「容量素子」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

これによれば、増幅素子３からの出力が、容量Ｃ_１、インダクタンスＬ、容量Ｃ_２を通って入力端へ帰還し、発振が行われる。例文帳に追加

Accordingly, the output from the amplifying element 3 is fed back to the input end through a capacitance C_1, an inductance L and a capacitance C_2, and oscillation occurs. - 特許庁

可変容量素子３０の容量はバイポーラトランジスタのエミッタ層３とコレクタ層４間に印加する電圧により制御される。例文帳に追加

Capacitance of the variable capacitor 30 is controlled by a voltage that is applied between an emitter layer 3 and a collector layer 4 in the bipolar transistor. - 特許庁

可変容量範囲が広く、単位面積当たりの容量値が大きいＭＯＳ型バラクタ素子を備えた半導体集積回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device with a wide variable capacitive range, provided with an MOS type varactor element having a large capacity per unit area. - 特許庁

静電容量素子Ｃ１０〜Ｃ１３は、容量の絶対値が異なるもので構成され、設計者が意図する周波数範囲をカバーするよう設ける。例文帳に追加

The capacitance elements C10 to C13 have different absolute values of capacitance and are provided so as to cover the frequency range intended by a designer. - 特許庁

また、容量性スタブ１５の一端が前記可変容量素子のインダクタンスが接続される端子と反対側の端子に接続される。例文帳に追加

Also, one end of the capacitive stub 15 is connected to a terminal opposite to a terminal to which an inductance of the variable capacitive element is connected. - 特許庁

保持容量は素子駆動トランジスタのゲート電極に第１電極が、容量ライン１２に第２電極が接続されている。例文帳に追加

A first electrode and a second electrode of a hold capacitor are respectively connected to a gate electrode of the element driving transistor and a capacitive line 12. - 特許庁

基板１上に選択トランジスタ、強誘電体または高誘電率誘電体を容量絶縁膜とする容量素子１１が形成されている。例文帳に追加

A selective transistor, a ferroelectric body or a capacity element 11 employs a high dielectric constant dielectric body as a capacitance insulating film and is formed on a substrate 1. - 特許庁

この電圧可変容量素子７０は、ＡＣカットインダクタ６０から供給される直流電圧により容量が変化する。例文帳に追加

The voltage varactor 70 has a capacitance variable with a DC voltage supplied from the AC cut inductor 60. - 特許庁

つまり、可変容量素子の容量と反射波の電力との対応関係を、予めマトリックスとして保持しておく。例文帳に追加

In short, correspondences between the capacitances of the variable capacitance element and the powers of reflected waves are maintained as a matrix. - 特許庁

王冠型の容量素子を備える半導体装置の製造に際し、容量電極の傾斜又は倒壊の発生を防止する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device comprising a crown type capacitance element, which can prevent tilting or collapse of a capacitive electrode. - 特許庁

まず、基板１０１上に金属酸化物からなる容量絶縁膜１０６を含む容量素子１０８を形成する。例文帳に追加

A capacitor element 108 containing a capacitor insulating film 106 of a metal oxide is formed on a board 101. - 特許庁

第１及び第２のリアクタンス部１８、２０を構成する可変容量素子の静電容量を変化させると、リアクタンスＸが変化する。例文帳に追加

When electrostatic capacitance of each of variable capacitors comprising the first and second reactance parts 18, 20 is changed, the reactance X is changed. - 特許庁

容量素子の誘電体薄膜の上部をエミッタ拡散用のポリシリコン層で被覆することにより、容量値のばらつきを抑える。例文帳に追加

To suppress fluctuation of the capacitance value of a capacitance element by coating the upper surface of the element with a polysilicon layer for diffusing emitter. - 特許庁

静電容量センサ１ａは、静電容量型の検出素子２と、検出回路が実装された回路基板６と、電源部７とで構成されている。例文帳に追加

A capacitance sensor 1a is constituted of a capacitance type detection element 1, a circuit board 6 on which a detection circuit is mounted, and a power source part 7. - 特許庁

電圧非依存の静電容量素子５０は、センシングノードに対して電圧に依存しない静電容量を提供する。例文帳に追加

The voltage-independent capacitance device 50 provides a capacitance independently of voltage on the sensing node. - 特許庁

また、第２ＭＩＭ容量素子１４は、第２容量膜１０を第２下電極９および第２上電極１１で挟み込んだ構造を有している。例文帳に追加

In the second MIM capacitive element 14, a second capacitive film 10 is sandwiched between second lower and upper electrodes 9, 11. - 特許庁

水素による容量絶縁膜の劣化が抑制された容量素子を備える半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a capacitive element with the deterioration of a capacitive insulating film due to hydrogen being suppressed. - 特許庁

容量絶縁膜及びその製造方法、容量素子及びその製造方法並びに半導体記憶装置及びその製造方法例文帳に追加

CAPACITANCE INSULATION FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, CAPACITIVE ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

面積の増大を抑制しつつ，高い容量値を有する容量素子を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that suppresses an increase in area and comprises a capacitor having a high capacitance value, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

容量値が制御性良く与えられ、リードタイムの短い容量素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a capacitor element of short lead time, and its manufacturing method, in which the capacitance is provided with high controllability. - 特許庁

ダメージがなく、正確な容量調整が繰り返し可能で、安価に製造することのできる容量素子を提供する。例文帳に追加

To provide a capacity device which is free of damage capable of correctly adjusting capacity repeatedly, and can be manufactured at a low cost. - 特許庁

各容量素子２１は、下から順に積層された下部電極４１と容量絶縁膜４２と上部電極４３とをそれぞれ有している。例文帳に追加

Each capacitive element 21 has a lower electrode 41, a capacitive insulating film 42, and an upper electrode 43 laminated in this order from the bottom side. - 特許庁

加工不良の防止及び微細化が可能な良好な容量特性を持つ容量素子を有する半導体装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device provided with a capacitive element having excellent capacitance characteristics capable of preventing and refining working defects and the manufacturing method. - 特許庁

容量素子から読み出される信号について、Ｓ／Ｎ比の向上が図られ、感度の向上が図られた可変容量値検出回路を提供する。例文帳に追加

To provide a variable capacitance detecting circuit attempting to enhance S/N ratio for signals read from capacitative elements and to enhance sensitivity. - 特許庁

トランジスタの寄生容量Ｃｐ，外部容量素子を単独で、または組み合せてキャパシタＣを形成する。例文帳に追加

A parasitic capacitance Cp of the transistor and an external capacitor element are used individually or in combination for forming the capacitor C. - 特許庁

マイクロ波移相器を構成する２つの可変容量素子６にそれぞれ容量性スタブ１０を直列に接続した。例文帳に追加

Capacitive stubs 10 are connected in series with two variable capacity elements 6 constituting the microwave phase shifter, respectively. - 特許庁

下部電極と基板間の寄生容量を増加させずに、直列抵抗を小さくし、高いＱ値を保つことのできる容量素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a capacitive element in which a high Q can be sustained by decreasing series resistance without increasing a parasitic capacitance between a lower electrode and a substrate. - 特許庁

絶縁性金属酸化物よりなる容量絶縁膜の特性の劣化を防止して、容量素子を備えた半導体装置の特性を向上させる。例文帳に追加

To improve the characteristics of a semiconductor device provided with a capacity element by preventing degradation of the characteristics of a capacity insulating film comprising an insulating metal oxide. - 特許庁

圧電振動子および容量素子を、ベース板に対して確実に位置決めし得る構造の負荷容量内蔵型圧電共振子を提供する。例文帳に追加

To provide a piezoelectric resonator with built-in load capacitor in a structure capable of surely positioning a piezoelectric vibrator and a capacitor onto a base plate. - 特許庁

これにより、２つの発光素子が正常に発光する画素回路の保持容量に比べて、保持容量３１３に保持される電位差は大きくなる。例文帳に追加

In this way, the potential difference maintained in the holding capacity 313 becomes greater than the holding capacity of the pixel circuit wherein two light emitting elements emit light normally. - 特許庁

画素領域には、接触検出用容量素子の容量値を検出するためのセンシング回路が複数設けられている。例文帳に追加

A plurality of sensing circuits are provided in a pixel area to detect the capacity value of a capacity element for contact detection. - 特許庁

可変容量範囲が広く、単位面積当たりの容量値が大きいＭＯＳ型バラクタ素子を備えた半導体集積回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device with a MOS type varactor element having a wide variable capacity range and a large capacitance value per unit area. - 特許庁

設計基準を遵守しつつ容量値を向上しうる容量素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a capacity element for improving a capacity value while observing design rules and a method for manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

第２の容量素子は、第２の静電容量を形成する第１の電極６１及び第２の電極６６を有する。例文帳に追加

The second capacitive element has a first electrode 61 and a second electrode 66 which form a second capacitance. - 特許庁

その後、強誘電体材料を容量絶縁膜とする容量素子の下部電極２１を開口部２０上を含むように形成する。例文帳に追加

Then, the lower electrode 21 of a capacitative element with a ferroelectric material as a capacitative insulating film is formed so as to include upper parts of the openings 20. - 特許庁

静電容量の異なる複数の容量素子の出力を共通の回路で検出することが可能なセンサ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sensor apparatus detecting outputs of a plurality of capacitance elements having different capacitances in a common circuit. - 特許庁

回路を形成する領域を確保しつつ、十分な耐圧、容量を備えた容量素子を備える半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a capacitive element with a sufficient breakdown voltage and capacity while securing a region where a circuit is formed. - 特許庁

容量用開口部152の金属体17Aを容量素子の上部電極とし、配線溝152の金属体17Bをロジック配線とする。例文帳に追加

The metal body 17A in the capacitive opening 151 is designated as the upper electrode of the capacitive element, and the metal body 17B of the wiring groove 152 is designated as a logic wiring. - 特許庁

開口率を充分に確保し、しかも補償容量の容量値を大きくすることができる液晶表示素子を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display element capable of sufficiently securing an aperture ratio and increasing a capacitance value of compensation capacitance. - 特許庁

容量変化範囲の大きい可変容量素子を含む半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device containing a variable capacitance element having a large capacitance changing range, and to provide a method of manufacturing the device. - 特許庁

差動発振回路への寄生容量及び寄生抵抗の影響を抑えることが可能な差動容量素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a differential capacitive element which can suppress influence of parasitic capacity and parasitic resistance on a differential oscillation circuit. - 特許庁

ＩＣの製造プロセスで作り込むことが可能な、高い容量比を有する半導体可変容量素子を提供する。例文帳に追加

To obtain a variable capacitance semiconductor element having high capacitance ratio which can be fabricated through the fabrication system of ICs. - 特許庁

インピーダンス回路４０は、容量値の互いに異なる複数の容量素子４２，４４，４６を並列に接続して構成される。例文帳に追加

The impedance circuit 40 is configured by connecting, in parallel, a plurality of capacitive elements 42, 44, and 46 having different capacitance values from one another. - 特許庁

その後、スイッチＳＷ５がＯＦＦ、スイッチＳＷ６がＯＮに切り替わり、容量性負荷Ｃ１の電荷が診断用容量素子Ｃ２に放電される。例文帳に追加

The switch SW5 is switched off thereafter, a switch SW6 is switched on, and a charge of the capacitive load C1 is discharged to a capacitive element C2 for diagnosis. - 特許庁

基板との間の寄生容量を低減することができる高周波回路用容量素子を提供する。例文帳に追加

To provide a capacitive element for a high frequency circuit which can reduce the parasitic capacitance between the element and a substrate. - 特許庁