「窒化ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長法、および窒化ガリウム系化合物半導体を備えた電子デバイス例文帳に追加

METHOD FOR EPITAXIALLY GROWING GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、およびこれらの製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE, AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁

基板及びそれを用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長用方法並びに窒化ガリウム系化合物半導体例文帳に追加

SUBSTRATE, METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR USING THE SAME, AND GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体気相成長装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法例文帳に追加

VAPOR PHASE GROWTH DEVICE FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND VAPOR PHASE GROWTH METHOD FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法、および窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体層の加工方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PROCESSING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、並びにランプ例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND LAMP - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体、発光素子、照明装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, LIGHT-EMITTING ELEMENT, ILLUMINATING DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を低抵抗なｐ型とする窒化ガリウム系化合物半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a p-type gallium nitride compound semiconductor formed of a gallium nitride compound semiconductor layer doped with a p-type impurity. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体素子は、前記の製造方法によって製造されたＰ型窒化ガリウム系化合物半導体を備える。例文帳に追加

The gallium-nitride-based compound semiconductor element includes the p-type gallium-nitride-based compound semiconductor manufactured by the manufacturing method. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体層の形成方法、移設方法、及び窒化ガリウム系化合物半導体層が接合されたシリコン基板例文帳に追加

METHOD OF FORMING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, TRANSFER METHOD OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND SILICON SUBSTRATE TO WHICH GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR IS BONDED - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体、発光素子の製造方法及び発光素子例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, THE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DEVICE, AND THE LIGHT-EMITTING DEVICE - 特許庁

基板の表面処理方法、基板、窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、窒化ガリウム系化合物半導体、発光素子及び電子素子例文帳に追加

SURFACE TREATMENT METHOD FOR SUBSTRATE, SUBSTRATE, METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, LIGHT-EMITTING ELEMENT AND ELECTRONIC ELEMENT - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用電極および窒化ガリウム系化合物半導体発光素子例文帳に追加

ELECTRODE FOR LIGHT-EMITTING DEVICE OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND LIGHT-EMITTING DEVICE OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、並びにランプ例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそれを用いたランプ例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND LAMP USING IT - 特許庁

窒化アルミニウム含有膜の製造方法、窒化ガリウム含有膜の製造方法、窒化アルミニウムガリウム含有膜の製造方法、及び窒化アルミニウムガリウムインジウム含有膜の製造方法。例文帳に追加

METHODS FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE-CONTAINING FILM, GALLIUM NITRIDE-CONTAINING FILM, ALUMINUM GALLIUM NITRIDE-CONTAINING FILM, AND ALUMINUM GALLIUM INDIUM NITRIDE-CONTAINING FILM - 特許庁

窒化チタン膜１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。例文帳に追加

An N-type semiconductor region 14 composed of gallium nitride, an active layer 15 composed of gallium indium nitride and a P-type semiconductor region 16 composed of gallium nitride are formed in order on the titanium nitride layer 12. - 特許庁

窒化チタン膜１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムから成る活性層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。例文帳に追加

Then, an n-type semiconductor area 14 made of gallium nitride, active layer 15 made of gallium nitride indium, and p-type semiconductor area 16 made of gallium nitride are successively formed on the titanium nitride film 12. - 特許庁

窒化ガリウム層成長時に発生する歪みを減らしてクラックがない窒化ガリウム基板を得ることができるように窒化ガリウム層とベース基板の間に複数のボイド（ｖｏｉｄ）を有する窒化物挿入層を形成する。例文帳に追加

In order to obtain the gallium nitride (GaN) substrate free of cracks by reducing bending which may occur in a Gan layer growing process, a nitride embedding layer having a plurality of voids therein is embedded between the GaN layer and a base substrate. - 特許庁

三酸化二ガリウムを、アンモニアガス雰囲気下で窒化反応させることを特徴とする窒化ガリウムの製造方法。例文帳に追加

In the method for producing gallium nitride, digallium trioxide is brought into a nitriding reaction in an atmosphere of gaseous ammonia. - 特許庁

平坦化層２１は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１５と発光層との間に設けられ、また窒化ガリウム系半導体領域からなる。例文帳に追加

A flattening layer 21 is formed between the n-type gallium-nitride-based semiconductor layer 15 and the light-emitting layer 17, and includes a gallium-nitride-based semiconductor region. - 特許庁

酸化ガリウムを触媒とする窒化ホウ素ナノチューブの製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING BORON NITRIDE NANOTUBE USING GALLIUM OXIDE AS CATALYST - 特許庁

インジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR INCLUDING INDIUM - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体層のｐ型電極形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING P-TYPE ELECTRODES OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体トランジスタおよびその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオードおよび照明装置例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND ILLUMINATING DEVICE - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

窒化ガリウム透明導電酸化膜オーム電極の作成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM OHM ELECTRODE ON NITRIDE GALLIUM FILM - 特許庁

結晶性に優れた窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体を得る。例文帳に追加

To obtain a gallium nitride (GaN) compound semiconductor of superior crystallinity. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体のバルク結晶製造方法例文帳に追加

PRODUCTION OF BULK CRYSTAL OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層への電極形成方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF ELECTRODE ON N-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体素子及び電極形成方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその負極例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS NEGATIVE ELECTRODE - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法例文帳に追加

GROWTH METHOD FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL - 特許庁

Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法例文帳に追加

HEAT TREATING METHOD FOR P-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシー層構造とその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXY LAYER STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶エピタキシー構造例文帳に追加

CRYSTAL EPITAXY STRUCTURE OF GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

格子パラメータを変化させる元素を含有する窒化ガリウムデバイス基板例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE DEVICE SUBSTRATE CONTAINING LATTICE PARAMETER ALTERING ELEMENT - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

正極構造及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子例文帳に追加

POSITIVE ELECTRODE STRUCTURE AND GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE - 特許庁

結晶性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体を製造する。例文帳に追加

To manufacture a gallium nitride compound semiconductor excellent in crystalinity. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体等のドライエッチング方法例文帳に追加

DRY ETCHING METHOD FOR GALLIUM-NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND THE LIKE - 特許庁