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「容量素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 容量素子に関連した英語例文

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容量素子の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4244



例文

また、第1の容量素子1と第2の容量素子2の間にダミーの容量素子4と最外周のダミーの容量素子5を配置する。例文帳に追加

Moreover, a dummy capacitive element 4 and a capacitive element 5 of dummy outermost periphery are located between the first capacitive element 1 and the second capacitive element 2. - 特許庁

容量素子とその製造方法例文帳に追加

CAPACITIVE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

容量素子およびその製造方法例文帳に追加

CAPACITIVE ELEMENT AND ITS FABRICATING PROCESS - 特許庁

容量素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING CAPACITOR - 特許庁

例文

静電容量型圧力センサ素子例文帳に追加

CAPACITIVE PRESSURE SENSOR ELEMENT - 特許庁


例文

容量素子及びその製造方法例文帳に追加

CAPACITIVE DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁

電圧制御可変容量素子例文帳に追加

VOLTAGE-CONTROLLED VARIABLE CAPACITATIVE ELEMENT - 特許庁

容量素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING CAPACITY DEVICE - 特許庁

容量素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING CAPACITANCE ELEMENT - 特許庁

例文

容量検出型センサ素子例文帳に追加

CAPACITANCE DETECTION TYPE SENSOR ELEMENT - 特許庁

例文

静電容量型圧力検出素子例文帳に追加

CAPACITANCE TYPE PRESSURE DETECTOR ELEMENT - 特許庁

容量素子及びその製造方法例文帳に追加

CAPACITIVE ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD - 特許庁

MOS型可変容量素子例文帳に追加

MOS TYPE VARACTOR - 特許庁

容量性発光素子の駆動装置例文帳に追加

DEVICE FOR DRIVING CAPACITIVE LIGHT EMITTING ELEMENT - 特許庁

容量型機械電気変換素子例文帳に追加

CAPACITY TYPE MACHINE ELECTRICITY TRANSDUCER - 特許庁

容量素子及びその製造方法例文帳に追加

CAPACITY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

容量素子およびその製造方法例文帳に追加

CAPACITY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

容量検知型センサ素子例文帳に追加

CAPACITANCE DETECTION TYPE SENSOR ELEMENT - 特許庁

容量素子及びその製造方法例文帳に追加

CAPACITIVE ELEMENT AND METHOD OF ITS MANUFACTURE - 特許庁

可変容量素子及び電子機器例文帳に追加

VARACTOR ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE - 特許庁

容量性発光素子パネル例文帳に追加

CAPACITIVE LIGHT EMITTING ELEMENT PANEL - 特許庁

容量素子及び半導体記憶装置例文帳に追加

CAPACITIVE ELEMENT AND SEMICONDUCTOR MEMORY - 特許庁

容量素子及びその製造方法例文帳に追加

CAPACITIVE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

容量素子およびその製造方法例文帳に追加

CAPACITIVE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

静電容量素子、静電容量素子の製造方法、及び共振回路例文帳に追加

ELECTROSTATIC CAPACITIVE ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING ELECTROSTATIC CAPACITIVE ELEMENT, AND RESONANCE CIRCUIT - 特許庁

容量素子及び容量素子を用いた半導体集積回路例文帳に追加

CAPACITY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT USING IT - 特許庁

強誘電体容量素子の製造方法及び強誘電体容量素子例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR FERROELECTRIC CAPACITANCE ELEMENT, AND FERROELECTRIC CAPACITANCE ELEMENT - 特許庁

容量素子容量素子を含む不揮発性記憶装置およびその製造方法例文帳に追加

CAPACITATIVE ELEMENT, NONVOLATILE MEMORY DEVICE CONTAINING CAPACITATIVE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

可変容量素子および可変容量素子内蔵集積回路例文帳に追加

VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT AND INTEGRATED CIRCUIT CONTAINING THE SAME - 特許庁

可変容量部2は、容量素子C_1〜C_nを備える。例文帳に追加

The variable capacity section 2 is equipped with capacitive elements C_1 to C_n. - 特許庁

容量素子の単位面積当たりの容量を増加させる。例文帳に追加

To increase a capacity per unit area of a capacitative element. - 特許庁

MOS容量素子を用いた可変容量回路例文帳に追加

VARIABLE CAPACITY CIRCUIT USING MOS CAPACITATIVE ELEMENT - 特許庁

可変容量素子および可変容量装置例文帳に追加

VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT, AND VARIABLE CAPACITANCE DEVICE - 特許庁

容量素子を形成する位置を制限することなく、容量素子容量値を増加させる。例文帳に追加

To increase a capacity value of a capacity element without limiting a position where the capacity element is formed. - 特許庁

可変容量素子、可変容量素子の調整方法、可変容量デバイス、及び電子機器例文帳に追加

VARIABLE-CAPACITANCE ELEMENT, METHOD FOR ADJUSTING VARIABLE-CAPACITANCE ELEMENT, VARIABLE-CAPACITANCE DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

半導体装置は、複数の単位容量素子Cuで構成される容量素子群C4〜C6を有する半導体装置において、容量素子群の上部電極7の全体の外周に、容量素子群の各単位容量素子の下部電極の取り出し電極8を配設しており、容量素子群には所定の容量素子が接続可能であり、所定の容量素子は、少なくとも容量素子群の寄生容量の影響を除去すべく、容量値が設定されてなる。例文帳に追加

The capacitive element group can be connected with specified capacitive elements having a capacitance set to eliminate the effect of at least parasitic capacitance of the capacitive element group. - 特許庁

インダクタンス素子、トランス及び容量素子例文帳に追加

INDUCTANCE ELEMENT, TRANSFORMER AND CAPACITANCE ELEMENT - 特許庁

可変容量素子、整合回路素子、および携帯端末装置例文帳に追加

VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT, MATCHING CIRCUIT ELEMENT, AND MOBILE TERMINAL APPARATUS - 特許庁

圧電振動素子容量素子、及び記憶装置例文帳に追加

PIEZOELECTRIC OSCILLATORY ELEMENT, CAPACITIVE ELEMENT, AND MEMORY - 特許庁

静電容量容量検出素子110の上下左右に、MEMS式容量検出素子120が配置され、MEMS式容量検出素子120の上下左右に、静電容量容量検出素子110が配置される。例文帳に追加

The MEMS type capacitance detecting elements 120 are arranged on vertical and lateral sides of the electrostatic capacity type capacitance detecting elements 110, and the electrostatic capacity type capacitance detecting elements 110 are arranged on vertical and lateral sides of the MEMS type capacitance detecting elements 120. - 特許庁

第1の容量素子1、第2の容量素子2、ダミーの容量素子4と最外周のダミーの容量素子5のそれぞれの容量素子間の間隔(d)3は、いずれも等間隔とする。例文帳に追加

The interval (d)3 between respective capacitive elements of the first capacitative element 1, the second capacitative element 2, the dummy capacitive element 4, and the dummy capacitive element 5 of the outermost periphery is all made into an equal interval. - 特許庁

第1容量素子200及び第2容量素子300は、それぞれ一つの容量素子であり、複数の容量素子を配線によって並列に接続した容量素子ではない。例文帳に追加

Each of the first and second capacitive elements 200, 300 is one capacitive element, and not a capacitive element where a plurality of capacitive elements are connected in parallel by wiring. - 特許庁

振動素子(21)と、直列接続された第1基本容量素子(25)と第2基本容量素子(26)を備え基本容量素子群(22)と、直列接続された第1追加容量素子(27)と第2追加容量素子(28)を備えた追加容量素子群(23)を並列結合する。例文帳に追加

A vibration element 21, a basic capacitive element group 22 provided with serially connected first basic capasitive element 25 and second basic capacitive element 26 and an additional capacitive element group 23 provided with serially connected first additional capacitive element 27 and second additional capacitive element 28 are connected in parallel. - 特許庁

本実施の形態における技術的思想は、アイソレーション容量素子を、並列接続された対称性の高い2つの容量素子CisoAと容量素子CisoBに分割することにより、容量素子CisoAおよび容量素子CisoBを配線基板の層間容量素子として形成する場合であっても、それぞれの容量素子CisoAと容量素子CisoBに起因する寄生容量をほぼ等しくできる。例文帳に追加

According to a technical idea of an embodiment, an isolating capacitive element is divided into two symmetric capacitive elements CisoA, CisoB connected in parallel, so that even when the capacitive elements CisoA, CisoB are formed as interlayer capacitive elements of a wiring board, parasitic capacitances resulting from the respective capacitive elements CisoA, CisoB can be made substantially the same. - 特許庁

第1の容量素子Ccapの静電容量は、第2の容量素子Cpの静電容量よりも大きい。例文帳に追加

The electrostatic capacitance of the first capacitive element Ccap is larger than that of the second capacitive element Cp. - 特許庁

容量素子形成領域に形成される容量素子において、容量素子を形成する上部電極22全体を完全にシリサイド化する。例文帳に追加

The whole upper electrode 2 forming the capacitance element formed in a capacitance element formation region is completely made into silicide. - 特許庁

本発明の半導体装置の構造は、容量素子と抵抗素子とを立体に構成しても容量素子容量値を大きくすることができる。例文帳に追加

According to the structure of the semiconductor device, the capacitance value of the capacitance element can be increased even when the capacitance element and the resistance element are three-dimensionally constituted. - 特許庁

容量素子N10がノードD3に接続され、容量素子C0は容量素子N10に直列に接続される。例文帳に追加

The capacity element N10 is connected to the node D3 and the capacity element C0 is connected to the capacity element N10 in series. - 特許庁

静電容量測定部52は、圧電素子20の静電容量を測定する。例文帳に追加

A capacitance measuring section 52 measures capacitance of the piezoelectric element 20. - 特許庁

例文

2つの容量素子C_1およびC_2それぞれの容量値は互いに等しい。例文帳に追加

Each capacity value of two capacitative elements C_1, C_2 is mutually equal to each other. - 特許庁

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