「容量素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

そして、蓄電装置全体の容量素子（11）うちの漏れ電流の大きさが最大の容量素子（11）及び漏れ電流の大きさが最小の容量素子（11）の少なくとも一方を、その容量素子（11）とは漏れ電流の大きさが異なる容量素子（11）と並列接続する。例文帳に追加

Of the capacitive elements (11) in the whole power storage device, at least any one of the capacitive element (11) having the maximum leakage current magnitude and the capacitive element (11) having the minimum leakage current magnitude is connected in parallel to a capacitive element (11) having a leakage current magnitude different from that of the capacitive element (11) to be connected. - 特許庁

ＭＩＭ容量素子は、主ＭＩＭ容量素子部とその周囲に配置されたダミーＭＩＭ素子部で構成される。例文帳に追加

The MIM capacitive element comprises a main MIM capacitive element part, and a dummy MIM element arranged therearound. - 特許庁

また、ＴＦＴ素子Ｑ２によって、液晶素子ＬＣおよび補助容量素子Ｃｓの一端同士と、補助容量線Ｃｓとを、電気的に接続する。例文帳に追加

The TFT element Q2 electrically connects one end of a liquid crystal element LC and one end of the auxiliary capacity element, and the auxiliary capacity line Cs. - 特許庁

第２画素データ読出部３０内の容量素子の容量値は、画素部に含まれる寄生容量部の容量値より大きい。例文帳に追加

The capacitive value of the capacitive element of the section 30 is larger than the capacitive value of a parasitic capacitive section contained in the pixel. - 特許庁

容量素子Ｃａｐの容量値を薄膜トランジスタＴ１の寄生容量の容量値で除して得られる値は２０以上とされる。例文帳に追加

A value obtained by dividing the capacity value of the capacitive element Cap by the capacity value of parasitic capacitance of the thin-film transistor T1 is 20 or more. - 特許庁

複数のスイッチにより、容量素子の電位差が電源電位と同じ電位差になるまで容量素子に電荷が蓄積され、容量素子の電位差が発光素子の発光開始電圧と同じ電位差になるまで容量素子から発光素子に電荷が供給される。例文帳に追加

Electric charge is accumulated in the capacitive element until potential difference of the capacitive element becomes the same potential difference as power source potential and the charge is supplied from the capacitive element to the light emitting element until the potential difference of the capacitive element becomes the same potential difference as light emission starting voltage of the light emitting element. - 特許庁

インバータ用スイッチング素子Ｓ１１〜Ｓ１６の容量は、ダイオードＤ３１〜Ｄ３６の容量、コンバータ用スイッチング素子Ｓ１の容量、及びインバータ用スイッチング素子Ｓ２１〜Ｓ２６の容量よりも小さい。例文帳に追加

The capacity of inverter switching elements S11 to S16 is less than that of each of the diodes D31 to D36, converter switching element S1 and inverter switching elements S21 to S26. - 特許庁

Ａ／Ｄ変換回路２０は、結合容量素子Ｃ_201、帰還容量素子Ｃ_202、スイッチ素子ＳＷ_202、アンプ２０１、比較部２０２、容量制御部２０３、可変容量部２１０，２２０および２３０を含む。例文帳に追加

The A/D conversion circuit 20 includes a coupling capacity element C_201, a feedback capacity element C_202, a switch element SW_202, an amplifier 201, a comparative part 202, a capacity control part 203, and variable capacity parts 210, 220 and 230. - 特許庁

容量素子の面積が小さく且つ容量素子による段差が小さくても容量素子の電荷蓄積容量が大きい半導体装置を低コストで製造する。例文帳に追加

To manufacture a semiconductor device at a low cost wherein charge storing capacity of a capacitance element is large even if the capacitance element is small in area and a step-difference due to the capacitance element is small. - 特許庁

２層のポリシリコン層３ａ，３ｂと、それらの間に挟まれた絶縁膜３ｃとから成る容量素子３の直上に、導体線の線間容量を利用した容量素子７を当該容量素子３と電気的に絶縁して設ける。例文帳に追加

The semiconductor device includes the capacity element 7 using a line capacity of a semiconductor line electrically insulated with conductive element 3 directly above the capacity element 3 including two-layer polysilicon layers 3a, 3b and an insulating film 3c inserted among them. - 特許庁

各可変容量ユニット２３は、可変容量素子３１と、可変容量素子３１に制御電位を印加する制御端子４１と、可変容量素子３１に基準電位を印加する基準電位端子４３とを有している。例文帳に追加

Each variable capacitance unit 23 includes a variable capacitance element 31, a control terminal 41 for applying a control potential to the variable capacitance element 31, and a reference potential terminal 43 for applying a reference potential to the variable capacitance element 31. - 特許庁

寄生容量Ｃ１の静電容量と寄生容量Ｃ２の静電容量とが同じ容量で、かつ抵抗素子Ｒ４の抵抗値が抵抗素子Ｒ１の抵抗値よりも大きい値である。例文帳に追加

The electrostatic capacity of a parasitic capacitance C1 and that of a parasitic capacitance C2 are the same, and a resistance value of the resistance element R4 is larger than that of a resistance element R1. - 特許庁

チャージ・ポンプ回路１１０の押し上げ容量素子Ｃ１と発振回路１２３の容量素子の容量膜（酸化絶縁膜）が実質的に同一となるように、チャージ・ポンプ回路１１０の押し上げ容量素子Ｃ１と発振回路１２３の容量素子が形成される。例文帳に追加

A boost-up capacity element C1 of a charge pump circuit 110 and a capacity element of an oscillator circuit 123 are formed so that the boost-up capacity element C1 of the charge pump circuit 110 and the capacity film (oxidization insulating film) of the capacity element of an oscillator circuit 123 may become the same substantially. - 特許庁

基板（１）上に形成された下部電極（３）−誘電体容量膜（４）−上部電極（５）で構成されるＭＩＭ容量素子（１００）とダミーＭＩＭ容量素子（１０１）を備え、ＭＩＭ容量素子上とダミーＭＩＭ容量素子上とを含む基板上を絶縁膜（６）で覆う。例文帳に追加

The semiconductor device comprises the MIM capacitive element (100) consisting of a lower electrode (3), a dielectric capacitive film (4) and an upper electrode (5) formed on a substrate (1), and a dummy MIM capacitive element (101) wherein the substrate is covered with an insulating film (6) including the MIM capacitive element and the dummy MIM capacitive element. - 特許庁

各容量素子の容量膜をこのように形成することによって、容量素子Ｃ１と容量素子Ｃ２の容量膜のばらつきに起因する容量比のばらつきを大きく低減し、チャージ・ポンプ回路１１０の電流能力Ｉｃｐのばらつきを低減することができる。例文帳に追加

By forming the capacity film of each capacity element in this way, it is made possible to greatly reduce a variation in capacity ratio resulting from a variation in the capacity film of the capacity element C1 and the capacity element C2, and moreover to reduce a variation in the current performance Icp of the pump circuit 110. - 特許庁

インバータなどを用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積および放出を制御する容量用スイッチング素子とを設ける。例文帳に追加

In a storage element including an inverter or the like, a capacitor element for holding data and a capacitor switching element for controlling the accumulation and release of charges in and out of the capacitor element are provided. - 特許庁

ループフィルタは、第１の容量素子３１と、この容量素子３１に直列に接続された抵抗素子３２及び第２の容量素子３３とを備える。例文帳に追加

The loop filter includes a first capacitive element 31, and a resistance element 32 and a second capacitive element 33 which are connected to the capacitive element 31 in series. - 特許庁

第２のフィルタ（１３）は、直列接続されたｎ個の容量素子（１３１）と、容量素子の各接続点とグランドとの間に接続されたｎ−１個の抵抗素子（１３２）と、容量素子の各接続点とグランドとの間に接続されたｎ−１個の容量素子（１３３）とを有する。例文帳に追加

The second filter (13) has n-pieces of capacitive elements (131) connected in series, (n-1)-pieces of resistive elements (132) connected between an interconnecting point of each of the resistive elements and a ground, and (n-1)-pieces of capacitive elements (133) connected between a connecting point of each of the resistive elements and the ground. - 特許庁

また、この補助容量電圧Ｖoutを補助容量素子Ｃｓ単位で供給する。例文帳に追加

The auxiliary capacitor voltage Vout is supplied in a unit of auxiliary capacitor element Cs. - 特許庁

静電容量型センサの容量素子に対応する出力信号のヒステリシスを低減する。例文帳に追加

To reduce the hysteresis of an output signal corresponding to the capacitative element of an electrostatic capacitance type sensor. - 特許庁

容量素子、半導体装置及び半導体装置のパッド電極の端子容量設定方法例文帳に追加

CAPACITIVE ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND TERMINAL CAPACITANCE SETTING METHOD OF PAD ELECTRODE THEREOF - 特許庁

有利には、このスイッチは、容量式のセンサ素子を有する容量式のタッチセンシティブスイッチである。例文帳に追加

Advantageously, this switch is a capacitive touch-sensitive switch having a capacitive sensor element. - 特許庁

小さな消費電力により大きな静電容量を得ることができる可変容量素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a variable capacitance element which have a large capacitance with a small power consumption. - 特許庁

絶縁基板上に所定の静電容量値の容量素子を確実に形成することができない。例文帳に追加

To form reliably a capacitor element of a prescribed electrostatic capacitance on an insulating board. - 特許庁

可変容量コンデンサ封止用誘電材料、可変容量コンデンサおよび素子集合体例文帳に追加

DIELECTRIC MATERIAL FOR SEALING VARIABLE CAPACITOR, VARIABLE CAPACITOR AND ELEMENT ASSEMBLY - 特許庁

外部から衝撃等が加わっても容量値を保持することができる可変容量素子を提供する。例文帳に追加

To provide a variable capacitance element can hold a capacitance value even when applied with a shock etc., from outside. - 特許庁

容量絶縁膜及びその製造方法、並びに容量素子及びその製造方法例文帳に追加

CAPACITANCE INSULATING FILM AND ITS PRODUCTION PROCESS, AND CAPACITIVE ELEMENT AND ITS FABRICATION PROCESS - 特許庁

このため、両者によって構成される容量素子Ｃの静電容量値は変動する。例文帳に追加

Thus, a capacitance value of a capacitive element C to be constituted of both fluctuates. - 特許庁

高容量・高精度なＭＩＭ静電容量素子を少ない工程で製造する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for manufacturing a high-capacitance and high-accuracy MIM electrostatic capacitor by a small number of steps. - 特許庁

フィルタとして大きな容量を有する容量素子が不要となりコストアップを抑える。例文帳に追加

To suppress cost increase by eliminating the necessity of a capacitive element having large capacity as a filter. - 特許庁

容量可変コンデンサ回路、容量可変薄膜コンデンサ素子及び高周波部品例文帳に追加

CAPACITY VARIABLE CAPACITOR CIRCUIT, CAPACITY VARIABLE THIN FILM CAPACITIVE ELEMENT AND HIGH FREQUENCY COMPONENT - 特許庁

保護カバー３は、容量素子２に熱圧着され、第２容量電極２６の全体を覆っている。例文帳に追加

The protective cover 3 is thermally compression-bonded to the capacitive element 2 to cover the entire of a second capacitive electrode 26. - 特許庁

光学素子の静電容量検出装置、および静電容量検出装置を備えた光学装置例文帳に追加

CAPACITANCE DETECTOR FOR OPTICAL ELEMENT, AND OPTICAL DEVICE WITH IT - 特許庁

単位面積当たりの容量を大きくできる容量素子を含む電子回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electronic circuit device including a capacitive element, capable of increasing the capacitance per unit area. - 特許庁

２つの容量素子Ｃ_１およびＣ_２それぞれの容量値は互いに等しい。例文帳に追加

Capacitance values of the capacitative element C_1 and the capacitative element C_2 are identical to each other. - 特許庁

容量可変コンデンサ回路、容量可変薄膜コンデンサ素子及び高周波部品例文帳に追加

CAPACITY VARIABLE CAPACITOR CIRCUIT, CAPACITY VARIABLE THIN FILM CAPACITOR ELEMENT AND HIGH FREQUENCY COMPONENT - 特許庁

これに応じて、可変容量素子２３の容量Ｃ＿ＶＤは緩やかに減少する。例文帳に追加

In accordance with this, a capacity C_VD of a variable capacitance element 23 gradually decreases. - 特許庁

第１のセンサ素子１１には静電容量式のセンサ素子、第２のセンサ素子１２には感圧式のセンサ素子が使用される。例文帳に追加

For the first sensor element 11, an electrostatic capacitance type sensor element is used, and for the second sensor element 12, a pressure-sensitive type sensor element is used. - 特許庁

補助スイッチ素子制御用のドライバ回路を設けることなく、抵抗素子と容量素子とにより補助スイッチ素子の制御を行う。例文帳に追加

It controls the auxiliary switch element by a resistive element and a capacitive element, without being provided with a driver circuit for control of the auxiliary switch element. - 特許庁

ＢＰＦは例えば第１誘導性素子Ｌ１および第１容量性素子Ｃ１の組と、第２誘導性素子Ｌ２および第２容量性素子Ｃ２の組と、第３誘導性素子Ｌ３および第３容量性素子Ｃ３の組とにより構成されている。例文帳に追加

The BPF has composed of a couple of a first inductive element L1 and a first capacitive element C1, a couple of a second inductive element L2 and a second capacitive element C2, and a couple of a third inductive element L3 and a third capacitive element C3. - 特許庁

コンデンサ１３は、線路３１側の容量と線路３２側の容量とのバランスをとる素子であり、その容量値Ｃ３は、容量値Ｃ１＋容量値Ｃ３＝容量値Ｃ２となるように、設定されている。例文帳に追加

The capacitor 13 is an element for balancing the capacitance on the side of the line 31 and the capacitance on the side of the line 32, and the capacitance value C3 is set so that (the capacitance value C1)+(the capacitance value C3)=the capacitance value C2. - 特許庁

各抵抗素子間及び最も容量素子に近い位置に接続された抵抗素子の容量素子側には、例えばトランジスタからなるスイッチ素子が接続されている。例文帳に追加

To the capacitance element side of the resistance element connected between individual resistance elements at the closest position the capacitance element, a switching element composed of, for example, transistors is connected. - 特許庁

無給電素子３，４は、それぞれ、可変容量素子であるバラクタダイオード６，７が装荷される。例文帳に追加

In the parasitic elements 3, 4, varactor diodes 6, 7 are mounted as variable capacitors. - 特許庁

半導体基板１０に形成された素子分離領域１１上に容量素子を形成する。例文帳に追加

The capacitive element is formed on an element isolation region 11 formed over a semiconductor substrate 10. - 特許庁

これにより、圧電素子２と容量素子３との間隔が一定に保たれることになる。例文帳に追加

This configuration keeps a distance between the piezoelectric element 2 and the capacitive element 3 in constant. - 特許庁