面に亘ってシロキサン含有フッ素化有機膜からなる第１の密着層１０２を堆積する。例文帳に追加

After a metal wiring pattern 101 is formed on a semiconductor substrate 100, a first tight-contact layer 102 of a siloxane-contained organic fluoride film is deposited over the entire surface of the semiconductor substrate 100 by a plasma CVD method, which uses a first material gas comprising a mixed gas of C4F8/CH4/vinyl trimethoxysilane. - 特許庁

不完全なパターンを有する基材のパターンの形状を修復する方法であって、（ａ）基材を検査して不完全なパターンを検出するステップと、（ｂ）前記検出された不完全なパターンを放射線によりエッチング又は堆積してパターンの形状を修復するステップ、を含むことを特徴とする、形状修復方法を用いる。例文帳に追加

The method for restoring the shape of the pattern of the substrate having an imperfect pattern comprises; (a) a step of detecting the imperfect pattern by inspecting the substrate; and (b) a step of restoring the shape of the pattern by etching or depositing the detected imperfect pattern with radiation. - 特許庁

電子源基板の製造において、基板を有機化合物を含む雰囲気下で各素子の導電性膜に通電し、該導電性膜上に炭素または炭素化合物を堆積させる活性化処理を、基板面積が広く素子数が多い場合であっても、各素子に対して均一に施すことができる処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a treatment device in which activation treatment can be applied uniformly on each element by energizing a conductive film of respective elements in an atmosphere containing organic compounds and by depositing carbon or a carbon compound on the conductive film even when a substrate area is wide and the number of element is numerous in manufacturing an electron source substrate. - 特許庁

シリコン基板１０上の第１の層間絶縁膜１１に形成されたコンタクトホール１２に、その上部が残るようにポリシリコン膜１３を形成した後、ポリシリコン膜１３上に堆積されたコバルト膜に対して熱処理を行なって、ポリシリコン膜１３の表面部にコバルトシリサイド層１５を形成する。例文帳に追加

This manufacturing method of a semiconductor device is performed by a method, wherein a polysilicon film 13 is formed in a contact hole 12 formed in a first interlayer insulating film 11 on a silicon substrate 10, in such a way that the upper part of the film 13 is left in the hole 12. - 特許庁

自動車内において駆動エンジンとして使用されている内燃機関（１０）の排気領域（１３）内に配置されている排気ガス浄化装置（１４）の再生方法および方法を実行するための装置において、排気ガス浄化装置（１４）は、その再生の間に、少なくとも１つの堆積排気ガス成分から再生される。例文帳に追加

In the method for generating the exhaust emission control device 14 disposed in the exhaust range 13 of an internal combustion engine 10 used as a driving engine in the automobile and a method for performing the method, the exhaust emission control device 14 is regenerated for at least one deposited exhaust gas component during the regeneration. - 特許庁

光学製品としての光学レンズにおけるレンズ基部１の表裏両面にカーボンナノチューブ堆積層２が積層されており、各面における単位面積当たりのカーボンナノチューブ量が９．９３Ｅ−１０ｇ／ｍｍ^２〜３．９７Ｅ−０９ｇ／ｍｍ^２である帯電防止性光学レンズを提供する。例文帳に追加

An antistatic optical lens being one of optical products is obtained by layering a carbon nanotube-deposited layer 2 on both (front and back) surfaces of a lens base part 1 and has the carbon nanotube amount of 9.93E-10 to 3.97E-09 g/mm^2 per unit area on each surface. - 特許庁

電解質膜とガス拡散層との間に触媒層が配置された、燃料電池用の膜電極接合体の製造方法であって、（ａ）触媒層を形成するための触媒粉体を用意する工程と、（ｂ）前記触媒粉体を、電解質膜とガス拡散層とのうち、少なくとも一方に、不均一となるように堆積させることで前記触媒層を形成する工程と、を備えている。例文帳に追加

The manufacturing method of a membrane electrode assembly for a fuel cell with a catalyst layer arranged between an electrolyte membrane and a gas diffusion layer, includes (a) a process preparing catalyst powder for forming the catalyst layer, and (b) a process forming the catalyst layer by unevenly depositing the catalyst powder on at least either the electrolyte membrane or the gas diffusion layer. - 特許庁

本発明は、酸化アルミニウムと酸化チタンの交互の層からなる、実質的にアルカリ金属を含まないガラス基板上に堆積された薄膜構造の絶縁膜、ならびにエレクトロルミネセンスデバイスに関し、その絶縁膜がケイ光物質層と誘電体層との間に絶縁層として挿入されている。例文帳に追加

An insulating film for a thin-film structure is deposited on a glass board not substantially containing alkali metal consisting of alternately laid layers of aluminum oxide and titanium oxide and thereby an electroluminescence device is formed, wherein the insulating film is interposed as insulating layer between a fluorescent material and a dielectric substance layer. - 特許庁

窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、または炭化シリコン被膜の形成中、少なくとも１つの非シリコン前駆体（ゲルマニウム前駆体や炭素前駆体など）を添加することによって、堆積速度が改善され、または被膜の応力を調整するなどこの被膜の特性を調整することが可能になり、あるいはその両方が可能になる。例文帳に追加

Adding at least one non-silicon precursor (such as a germanium precursor and a carbon precursor) during formation of a silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride or silicon carbide film improves the deposition rate, and/or allows properties, such as the stress, of the film to be adjusted. - 特許庁

この状態を所定時間継続することで、加熱されたターゲット１０２よりスパッタされている粒子（Ｔｉ原子）１４１が、ＥＣＲプラズマ中の酸素イオンや酸素ラジカルなどの活性化された酸素により酸化されて基板１０３の上に堆積し、基板１０３の上に酸化チタン膜１１２が形成される。例文帳に追加

By keeping up such a state for a prescribed time, the particles (Ti atom) 141 sputtered from the heated target 102 are oxidized by an activated oxygen such as oxygen ion or oxygen radical in the ECR plasma and are deposited on the substrate 103 to form the titanium oxide film 112 thereon. - 特許庁

多層膜を有する被処理物の各層を順次エッチングすることでフッ化炭素を含む反応生成物が堆積した場合に、酸素ガスプラズマ処理を行うことで前記反応生成物を除去し、前記反応生成物の除去の後、酸化物を含む反応生成物をフッ化水素ガスを用いて除去すること、を特徴とする表面処理方法が提供される。例文帳に追加

The surface treatment method includes: executing oxygen gas plasma treatment to remove a reaction product containing carbon fluoride when the reaction product is deposited by sequentially etching each of layers of the treated workpiece having a multilayer film; and after removing a reaction product, removing a reaction product containing an oxide by using a hydrogen fluoride gas. - 特許庁

生分解性ポリエステル樹脂と有機繊維とからなる複合材料の製造において、有機繊維ペレットが工程内で堆積、凝集せず、操業性が改善され、かつ、生分解性ポリエステル中に繊維が均一に分散し、安定して繊維の強度を十分発揮できる複合材料の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a composite material composed of a biodegradable polyester resin and an organic fiber, the method capable of improving operatability by preventing an organic fiber pellet from accumulating and coagulating in a process and exhibiting sufficient strength of the fiber stably by uniformly dispersing the fiber in the biodegradable polyester. - 特許庁

基板１００を提供することと、前記基板１００の上に非晶質シリコン層１１４を堆積することと、プラズマを前記非晶質シリコン層１１４と接触させることによって、前記薄膜トランジスタ１０１の閾値電圧を調整することと、結晶工程を行い、前記非晶質シリコン層１１４を多結晶シリコン層１１４に変換することを含む。例文帳に追加

The method comprises providing a substrate 100, depositing an amorphous silicon layer 114 on the substrate 100, adjusting the threshold voltage of the thin film transistor 101 by bringing the plasma into contact with the amorphous silicon layer 114, and performing a crystallization process to convert the amorphous silicon layer 114 into a polycrystalline silicon layer 114'. - 特許庁

他の実施形態では、基板を支持する手段と、反応物を供給する手段と、前記基板上に生成物を堆積するためのプラズマトーチと、前記基板に対して前記プラズマトーチを振動させる手段とを備え、前記プラズマトーチは、前記基板から離れて置かれている、太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置。例文帳に追加

In another embodiment, the plasma deposition apparatus for manufacturing solar cells comprises: means for supporting a substrate; means for supplying reactants; plasma torch means for depositing a product on the substrate and located a distance from the substrate; and means for oscillating the plasma torch means relative to the substrate. - 特許庁

故に、その後に進行するエッチング過程で、エッチングマイクロ負荷効果により広い開口中のエッチング速度が狭い開口中のエッチング速度より速くなっても、広い開口の底部の被覆層のエッチングに比較的多くの時間がかかるため、エッチングマイクロ負荷効果が明らかに堆積された被覆層により打ち消され、エッチングで形成される広いトレンチと狭いトレンチの深さが同じとなる。例文帳に追加

As a result, the depths of the narrow contact hole and the wide trench becomes equal, and the number of required apparatus is decreased while improving the throughput. - 特許庁

本発明の画像形成装置においては、トナー汚れを防止するために、印刷中に分離部材７５の爪先端に付着したトナーは、徐々に堆積するが、印刷終了時に一定時間ａ、熱源２３を入れたまま熱定着装置２２を停止させ、分離部材７５の爪先端に付着したトナーを固形化させる。例文帳に追加

In order to prevent the toner pollution in an image forming apparatus, a toner stuck to a claw tip of a separating member 75 during printing is solidified by stopping a heat fixing device 22 with a heat source 23 on for a certain time (a) after the end of printing though the toner being gradually accumulated. - 特許庁