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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > element 108の意味・解説 > element 108に関連した英語例文

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element 108の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 433



例文

In the light deflection element, the optical path conversion means 110 is provided at movable parts 104, 106 and 108, the movable parts 104, 106 and 108 are dislocated by applying an electric signal to the movable parts 104, 106 and 108, thus the position of the optical path conversion means 110 is varied.例文帳に追加

光偏向素子において、光路変換手段110が変位可能な可動部104、106、108に設けられ、可動部104、106、108に電気信号を与えることで可動部104、106、108を変位させ、光路変換手段110の位置を変化させるようにしている。 - 特許庁

A sealing resin part 108 seals the sub-mount element and the LED element.例文帳に追加

封止樹脂部108は、サブマウント素子、LED素子を封止している。 - 特許庁

A transmitting part 102 provided at the subscriber side terminal device has a coding part 108 and a second light emitting element 110.例文帳に追加

加入者側終端装置が具える送信部102は、符号化部108及び第2発光素子110を具えている。 - 特許庁

Respective intersecting parts comprise an electrically linear resistive element (108) connected in series to a voltage breakdown element (106).例文帳に追加

各交差部は、電圧破壊エレメント(106)と直列に接続される電気的に線形な抵抗性エレメント(108)を含む。 - 特許庁

例文

An attachment part 120 with concavities which fits at least a part of the memory element 108 is formed on the external surface where the memory element 108 is attached.例文帳に追加

記憶素子108が装着される外面には、記憶素子108の少なくも一部を嵌合させ得る凹面状の装着部120が形成されている。 - 特許庁


例文

An antenna element 108 is excited from the radio circuit 106.例文帳に追加

アンテナ素子108は、無線回路106から励振される。 - 特許庁

In addition, the shielding plate 108 incorporates a Peltier element 201.例文帳に追加

更に遮蔽板108にはペルチェ素子201を内蔵している。 - 特許庁

A memory element 108 is attached onto the external surface of the tank case 102.例文帳に追加

タンクケース102の外面には記憶素子108が装着されている。 - 特許庁

The memory cell 102 uses a current flowing through the MR element 104, controls the voltage between the gate and the source of the amplification transistor 108 and detects a storage state of the memory cell 102 by the voltage drop (current loss) of the amplification transistor 108.例文帳に追加

メモリセル102は、MR素子104を流れる電流を使用して、増幅トランジスタ108のゲート・ソース間電圧を制御し、増幅トランジスタ108の電圧降下(電流損失)により、メモリセル102の記憶状態を感知する。 - 特許庁

例文

The optical element 100 comprises an element 140 having an optical surface 108, an edged section 124 provided to surround the optical surface 108, and the optical member 132 at least part of which is provided on the optical surface 108.例文帳に追加

本発明の光素子100は、光学面108を有する素子部140と、光学面108を取り囲むように設けられた尖状部124と、少なくとも一部が光学面108上に設けられた光学部材132と、を含む。 - 特許庁

例文

The optical element 100 includes an element part 140 having an optical surface 108, an edge part 124 provided so as to surround the optical surface 108, and an optical member 132, provided such that at least a part of the optical member is provided on the optical surface 108.例文帳に追加

本発明の光素子100は、光学面108を有する素子部140と、光学面108を取り囲むように設けられた尖状部124と、少なくとも一部が光学面108上に設けられた光学部材132と、を含む。 - 特許庁

The optical element 100 comprises an element part 140 which has an optical surface 108, a peak part 124 which is provided so as to surround the optical surface 108, and an optical member 132 in which at least one part is provided on the optical surface 108.例文帳に追加

本発明の光素子100は、光学面108を有する素子部140と、光学面108を取り囲むように設けられた尖状部124と、少なくとも一部が光学面108上に設けられた光学部材132と、を含む。 - 特許庁

A sequencer 108 is coupled to the configuration element generator 110, and imparts consecutive number of tags onto the configuration elements 113.例文帳に追加

シーケンサ(108)は、コンフィギュレーション要素発生器(110)に結合され、コンフィギュレーション要素(113)に連続番号でタグ付けする。 - 特許庁

The photoconductive element includes a first and a second electrodes 107 and 108 arranged on a photoconductive film 106 so as to be opposite to each other via an excitation light irradiation area 109.例文帳に追加

光伝導素子は、光伝導膜106上で励起光照射領域109を介し対向配置される第1及び第2の電極107、108を備える。 - 特許庁

A driving element incorporating TFT is formed on the other substrate (108), thereon a reference mark and an alignment film are formed (109, 110) to complete a TFT(thin film transistor) substrate.例文帳に追加

他方の基板にはTFTを含む駆動素子を形成し(108)、基準マークを形成し(109)、配向膜を形成して(110)、TFT基板が完成する。 - 特許庁

A Hall element 308 transmits the position of the lens to a control part 108, and the control part 108 stores the position.例文帳に追加

ホール素子308は、レンズの位置を制御部108に伝え、制御部108は、当該位置を記憶する。 - 特許庁

The heat generated by an IC 54 is transferred to a heat sink 108 through the conductive element 102, a heat-conductive via 104, and a heat conductive pattern 106.例文帳に追加

IC54が発生する熱は、導電要素102、熱導伝性ビア104、熱導伝性パターン106を介してヒートシンク108に伝わる。 - 特許庁

When the oscillating body apparatus is constituted as the optical deflector, one movable element 109 includes an optical deflection element 108, and at least one movable element 105 includes driving means 104, 110 for applying torque to oscillate the movable element.例文帳に追加

揺動体装置は光偏向器として構成される場合、1つの可動子109に光偏向素子108が設けられ、少なくとも1つの可動子105にトルクを印加して可動子を揺動させる駆動手段104、110が備えられる。 - 特許庁

The projected configuration of the lower electrode 108 of a capacitor element from the upper surface thereof is oblong and support layers 111, 112 for preventing collapse of the lower electrode 108 are formed on only the side surfaces opposed to the lower electrode 108.例文帳に追加

キャパシタ素子の下部電極108の上面からの投影形状が長方形であり、下部電極108対の対向する側面にのみ、下部電極108の倒壊を防止する支持層111,112が形成されている。 - 特許庁

A wiring layer 107 in the surface layer of the first wiring board 101 and a wiring layer 108 in the surface layer of the second wiring board 102 are electrically connected through the conductor 105 and at least one of the wiring layers 107 and 108 is buried in the board bonding element 106.例文帳に追加

第一の配線基板101の表層の配線層107と第二の配線基板102の表層の配線層108とが導電体105を介して電気的に接続され、配線層107,108の少なくとも一方が基板接合体106に埋設される。 - 特許庁

A strain sensing element 112 is operatively associated with the clevis insert 108 for detecting mechanical strain imparted to the clevis insert 108, when a force acts on the clevis insert 108 through the latch pin 104.例文帳に追加

ラッチ・ピン104を介してクレビス挿入体108に力が作用するとき、クレビス挿入体108に与えられる機械的歪を検出するため歪感知要素112がクレビス挿入体108と動作可能に組み合わされる。 - 特許庁

Next, an element phosphorus 108 selected from group V row B is selectivity introduced into the part of the silicon film 103, high speed heat anneal process is performed, and the catalyst element nickel 104 is moved to the region where the element phosphorus 108 is introduced.例文帳に追加

その後、ケイ素膜103の—部に、選択的に5族Bから選ばれた元素リン108を導入し、高速熱アニール処理を行い、上記リン108が導入された領域に、上記触媒元素ニッケル104を移動させる。 - 特許庁

A liquid crystal element in the pixel 110 holds a liquid crystal by a pixel electrode and a common electrode 108.例文帳に追加

画素110における液晶素子は、画素電極とコモン電極108とで液晶を挟持する。 - 特許庁

The diffraction optical element (300) comprises a substrate (110) with surface relief patterns (104, 106 and 108) formed on its first side face.例文帳に追加

回折光学素子(300)は、表面レリーフパターン(104,106,108)が第1の側面に形成された基板(110)を備える。 - 特許庁

This text is divided to clauses by using a form element analysis program 108 (step 102).例文帳に追加

歌詞を形態素解析プログラム108を用いて文節に分割する(ステップ202)。 - 特許庁

When the heat treatment is performed, the nickel element moves from a region 108 to the regions 107 and 109 in the silicon film.例文帳に追加

この際、ニッケル元素は108の領域から107と109の領域に移動する。 - 特許庁

The high stress electrode 108 connected to the low stress electrode 106 is a movable element.例文帳に追加

低応力電極106に接続された高応力電極108は移動可能な要素である。 - 特許庁

The sensor assembly includes a sensing element 106, a first flow channel 108, and a second flow channel 110.例文帳に追加

センサアセンブリは、検知素子106と、第1流路108と、第2流路110を含む。 - 特許庁

The flattening film 108 is disposed between the photoelectric converting element 102 and microlenses 109.例文帳に追加

平坦化膜108は、光電変換素子102とマイクロレンズ109との間に配置されている。 - 特許庁

A drain discharged from the first thermoelectric conversion element 105 is stored in a flash tank 108.例文帳に追加

また第1熱電変換素子105より排出されたドレンをフラッシュタンク108に貯蔵する。 - 特許庁

The terminal 108 outputs the intensity of the light received by the light receiving element 150 to a control circuit.例文帳に追加

端子108は、受光素子150により受光された光の強度を制御回路へ出力する。 - 特許庁

The surface emitted laser element has a reflecting layer 107 and has a selectively oxidized layer 108.例文帳に追加

面発光レーザ素子は、反射層107と、選択酸化層108とを備える。 - 特許庁

The thermocouple element 106 can be also protected by providing a ventilation plate 111 to the recess 108.例文帳に追加

凹部108に通風板111を設けることにより熱電素子106を保護することも可能である。 - 特許庁

An STI 108 is formed on the element isolated region on the layer 101.例文帳に追加

また、BOX層101上の素子分離領域には、STI108が形成されている。 - 特許庁

After the heat treatment, a thin film transistor is manufactured by utilizing the region 108 from which the nickel element is removed.例文帳に追加

そして、ニッケル元素が除去された108の領域を利用して薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

The first member 104 includes a circuit element group 105 formed on the first surface before the first member 104 and the second member 108 are bonded, and the second member 108 includes a circuit element group 106 formed on the third surface before the first member 104 and the second member 108 are bonded.例文帳に追加

第1部材104は、第1部材104と第2部材108との接合前において、該第1面に形成された回路素子群105を含み、第2部材108は、第1部材104と第2部材108との接合前において、該第3面に形成された回路素子群106を含む。 - 特許庁

In the active optical connector, an optical waveguide 108, which is formed in a photonic crystal structure 103, is arranged adjacently to a mutual electric/optic converting element 102, and perform optical coupling between the mutual electric/optic converting element 102 and a waveguide medium 105 for optical transmission.例文帳に追加

アクティブ光コネクタにおいて、フォトニック結晶構造体中103に形成された光導波路108が電気光相互変換素子102に隣接して配置され、光導波路108が電気光相互変換素子102と光伝送用導波媒体105を光接続する。 - 特許庁

A shielding layer 103 is made to confront an inductor 108 which forms an analog circuit formed on an element isolating region of a semiconductor substrate so as to be arranged between the inductor 108 and an element isolating region 102 which is isolated from the inductor 108 by a prescribed distance.例文帳に追加

半導体基板の素子分離領域上に形成したアナログ回路を構成するインダクタ108にシールド層103を、所定の距離をおいてこのインダクタと素子分離領域102との間に配置されるように、対向させる。 - 特許庁

A memory device 100 has a read margin exceeding MR ratio of an MR element 104 and is equipped with a memory cell 102 having the MR element 104, a reference transistor 106 and an amplification transistor 108.例文帳に追加

メモリデバイス100は、MR素子104のMR比を超える読み取りマージンを持ち、MR素子104と、基準トランジスタ106と、増幅トランジスタ108とを有するメモリセル102を備える。 - 特許庁

A heating element 108 disposed in contact with the internal circumferential face of a fixing belt 102 extends to areas (A and C) where the heating element 108 does not face an excitation coil 120, in the moving direction of the fixing belt 102.例文帳に追加

定着ベルト102の内周面と接する発熱体108が、励磁コイル120と対向しない領域(A、C)まで、定着ベルト102の移動方向に延びている。 - 特許庁

Then, an interlayer insulating film 109A of silicon oxide is deposited on the capacitor element 108, and then a barrier film 110B electrically connected to the capacitor element 108 is formed on the interlayer insulating film 109A.例文帳に追加

次に、容量素子108の上に酸化シリコンからなる層間絶縁膜109Aを堆積した後、層間絶縁膜109Aの上に、容量素子108と電気的に接続されるバリア膜110Bを形成する。 - 特許庁

An area (B) where the heating element 108 faces the excitation coil 120 generates heat by electromagnetic induction of a magnetic field H, and the heat is transmitted to the areas (A and C) where the heating element 108 does not face the excitation coil 120.例文帳に追加

磁界Hの電磁誘導により、発熱体108の励磁コイル120と対向する領域領域(B)が発熱し、励磁コイル120と対向しない領域(A、C)に熱が伝わる。 - 特許庁

The first optical beam 103 is deflected by the first optical deflecting element 107a of the movable element, and the deflected light is reflected by at least one of the first and second fixed mirrors to perform first scanning on the object surface 108.例文帳に追加

第1の光ビーム103は可動子の第1の光偏向素子107aで偏向され、この偏向光は、第1及び第2の固定ミラーの少なくとも一方で反射され、対象面108上で第1の走査を行なう。 - 特許庁

The second optical beam is deflected by the second optical deflecting element 107b of the movable element, and the deflected light is reflected by at least the other of the first and second fixed mirrors to perform second scanning on the object surface 108.例文帳に追加

第2の光ビームは可動子の第2の光偏向素子107bで偏向され、この偏向光は、第1及び第2の固定ミラーの少なくとも他方で反射され、対象面108上で第2の走査を行なう。 - 特許庁

The gas-liquid mixing nozzle device includes a base 102 having a first to a third side surfaces, a sealing element 104, a throttle element, and a nozzle 108.例文帳に追加

第1〜第3の側面を有するベース102、密閉素子104、スロットル素子、ノズル108を含む気液混合ノズル装置。 - 特許庁

In such a case, the condensing element 107a satisfies regular relation corresponding to a plurality of pixels of the picture display element 108.例文帳に追加

この際、集光素子107aは画像表示素子108の複数の画素に対応して一定の関係を満たしている。 - 特許庁

The imaging device has an imaging element 101, a specific-section detecting section 106, a memory 107, a picture-element decision section 108 and a white-balance processing section 109.例文帳に追加

撮像装置は、撮像素子101、特定部分検出部106、メモリ107、画素判定部108、ホワイトバランス処理部109を備える。 - 特許庁

The current switches 108 impart the currents based on each element efficiency for a time shown by the imparted pulse width signals to each element.例文帳に追加

電流スイッチ108は各素子効率に基づいた電流を、与えられたパルス幅信号で示される時間だけ各素子に印加する。 - 特許庁

The antenna device is made into the multi-band by using the metal rotation hinge 108 and the metal spring 501 as an antenna element in the frequency f1, and using the metal rotation hinge 108, the metal spring 501, the filter circuit 402, and the radiation element 403 as the antenna element in the frequency f2.例文帳に追加

周波数f1においては、金属回転ヒンジ108と金属バネ501をアンテナ素子として用い、周波数f2においては、金属回転ヒンジ108と金属バネ501とフィルタ回路402と放射素子403をアンテナ素子として用いることにより、マルチバンド化を図る。 - 特許庁

例文

The induction heating fixing device comprises: an induction heating inverter device; the fixing heating sleeve 101 having an induction-heating heating element; a pressure mechanism pressure-holding the fixing heating sleeve 101 by a fixing pressure roller 108; the fixing pressure roller 108; a temperature detecting element represented by a thermistor; and a safety element such as a thermoswitch 106.例文帳に追加

誘導加熱用インバータ装置、誘導加熱発熱体を有する定着加熱スリーブ101、定着加熱スリーブ101を定着加圧ローラ108に加圧保持する加圧機構、定着加圧ローラ108、サーミスタに代表される温度検知素子、サーモスイッチ106などの安全素子より構成する。 - 特許庁

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