element 108とは 意味・読み方・使い方

A memory element 108 is attached onto the external surface of the tank case 102.例文帳に追加

タンクケース１０２の外面には記憶素子１０８が装着されている。 - 特許庁

The memory cell 102 uses a current flowing through the MR element 104, controls the voltage between the gate and the source of the amplification transistor 108 and detects a storage state of the memory cell 102 by the voltage drop (current loss) of the amplification transistor 108.例文帳に追加

メモリセル102は、ＭＲ素子104を流れる電流を使用して、増幅トランジスタ108のゲート・ソース間電圧を制御し、増幅トランジスタ108の電圧降下（電流損失）により、メモリセル102の記憶状態を感知する。 - 特許庁

The optical element 100 comprises an element 140 having an optical surface 108, an edged section 124 provided to surround the optical surface 108, and the optical member 132 at least part of which is provided on the optical surface 108.例文帳に追加

本発明の光素子１００は、光学面１０８を有する素子部１４０と、光学面１０８を取り囲むように設けられた尖状部１２４と、少なくとも一部が光学面１０８上に設けられた光学部材１３２と、を含む。 - 特許庁

The optical element 100 includes an element part 140 having an optical surface 108, an edge part 124 provided so as to surround the optical surface 108, and an optical member 132, provided such that at least a part of the optical member is provided on the optical surface 108.例文帳に追加

本発明の光素子１００は、光学面１０８を有する素子部１４０と、光学面１０８を取り囲むように設けられた尖状部１２４と、少なくとも一部が光学面１０８上に設けられた光学部材１３２と、を含む。 - 特許庁

The optical element 100 comprises an element part 140 which has an optical surface 108, a peak part 124 which is provided so as to surround the optical surface 108, and an optical member 132 in which at least one part is provided on the optical surface 108.例文帳に追加

本発明の光素子１００は、光学面１０８を有する素子部１４０と、光学面１０８を取り囲むように設けられた尖状部１２４と、少なくとも一部が光学面１０８上に設けられた光学部材１３２と、を含む。 - 特許庁

A sequencer 108 is coupled to the configuration element generator 110, and imparts consecutive number of tags onto the configuration elements 113.例文帳に追加

シーケンサ(108)は、コンフィギュレーション要素発生器(110)に結合され、コンフィギュレーション要素(113)に連続番号でタグ付けする。 - 特許庁

The photoconductive element includes a first and a second electrodes 107 and 108 arranged on a photoconductive film 106 so as to be opposite to each other via an excitation light irradiation area 109.例文帳に追加

光伝導素子は、光伝導膜106上で励起光照射領域109を介し対向配置される第1及び第2の電極107、108を備える。 - 特許庁

A driving element incorporating TFT is formed on the other substrate (108), thereon a reference mark and an alignment film are formed (109, 110) to complete a TFT(thin film transistor) substrate.例文帳に追加

他方の基板にはＴＦＴを含む駆動素子を形成し（108）、基準マークを形成し（109）、配向膜を形成して（110）、ＴＦＴ基板が完成する。 - 特許庁