| 例文 (999件) |
容量素子の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4244件
このため、第１容量素子Ｃ１に閾値電圧を書き込むと同時に、第２容量素子Ｃ２にデータ電圧を書き込むことができる。例文帳に追加
Therefore, it is possible that the data voltage is written to the second capacitive element C2 simultaneously at the time of writing the threshold voltage to the first capacitive element C1. - 特許庁
活性領域Ｌ１にはメモリセルＭＣ１の容量素子Ｃを配置し、活性領域Ｌ４にはメモリセルＭＣ２の容量素子Ｃを配置する。例文帳に追加
A capacitive element C of the memory cell MC1 is installed in the active region L1, and a capacitive element C of the memory cell MC2 in the active region L4. - 特許庁
容量素子を含む半導体装置において、容量素子の信頼性向上を図ることができる技術を提供する。例文帳に追加
To provide a technique capable of improving the reliability of a capacitive element, in a semiconductor device including the capacitive element. - 特許庁
容量素子Ｃ１の一端がトランジスタＴ１のゲートに接続され、容量素子Ｃ１の他端が電源線ＶＤＤＬに接続されている。例文帳に追加
One end of the capacitive element C1 connects with the gate of the transistor T1 and the other end of the capacitive element C1 connects with the power source line VDDL. - 特許庁
第２容量素子（２３）は、デジタルビットワードＶＣＷＤ［Ｎ：１］により作動可能な複数の容量素子の配列部から形成される。例文帳に追加
A second capacitative element 23 is formed of an arrangement unit of a plurality of capacitance elements, that are operable by a digital bit word VCWD [N:1]. - 特許庁
不良素子を含む複数のＭＥＭＳ可変容量素子が集積された可変容量システムの歩留まり及び信頼性を向上させる。例文帳に追加
To improve yield or reliability of a variable-capacitance system in which multiple MEMS varactors including defective elements are integrated. - 特許庁
慣性力によって変位する可動体を複数有し、各可動体によって形成される可変容量素子の容量値を検出して、慣性力を検出する慣性センサにおいて、可変容量素子の容量値の検出を可変容量素子の数よりも少ない検出系で行うこと。例文帳に追加
To detect the capacitance values of varactors by detection systems smaller in number than that of the varactors, in an inertia sensor which has a plurality of movable bodies to be displaced by an inertial force, detects the capacitance value of the varactor formed by each movable body, and detect the inertial force. - 特許庁
抵抗素子間寄生容量値算出部１６は、抵抗データベースから寄生容量を発生させる共通区間を有する二つの抵抗素子を選択して抵抗素子間の寄生容量値を算出し、算出した寄生容量値と前記ノードとを関連付けて寄生容量リストに保存する。例文帳に追加
An inter-resistance element parasitic capacitance value calculation unit 16 selects out of the resistance database two resistance elements sharing a common section capable of generating parasitic capacitance, calculates the parasitic capacitance value between the resistance elements, and stores the value in a parasitic capacitance list wherein the value and the nodes are coordinated with each other. - 特許庁
低電源電圧においても、可変容量素子の素子面積を増大させることや、制御電圧のレベル変換を行うことなく、可変容量素子の可変容量幅を最大限に広げることが可能な可変容量回路および可変容量の制御方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a variable capacity circuit capable of maximizing the variable capacity width of a varactor without increasing the element area of the varactor nor converting the level of a control voltage even at a low source voltage, and a control method for variable capacity. - 特許庁
容量性素子の電流測定回路及び圧電ヘッドの故障検出装置例文帳に追加
AMPEROMETRY CIRCUIT OF CAPACITIVE ELEMENT, AND FAILURE DETECTION DEVICE OF PIEZOELECTRIC HEAD - 特許庁
画素４０は、トランジスタ４１及び容量性素子４２を含む。例文帳に追加
The pixel 40 includes a transistor 41 and a capacitive element 42. - 特許庁
圧電共振素子、圧電フィルタ及び負荷容量内蔵型圧電発振子例文帳に追加
PIEZOELECTRIC RESONANCE ELEMENT, PIEZOELECTRIC FILTER AND PIEZOELECTRIC OSCILLATOR WITH BUILT-IN LOAD CAPACITY - 特許庁
半導体容量素子及びそれを用いた半導体集積回路例文帳に追加
SEMICONDUCTOR CAPACITIVE ELEMENT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING IT - 特許庁
ＭＩＭ構造の容量素子及びそれを有する半導体集積回路装置例文帳に追加
CAPACITY ELEMENT OF MIM STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING THE SAME - 特許庁
容量素子を有する半導体装置およびその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CAPACITY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
容量素子Ｃ0は、第１電極Ｌ1と第２電極Ｌ2とを有する。例文帳に追加
A capacitive element CO has a first electrode L1 and a second electrode L2. - 特許庁
半導体記憶容量素子のストレージノードおよびその製造方法例文帳に追加
STORAGE NODE OF SEMICONDUCTOR MEMORY CAPACITANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
容量素子を有する半導体装置及びその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CAPACITANCE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME - 特許庁
圧電アクチュエータ、可変容量コンデンサ及び光偏向素子例文帳に追加
PIEZOELECTRIC ACTUATOR, CAPACITY-VARIABLE CAPACITOR AND LIGHT DEFLECTION ELEMENT - 特許庁
半導体記憶容量素子のストレージノード及びその製造方法例文帳に追加
STORAGE NODE OF SEMICONDUCTOR STORAGE CAPACITY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁
半導体集積回路における容量素子及びその電源配線例文帳に追加
CAPACITIVE ELEMENT IN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND ITS POWER SUPPLY LINE - 特許庁
容量素子Ｃ２は、昇圧ノード（ノードＮ２）の電圧を昇圧する。例文帳に追加
The capacitative element C2 boosts the voltage of a voltage boosting nose (node N2). - 特許庁
半導体記憶容量素子のストレージノードの製造方法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING STORAGE NODE OF SEMICONDUCTOR STORAGE CAPACITIVE ELEMENT - 特許庁
容量素子及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法例文帳に追加
CAPACITIVE ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
ニオブ酸系誘電体材料、容量可変素子及びその製造方法例文帳に追加
NIOBATE BASED DIELECTRIC MATERIAL, VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁
容量素子、半導体装置及び半導体装置の製造方法例文帳に追加
CAPACITY ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
容量素子および電子回路基板ならびに電子回路基板の製造方法例文帳に追加
CAPACITIVE ELEMENT, ELECTRONIC CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC CIRCUIT BOARD - 特許庁
発電効率の高い静電容量変化型の発電素子を提供する。例文帳に追加
To provide an electrostatic capacity variation type power generation element featuring high power generation efficiency. - 特許庁
分極評価用強誘電体容量素子およびその評価方法例文帳に追加
FERROELECTRIC CAPACITOR ELEMENT FOR POLARIZATION EVALUATION, AND ITS EVALUATION METHOD - 特許庁
容量素子、半導体集積回路ならびに液晶表示装置例文帳に追加
CAPACITANCE ELEMENT, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND LIQUID CRYSTALLINE DISPLAY - 特許庁
ＭＩＭ容量素子を備えた半導体装置とその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MIM CAPACITOR ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁
容量素子を有する半導体装置の信頼性を向上させる。例文帳に追加
To improve the reliability of a semiconductor device having a capacity element. - 特許庁
強誘電体膜の熱処理方法、容量素子及びその製造方法例文帳に追加
METHOD FOR HEAT TREATMENT OF FERROELECTRIC FILM, CAPACITY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
容量素子及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法例文帳に追加
CAPACITOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
容量素子を有する半導体装置の製造コストを低減する。例文帳に追加
To reduce a manufacturing cost of a semiconductor device having a capacity element. - 特許庁
半導体素子は、容量可変部とインダクタ部とを備えて構成される。例文帳に追加
A semiconductor device comprises a capacity variable part and an inductor. - 特許庁
堰層型積層静電容量素子及びその製造方法例文帳に追加
BARRIER-LAYER LAMINATION ELECTROSTATIC CAPACITIVE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
電圧可変容量素子及びこれを用いた電圧制御発振器例文帳に追加
VOLTAGE VARIABLE CAPACITIVE ELEMENT AND VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR USING THE SAME - 特許庁
生産性に優れる温度補償型の静電容量素子を提供する。例文帳に追加
To provide a temperature compensation electrostatic capacitive element exhibiting excellent productivity. - 特許庁
金属酸化膜、容量素子、および半導体装置の各製造方法例文帳に追加
METHODS FOR FORMING METAL OXIDE FILM AND MANUFACTURING CAPACITATIVE ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
ＭＩＭ型の容量素子の下部電極の形成を容易にする。例文帳に追加
To easily form a lower electrode of an MIM type capacity element. - 特許庁
容量素子及びその製造方法、半導体メモリ及びその製造方法例文帳に追加
CAPACITANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD AS WELL AS SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
強誘電体膜、強誘電体容量素子及びその製造方法例文帳に追加
FERROELECTRIC FILM, FERROELECTRIC CAPACITIVE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF THEM - 特許庁
容量素子Ｃ４は、出力トランジスタＱ６のゲート電圧を制御する。例文帳に追加
The capacitative element C4 controls the gate voltage of the output transistor Q6. - 特許庁
半導体装置の製造方法及び容量素子の製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND CAPACITATIVE ELEMENT MANUFACTURING METHOD - 特許庁
半導体装置に形成した容量素子のＱ値を向上させる。例文帳に追加
To improve a Q value of a capacitive element formed on a semiconductor device. - 特許庁
ＭＩＭ容量素子を備える半導体装置及びその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH MIM CAPACITIVE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁
容量素子、その製造方法、半導体装置及びその製造方法例文帳に追加
CAPACITANCE ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁
記憶素子が、トランジスタと静電容量で構成されている。例文帳に追加
The storage element is constituted of a transistor and an electrostatic capacity. - 特許庁
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