「容量素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

また、容量素子の面積が縮小しても、この容量を積層していくことにより十分な容量が得られる。例文帳に追加

Even if the area of the capacitance element is reduced, sufficient capacitance can be obtained by laminating the capacitance. - 特許庁

ＤＭＯＳ容量を形成する上で、ある一定の容量を保ちつつ、半導体基板上に占める容量素子の占有面積を縮小する。例文帳に追加

To keep a capacity constant when forming a DMOS capacity, and to reduce the occupation area of a capacity element occupying a semiconductor substrate. - 特許庁

そして、前記固定容量素子の容量値をＸ、前記可変容量値をＹとしたとき、Ｘ／Ｙが１以上となるように設定した。例文帳に追加

Their capacitance values are so set that X/Y becomes 1 or more, when the capacitance value of each fixed capacitance element is represented as X, and the capacitance value of each variable capacitance element is represented as Y. - 特許庁

容量の精度が高く、しかも長期の使用でも容量変動の小さな容量素子を提供する。例文帳に追加

To provide a capacitive element which has high precision of capacity and also has small capacity variation even when used for a long period. - 特許庁

高電位と低電位の間にＭＯＳ容量ＭＯＳ１とＭＯＳ容量ＭＯＳ２とを直列に接続して直列容量素子を形成する。例文帳に追加

A series capacitance element is formed by serially connecting a MOS capacitor MOS1 and a MOS capacitor MOS2 to each other between high potential and low potential. - 特許庁

保持容量素子１０Ｃでは、導電膜２７Ａ，１３Ｂ間において容量形成がなされ、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。例文帳に追加

In the holding capacitor 10C, capacitance is formed between the conductive films 27A and 13B, and thus the variation in capacitance depending on applied voltage is suppressed. - 特許庁

電極Ｅ１，Ｆ１からなる容量素子の静電容量値と電極Ｅ２，Ｆ２からなる容量素子の静電容量値との差により、コリオリ力Ｆｘを検出し、角速度ωｚを求める。例文帳に追加

Thus the Coriolis force Fx is detected from the difference between capacitance value of a capacitive element consisting of electrodes E1 and F1 and that of a capacitive element consisting of electrodes E2 and F2 to calculate the angular velocity ωz. - 特許庁

静電容量を持った素子が劣化し、その静電容量が必要な静電容量を下回る前に、交換時期が近づいていることを知らせることが可能な静電容量を持った素子の寿命監視装置を提供する。例文帳に追加

To provide a life monitoring device of an element having an electrostatic capacity, capable of informing approach of replacement period before the element having an electrostatic capacity is deteriorated so that the electrostatic capacity is below the necessary electrostatic capacity. - 特許庁

電極Ｅ３，Ｆ３からなる容量素子Ｃ３の静電容量値と電極Ｅ４，Ｆ４からなる容量素子Ｃ４の静電容量値との差により、コリオリ力Ｆｙを検出し、角速度ωｘを求める。例文帳に追加

The Coriolis force Fy is detected and the angular velocity is determined by the difference between the capacitance value of a capacitance element C3 formed with the electrodes E3, F3 and the capacitance value of a capacitance element C4 formed of the electrodes E4, F4. - 特許庁

下部電極１０、容量絶縁膜１８および中間電極１１よりなる容量素子上に、中間電極１１、容量絶縁膜２１および上部電極１２よりなる容量素子を形成する。例文帳に追加

The capacitive element comprising an intermediate electrode 11, a capacitive insulating film 21, and an upper electrode 12 is formed on a capacitive element comprising a lower electrode 10, a capacitive insulating film 18, and the intermediate electrode 11. - 特許庁

ＭＩＭ容量素子形成時に生じる異常放電による容量絶縁膜の絶縁破壊を抑えることができて、高容量密度のＭＩＭ容量素子を得る。例文帳に追加

To suppress dielectric breakdown of a capacitive insulating film caused by abnormal discharge during formation of an MIM capacitive element and obtain the MIM capacitive element having a high capacity density. - 特許庁

画素２０内に補助容量を追加して設けるのではなく、隣接画素の信号線３３の配線容量を有機ＥＬ素子の補助容量として使用することで有機ＥＬ素子２１の容量不足を補う。例文帳に追加

The shortage of capacity of an organic EL element 21 is compensated by using the wiring capacity of a signal line 33 of an adjoining pixel as an auxiliary capacity of the organic EL element instead of adding an auxiliary capacity into the pixel 20. - 特許庁

素子分離絶縁膜上に複数の容量素子が形成された半導体装置において、複数の容量素子の寄生容量を低減するとともに、相対精度の向上を図る。例文帳に追加

To reduce parasitic capacitance of a plurality of capacitance elements and improve relative accuracy in a semiconductor device where a plurality of capacitive elements are formed on an element isolating insulation film. - 特許庁

容量素子を２個備えたＤ／Ａ変換回路では、前記容量素子とスイッチ素子の制御信号配線との間に形成される寄生容量により出力電圧の精度が悪くなる。例文帳に追加

To solve the problem that precision of output voltage is worsened by a parasite capacity between a capacity element and control signal wiring of a switch element in a D/A conversion circuit provided with the two capacity elements. - 特許庁

また、主容量素子（11）のみにより、又は所定個数の補助容量素子（C9〜C16）を第１の蓄電部（10）の容量素子に直列に接続して供給電力を出力するスイッチ部（30）を設ける。例文帳に追加

A switch part (30) is provided which outputs feed power by using only the main capacitive element (11) or by connecting a predetermined number of auxiliary capacitive elements (C9 to C16) to the capacitive element of the first power storage part (10) in series. - 特許庁

容量素子Ｃ１の上部に配線Ｍ２〜Ｍ６の櫛型のパターンにより形成したＭＩＭ型の容量素子を配置し、これを容量素子Ｃ１と並列に接続する。例文帳に追加

MIM (Metal Insulator Metal) capacitance elements formed by comblike patterns of wiring M2 to M6 are arranged on the upper part of the capacitance element C1, and connected in parallel with the capacitance element C1. - 特許庁

ｎ型ウエル８は容量素子Ｃ_1の一方の電極として作用し、ゲート電極１０Ｅは容量素子Ｃ_1の他方の電極として作用し、ゲート酸化膜９Ｂは容量素子Ｃ_1の誘導体膜として作用する。例文帳に追加

The well 8 is operated as one electrode of the element C_1, and the film 9B is operated as a dielectric film of the element C_1. - 特許庁

各容量素子５４を各薄膜トランジスタを介して充放電し、各容量素子５４に蓄えられた電荷に基づく充電電流と、各容量素子５４の放電後の放電電流とをサンプリングする。例文帳に追加

Each capacitive element 54 is charged and discharged via each thin film transistor and a charging current based on charge accumulated in each capacitive element 54 and a discharging current after the discharge of each capacitive element 54 are sampled. - 特許庁

複数の容量素子（11）が並列接続された複数の並列容量素子ブロック（10）と、複数の並列容量素子ブロック（10）を直列接続する接続部（20）とを設ける。例文帳に追加

The power storage device includes: a plurality of parallel capacitive element blocks (10) having a plurality of capacitive elements (11) connected in parallel; and connection portions (20) for connecting in series the parallel capacitive element blocks (10). - 特許庁

半導体基板上に容量素子Ｃ１〜Ｃ４が配置され、容量素子Ｃ１，Ｃ２の直列回路と容量素子Ｃ３，Ｃ４の直列回路とが電位Ｖ１，Ｖ２間に並列に接続されている。例文帳に追加

Capacitance elements C1-C4 are arranged on a semiconductor substrate, and a series circuit of the capacitance elements C1, C2 and a series circuit of the capacitance elements C3, C4 are connected in parallel between electric potentials V1, V2. - 特許庁

半導体基板上に不揮発性メモリセルと容量素子とを形成する半導体装置において、容量素子を製造する追加工程を実施することなく、高精度な容量素子を製造できる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for manufacturing a high-precision capacitance element without implementing an additional step of manufacturing the capacitance element for a semiconductor device having a nonvolatile memory cell and the capacitance element formed on a semiconductor substrate. - 特許庁

平面視において、第１容量素子２００の中心を通る直線（例えば図１における点線）に沿ってみた場合に、第１容量素子２００及び第２容量素子３００は互いに交互に位置する平面形状を有している。例文帳に追加

In a plan view along a straight line (for example, a dotted line in Fig.1) passing through the center of the first capacitive element 200, the first and second capacitive elements 200, 300 have mutually and alternately positioned planar shapes. - 特許庁

ｎ型ウエル８は容量素子Ｃ_１の一方の電極として作用し、ゲート電極１０Ｅは容量素子Ｃ_１の他方の電極として作用し、ゲート酸化膜９Ｂは容量素子Ｃ_１の誘導体膜として作用する。例文帳に追加

The n-well 8 serves as an electrode of the capacitive element C_1, and the gate electrode 10E serves as the other electrode of the capacitive element C_1, while the gate oxide film 9B serves as the dielectric film of the capacitive element C_1. - 特許庁

容量素子と、一つのトランジスタとを有し、容量素子の一方の電極は配線と接続され、容量素子の他方の電極はトランジスタのゲートと接続される構成とする。例文帳に追加

A liquid crystal display has the capacitor, and one transistor, and is constituted so that one electrode of the capacitor is connected to a wiring and the other electrode of the capacitor is connected to a gate of the transistor. - 特許庁

半導体記憶装置に用いる容量素子、特に、抜き円筒型容量素子に関して、隣接したストレージノード層間での短絡を防止した容量素子を提供する。例文帳に追加

To provide a capacitive element which prevents the short circuit between adjacent storage node layers, concerning a capacitive element used for a semiconductor storage device, especially, a die-cut cylindrical capacitive element. - 特許庁

容量性素子への電圧印加方法を複数種類選択可能とし、容量性素子の充電／放電に係る駆動を選択可能な容量性素子駆動回路を実現すること。例文帳に追加

To realize a capacitive element drive circuit in which a plurality of methods for applying a voltage to a capacitive element can be selected and the driving related to charge/discharge of the capacitive element can be selected. - 特許庁

ノイズ低減回路は、電源とグランドとの間に配置された容量素子および抵抗素子を含むデカップリング容量回路と、容量素子と抵抗素子との接続点とグランドもしくは電源との間に接続されたダイオード素子とを備える。例文帳に追加

The noise reduction circuit includes a decoupling capacity circuit which includes a capacitance element and a resistive element arranged between a power supply and a ground and, and a diode element connected between a connection point, of the capacitance element and the resistive element, and the ground or power supply. - 特許庁

当該電源間容量素子形成領域５に、ＭＩＳＦＥＴ素子７を形成し、当該ＭＩＳＦＥＴ素子７のゲート電極９、ゲート絶縁膜１２及び半導体基板１７で構成されるゲート容量素子を電源間容量素子として用いる。例文帳に追加

In each capacitance-element forming region 5 at the power supply, MISFET elements 7 are so formed as to use as each capacitance element at the power supply, a gate-capacitance element comprising a gate electrode 9, a gate insulating film 12, and a semiconductor substrate 17 of each MISFET element 7. - 特許庁

また、変調回路２は、入力信号の“０”に対してを変調回路２に含まれるインダクタンス素子をダミー容量素子に接続し、インダクタンス素子およびダミー容量素子からなる共振回路を共振させる。例文帳に追加

Also, the modulation circuit 2 connects the inductance element included in the modulation circuit 2 to a dummy capacitive element and resonates a resonance circuit composed of the inductance element and the dummy capacitive element for "0" of the input signals. - 特許庁

抵抗素子２ａ及び容量素子２ｂの所望位置に、レジストを形成し、エッチングを行うことで、抵抗素子２ａ及び容量素子２ｂ領域に第２の絶縁膜８ａを残す。例文帳に追加

At a desired position of a resistor element 2a and a capacitor element 2b, resist is formed and etched to leave the second insulation film 8a in the region of the resistor element 2a and the capacitor element 2b. - 特許庁

同一半導体基板上に、トランジスタ素子、及び、容量素子、及び、抵抗素子を有する半導体装置において、十分な機能を有する容量素子を提供する。例文帳に追加

To provide a capacitive element having a sufficient function and included in a semiconductor device provided with a transistor element, the capacitive element and a resistance element on the same semiconductor substrate. - 特許庁

当該静電容量検出素子（１）は、当該静電容量に応じた電荷を蓄積する信号検出素子（４）、当該信号検出素子（４）が蓄積した電荷に対応した信号を増幅する信号増幅素子（Ｔ１）を含んでいる。例文帳に追加

The electrostatic capacity detecting element (1) comprises the signal detecting element (4) for accumulating charges corresponding to the electrostatic capacitance, and the signal-amplifying element (T1) for amplifying the signal, corresponding to the charges accumulated by the signal detection element (4). - 特許庁

位相反転素子への電源電圧の印加を停止する場合、データを容量素子に記憶させることで、位相反転素子への電源電圧の供給を停止しても、容量素子においてデータを保持させる。例文帳に追加

When application of a power supply voltage to the phase-inversion element is stopped, the data are stored in the capacitor, so that the data are held in the capacitor even when the application of the power supply voltage to the phase-inversion element is stopped. - 特許庁

バイアス素子３５により、所定のバイアス状態とすることで、第一の容量素子２９と、第二の容量素子３１の帰還作用により、発振素子３３の発振が持続する。例文帳に追加

A bias element 35 brings the circuit into a prescribed bias state, the oscillation of the element 33 can be kept by a feedback operation of the element 31. - 特許庁

抵抗素子Ｒ３と容量素子Ｃとは直列接続され、抵抗素子Ｒ３側の端部が中性点に、容量素子Ｃ側の端部がダイオードＤに接続されている。例文帳に追加

The resistance element R3 and the capacitive element C are connected in series, the end on the side of the resistance element R3 is connected to a neutral point, and the end on the side of the capacitive element C is connected to the diode D. - 特許庁

抵抗素子と容量素子は交互にループ状に接続され、抵抗素子と容量素子間の各ノードに対して順次、入力端および出力端が交互に接続される。例文帳に追加

The resistive elements and the capacitative elements are alternately connected so as to have a loop form, and the input terminals and the output terminals are sequentially and alternately connected to each node between the resistive elements and the capacitative elements. - 特許庁

容量素子と抵抗素子とを有する半導体装置の製造方法で、同一材料からなる材料層にそれぞれ異なる処理を施すことにより容量素子と抵抗素子とを形成する。例文帳に追加

(2) A manufacturing method of an electronic component which includes a process, in which material layers made of identical material are subjected respectively to different treatments to form a capacitive element and a resistive element. - 特許庁

容量素子１と抵抗素子２とを有する半導体装置で、同一材料からなる材料層をそれぞれ異なる処理で処理することにより形成した容量素子と抵抗素子とを有する。例文帳に追加

(3) A semiconductor device which has a capacitive element 1 and a resistive element 2, which are formed by different treatments to which material layers made of identical material are subjected respectively. - 特許庁

シールド体は、容量素子の電極と同一の配線層に前記容量素子を平面的に囲むようにして形成された第１の導電体と、前記容量素子の電極が形成された配線層よりも上層の配線層に前記容量素子を平面的に囲むようにして形成され、かつ前記第１の導電体よりも前記容量素子側へ平面的に延長された第２の導電体とを有する。例文帳に追加

The shielding unit comprises a first conductor formed in the same wiring layer as the electrodes of the capacitive element so as to surround the capacitive element in a plane, and a second conductor formed in the wiring layer upper than that wherein the electrodes of the capacitive element are formed so as to surround the capacitive element in a plane and extended to the side of the capacitive element than the first conductor in the plane. - 特許庁

容量素子１９は、容量用誘電膜４と、容量用誘電膜を挟んで互いに対向するように配置された＋−下部容量電極３および上部容量電極５とを有する。例文帳に追加

The capacity element 19 has a dielectric film 4 for capacity and +- lower capacity electrode 3 and an upper capacity electrode 5 which are arranged so as to be opposed to each other through the dielectric film 4. - 特許庁

静電容量素子に初期容量差がある場合でも正確な静電容量の変化を検出可能で且つ低コストな静電容量型センサの容量変化検出回路を提供する。例文帳に追加

To provide an inexpensive capacity change detecting circuit for an electrostatic capacity type sensor capable of detecting accurately a change of each electrostatic capacity even when an initial capacity difference exists in electrostatic capacity elements. - 特許庁

第１，第３のインダクタンス素子，第２，第４のインダクタンス素子により，互いに容量接合される２つのインダクタンス素子が構成される。例文帳に追加

The two inductance elements which are capacitively coupled with each other are configured of the first and third inductance elements and the second and fourth inductance elements. - 特許庁

各画素は、画素電極と、表示素子と、画素電極により表示素子と接続されている保持容量及びスイッチング素子とを有する。例文帳に追加

Each pixel includes a pixel electrode, a display element, a retention volume connected to the display element by the pixel electrode, and a switching element. - 特許庁

センサーとして、光電変換素子、静電容量検出素子、又は温度検出素子を用いることができる。例文帳に追加

As a sensor, a photoelectric conversion element, a capacitance detection element or a temperature detection element can be used. - 特許庁

補正回路は、抵抗性素子及び容量性素子を備え、ストレージ素子の出力信号に応答するフィードバック信号を出力する。例文帳に追加

The correction circuit includes a resistor and a capacitor and outputs the feedback signal in response to an output signal of the storage element. - 特許庁