「窒化ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

低抵抗、高密度窒化ガリウム系成形物、直流スパッタリングを可能とする窒化ガリウム系スパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride molded article having a low resistance and a high density, and to provide a gallium nitride sputtering target which allows direct current sputtering. - 特許庁

窒化ガリウムを、低温、低圧において結晶成長させることができる窒化ガリウムの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing gallium nitride capable of growing a crystal at a low temperature and a low pressure. - 特許庁

比抵抗が高く、クラックの発生率が低い窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム層の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride substrate which has high resistivity and a low rate of occurrence of cracks, and to provide a method for forming a gallium nitride layer. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体領域もｎ型窒化ガリウム系半導体層と発光層との間に位置する。例文帳に追加

The gallium-nitride-based semiconductor region is also situated between the n-type gallium-nitride-based semiconductor layer 15 and the light-emitting layer 17. - 特許庁

窒化ガリウム層成長時に発生する歪みを減らしてクラックがない窒化ガリウム基板を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of fabricating a gallium nitride (GaN) substrate free of cracks by reducing bending which may occur in a Gan layer growing process. - 特許庁

貫通ピットの無い窒化ガリウム系半導体基板を安価に得ることができる窒化ガリウム系半導体基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a gallium nitride semiconductor substrate, whereby the gallium nitride semiconductor substrate without any penetrated pit can be obtained at a low cost. - 特許庁

ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３およびｐ型窒化ガリウム系半導体層１５はホモ接合１７を成す。例文帳に追加

The layer 13 and the layer 15 compose a homo junction 17. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体製造用添加ガス、窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法および窒化ガリウム系化合物半導体製造装置例文帳に追加

ADDITIVE GAS FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体は、少なくともシリコンを含むｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層と、少なくともマグネシウムを含むｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体層とを有する。例文帳に追加

The gallium nitride compound semiconductor comprises: an n-type gallium nitride compound semiconductor layer containing at least silicon; and a p-type gallium nitride compound semiconductor layer containing at least magnesium. - 特許庁

ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法および窒化ガリウム系化合物半導体発光素子例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体素子の積層構造及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、並びにランプ例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, LAYERED STRUCTURE OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND LAMP - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体は、少なくともｎ型不純物を含むｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層と、少なくともｐ型不純物を含むｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体層とを有する。例文帳に追加

The gallium nitride based compound semiconductor has n-type gallium nitride system compound semiconductor layers including at least n-type dopant, and p-type gallium nitride based compound semiconductor layers including at least the p-type dopant. - 特許庁

ハイドライド気相成長法を用いて、基板上に少なくとも、第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、第２の窒化ガリウム系化合物半導体層とをこの順で成長させて窒化ガリウム系化合物半導体基板を得る。例文帳に追加

The gallium nitride-based compound semiconductor is obtained by growing at least a first gallium nitride-based compound semiconductor layer and a second gallium nitride-based compound semiconductor layer in this order on a substrate by using a hydride vapor phase growth method. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、気相成長法により、基板上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、ｐ型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる。例文帳に追加

The gallium nitride-based compound semiconductor light emitting device allows the n-type gallium nitride-based compound semiconductor layer and gallium nitride-based compound semiconductor layer containing the p-type impurities to grow on a substrate by the vapor growth method. - 特許庁

高絶縁性単結晶窒化ガリウム薄膜を有する半導体デバイス例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGHLY INSULATING MONOCRYSTALLINE GALLIUM NITRIDE THIN FILM - 特許庁

単結晶立方晶系窒化ガリウムナノチューブとその製造方法例文帳に追加

SINGLE CRYSTAL CUBIC GALLIUM NITRIDE NANOTUBE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

マンガンがドープされた窒化ガリウムナノワイヤーの製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING MANGANESE-DOPED GALLIUM NITRIDE NANO-WIRE - 特許庁

窒化ガリウムインジウムの分離封じ込めヘテロ構造発光デバイス例文帳に追加

INDIUM GALLIUM NITRIDE SEPARATE CONFINEMENT HETEROSTRUCTURE LIGHT EMITTING DEVICE - 特許庁

ドレイン電極２３は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５上に設けられる。例文帳に追加

A drain electrode 23 is arranged on the gallium nitride epitaxial layer 15. - 特許庁

窒化ガリウム層を有する多層構造基板及びその製造方法例文帳に追加

MULTILAYER STRUCTURE SUBSTRATE HAVING GALLIUM NITRIDE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

高出力の窒化ガリウムショットキー・ダイオード素子を提供する。例文帳に追加

To provide a high-output gallium nitride Schottky diode element. - 特許庁

ソース電極２１は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５上に設けられる。例文帳に追加

A source electrode 21 is installed on the gallium nitride epitaxial layer 15. - 特許庁

また、窒化ガリウム半導体膜１５は主面１５ａを有する。例文帳に追加

The gallium nitride semiconductor film 15 has main surface 15a. - 特許庁

窒化ガリウム半導体層は、サファイア基板上の下層の窒化ガリウム層をエッチングして、下層の窒化ガリウムにおける少なくとも一つの柱および下層の窒化ガリウム層における少なくとも一つの溝を規定することによって製造される。例文帳に追加

A gallium nitride semiconductor layer is manufacturing by providing at least one column and at least one groove in a lower gallium nitride layer formed on a sapphire substrate by etching the gallium nitride layer. - 特許庁

電子障壁層１６は、第３の窒化ガリウム系半導体からなる。例文帳に追加

The electron barrier layer 16 is made from a third gallium nitride-based semiconductor. - 特許庁

窒化ガリウムからなる中空の球状粒子及びその製造方法例文帳に追加

HOLLOW SPHERICAL PARTICLE FORMED FROM GALLIUM NITRIDE AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁

まず、ｎ型ドーパントを含む窒化ガリウム層を基板上に形成する。例文帳に追加

Initially, a gallium nitride layer including an n-type dopant is formed onto a substrate. - 特許庁

まずサファイア基板上で窒化ガリウム層を成長させる。例文帳に追加

First, a gallium nitride layer is grown on a sapphire substrate. - 特許庁

多層膜反射層およびそれを用いた窒化ガリウム系発光素子例文帳に追加

MULTILAYER FILM REFLECTING LAYER AND GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING ELEMENT USING THE SAME - 特許庁

基板から分離された窒化ガリウムの膜をエピタキシーにより製造する方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE FILM SEPARATED FROM SUBSTRATE BY EPITAXY - 特許庁

垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING DIODE ELEMENT HAVING PERPENDICULAR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

第１半導体領域４２は、窒化ガリウム（GaN）で形成されている。例文帳に追加

The first semiconductor region 42 is formed from gallium nitride (GaN). - 特許庁

Ｓｉ基板結晶上における窒化ガリウム結晶成長方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL OVER SILICON SUBSTRATE CRYSTAL - 特許庁

チャネル層１４は、第２の窒化ガリウム系半導体からなる。例文帳に追加

The channel layer 14 is made from a second gallium nitride-based semiconductor. - 特許庁

鉄を含む窒化ガリウム層５１を基板５０上に形成する。例文帳に追加

A gallium nitride layer 51 containing iron is formed on a substrate 50. - 特許庁

熱処理により、窒化ガリウム系半導体膜１３ｇが形成される。例文帳に追加

A gallium nitride semiconductor film 13g is formed by a thermal treatment. - 特許庁

ｐ型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING ELEMENT WITH P-TYPE DOPANT MATERIAL DIFFUSION PREVENTING LAYER - 特許庁

自己分離を用いた窒化ガリウム単結晶基板の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTALLINE SUBSTRATE USING SELF-SPLIT - 特許庁

分極反転層を具えた窒化ガリウム系発光ダイオード例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE PROVIDED WITH POLARIZATION INVERTED LAYER - 特許庁

窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び光ピックアップ装置例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND OPTICAL PICKUP DEVICE - 特許庁

窒化ガリウム系発光ダイオード用オーミック電極層の形成方法例文帳に追加

FORMATION METHOD OF OHMIC ELECTRODE LAYER FOR GALLIUM- NITRIDE LIGHT EMITTING DIODE - 特許庁

垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASE LED DEVICE WITH VERTICAL STRUCTURE AND ITS MANUFACTURE METHOD - 特許庁

高発光効率の窒化ガリウム系発光ダイオード及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE OF HIGH LUMINOUS EFFICIENCY AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

窒化ガリウム系半導体デバイスのための基板を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate for a gallium nitride-based semiconductor device. - 特許庁

格子間不整合基体における窒化ガリウムデバイスを分離する方法例文帳に追加

METHOD FOR SEPARATING GALLIUM NITRIDE DEVICE ON LATTICE- MISMATCHED SUBSTRATE - 特許庁