「窒化ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS PRODUCTION PROCESS - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体受光素子例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT RECEIVING ELEMENT - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体およびその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD FOR ELEMENT - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体素子とその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体素子例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体層のエッチング方法例文帳に追加

METHOD FOR ETCHING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR OF GALLIUM NITRIDE GROUP COMPOUND - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体結晶の成長方法例文帳に追加

METHOD OF GROWING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体結晶の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF p-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体装置例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体とその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム化合物半導体の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride-based compound semiconductor element. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体装置の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体及び発光素子例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND LIGHT EMITTING DEVICE - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体積層物の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATE - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR CHIP - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導発光素子の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体および製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

表面粗化した窒化ガリウム系発光素子例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DEVICE WITH ROUGHENED SURFACE - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体を用いた光源例文帳に追加

LIGHT SOURCE USING GALIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子例文帳に追加

GaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LED - 特許庁

ハロゲン化ガリウムペンタアンモニエートとその製造方法、および窒化ガリウム単結晶の製造方法例文帳に追加

HALOGENATED GALLIUM PENTAAMMONIATE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁

酸化ガリウム層で被覆された窒化ガリウムナノワイヤーの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a gallium nitride nanowire coated with a gallium oxide layer. - 特許庁

水素化ガリウムガスの製造方法および窒化ガリウム結晶の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM HYDRIDE GAS AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL - 特許庁

揮発性有機ガリウム化合物およびそれを用いる窒化ガリウム膜の蒸着法例文帳に追加

VOLATILE ORGANOGALLIUM COMPOUND AND DEPOSITION OF GALLIUM NITRIDE FILM USING THE SAME - 特許庁

窒化インジウムガリウム半導体の成長方法例文帳に追加

GROWTH METHOD OF INDIUM GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム半導体デバイス用のパッケージ例文帳に追加

PACKAGE FOR GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

表面処理された窒化ガリウム基板を作製する方法、表面処理された窒化ガリウム系エピタキシャル基板を作製する方法、窒化ガリウム基板および窒化ガリウム系エピタキシャル基板例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SURFACE-TREATED GALLIUM-NITRIDE SUBSTRATE AND SURFACE-TREATED GALLIUM-NITRIDE-BASED EPITAXIAL SUBSTRATE, GALLIUM-NITRIDE SUBSTRATE, AND GALLIUM-NITRIDE-BASED EPITAXIAL SUBSTRATE - 特許庁

窒化ガリウム系半導体発光素子及びその電極例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS ELECTRODE - 特許庁

窒化ガリウム基板及びエピタキシャル基板例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE AND EPITAXIAL SUBSTRATE - 特許庁

新規な窒化インジウムガリウムレーザダイオードを記載する。例文帳に追加

A new indium gallium nitride laser diode is described. - 特許庁

窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

窒化ガリウム基板のレーザー加工方法例文帳に追加

LASER PROCESSING METHOD OF GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE - 特許庁

縦型窒化ガリウム半導体装置およびエピタキシャル基板例文帳に追加

VERTICAL GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND EPITAXIAL SUBSTRATE - 特許庁

単結晶窒化ガリウム局在基板及びその製造方法例文帳に追加

SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE LOCALIZED SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

窒化ガリウム系半導体レーザダイオード例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LASER DIODE - 特許庁

窒化ガリウム系半導体発光素子、窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法、窒化ガリウム系発光ダイオード、エピタキシャルウエハ、及び窒化ガリウム系発光ダイオードを作製する方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, GALLIUM NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE, EPITAXIAL WAFER, AND METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE - 特許庁