「窒化ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目)

窒化ガリウム系化合物半導体から基板を除去した後、窒化ガリウム系化合物半導体にドライまたはウェットエッチング等の後加工を施すこと無しに凹凸を形成可能とし、窒化ガリウム系化合物半導体に直接加工をしないために、後加工によるダメージを大幅に抑えることができる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a production method of a gallium nitride-based compound semiconductor capable of forming an unevenness without performing a post-processing such as a dry or wet etching of the gallium nitride-based compound semiconductor after removing a substrate from the gallium nitride-based compound semiconductor and capable of suppressing largely a damage caused by the post-processing for preventing the gallium nitride-based compound semiconductor from being directly processed. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体基板の成長方法であって、Ｓｉドーピング濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以上である第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、該第１の窒化ガリウム系化合物半導体層上に積層されたノンドープ、又はＳｉドーピング濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以下である第２の窒化ガリウム系化合物半導体層とを備える。例文帳に追加

A method of manufacturing the gallium nitride compound semiconductor substrate comprises growing of a first gallium nitride chemical semiconductor layer having the Si-doping concentration of 1×10^19/cm^3 or higher, and growing a second gallium nitride compound semiconductor layer, which is undoped or has a Si-doping concentration of 1×10^19/cm^3 or lower, on the first gallium nitride compound semiconductor layer. - 特許庁

高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、主電流の流れる活性領域の周囲がノンドープ窒化ガリウム化合物半導体層により方位される構成の半導体装置とする。例文帳に追加

In a semiconductor device, gallium nitride semiconductor layers are stacked on a high-concentration silicon substrate, and an active region to which main current flows is surrounded by a non-doped gallium nitride compound semiconductor layer on the surface at the gallium nitride semiconductor layers side. - 特許庁

薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a growth method of gallium nitride crystal for restricting crack in a working process for thin film formation and growing a gallium nitride crystal with a large thickness and to provide a gallium nitride crystal substrate, epitaxial wafer and a production process of the epitaxial wafer. - 特許庁

硝酸ガリウム及び硝酸リチウムを含む水溶液をゲル化して得られたゲルの仮焼体を７５０℃前後の高温のアンモニア気流中で窒化することにより、リチウムをドープした窒化ガリウムの結晶性単一相からなる窒化ガリウム系結晶性化合物あるいはリチウムシアナミドと窒化ガリウムとを主成分とする結晶性化合物を製造する。例文帳に追加

A calcined body of gel obtained by gelling an aqueous solution comprising gallium nitrate and lithium nitrate is nitrided in an ammonia flow heated to a high temperature of about 750°C, thereby a lithium-doped gallium nitride-based crystalline compound having a crystalline single phase or a crystalline compound consisting mainly of lithium cyanamide and gallium nitride is produced. - 特許庁

シリコン短周期ヘビードープの窒化アルミニウムガリウムインジウム成長超格子構造は窒化インジウムガリウム／窒化ガリウム多重量子井戸構造発光ダイオードの低電気抵抗値のｎ型コンタクト層とされる短周期超格子デジタルコンタクト層を具備する。例文帳に追加

An aluminum nitride gallium indium growth superlattice structure of silicon minor cycle heavy dope includes the minor cycle superlattice digital contacting layer which is used as an n-type contacting layer of the low electric resistance value of an indium nitride gallium/gallium nitride multiquantum well structure light emitting diode. - 特許庁

窒化ガリウム基板に形成されたデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割溝を形成する窒化ガリウム基板のレーザー加工方法であって、窒化ガリウム基板に形成されたデバイスを区画する分割予定ラインに沿って波長が２００〜３６５nmのパルスレーザー光線を照射する。例文帳に追加

The dividing grooves are formed along the dividing predetermined lines demarcating the devices formed on the gallium nitride substrate through the gallium nitride substrate laser processing method, wherein the dividing predetermined lines demarcating the devices formed on the gallium nitride board are irradiated with a pulse laser beam which is 200 to 365 nm in wavelength. - 特許庁

単結晶窒化ガリウム基板７の主面は鏡面仕上げされており、窒化ガリウム基板７の主面は、窒化ガリウム基板７のエッジから３ミリメートル以内の第１の領域と、第１の領域に囲まれた第２の領域とを有する。例文帳に追加

The main surface of the single crystal gallium nitride substrate 7 is mirror-finished, and the main surface of the gallium nitride substrate 7 has a first region within 3 mm from the edge of the gallium nitride substrate 7, and a second region surrounded by the first region. - 特許庁

高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、窒化ガリウム層の８０％以上の深さにエッチングしたメサ溝によって囲まれる主電流の流れる活性領域をそなえる構成の半導体装置とする。例文帳に追加

A semiconductor layer of gallium nitride is formed on a heavily doped silicon substrate, and an active region passing a main current surrounded by a mesa groove formed by etching the gallium nitride layer down to a depth of 80% or more is provided on the gallium nitride semiconductor layer side surface. - 特許庁

単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法は、（ａ）気相成長法によって成長された窒化ガリウム単結晶のインゴット１を所定の平面Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に沿って切断して一または複数の単結晶窒化ガリウム基板７を作製する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the single crystal gallium nitride substrate, the ingot 1 of a gallium nitride single crystal grown by a vapor-phase growing method is cut along specified planes S1, S2, and S3 to manufacture one or a plurality of single crystal gallium nitride substrates. - 特許庁

半導体レーザ素子１０には、窒化ガリウムからなる障壁層と窒化インジウムガリウムからなる井戸層とにより構成される量子井戸活性層１１が少なくともｎ型とｐ型の各窒化アルミニウムガリウムからなる光ガイド層に上下方向から挟まれてなる共振器１２が形成されている。例文帳に追加

In the semiconductor layer element 10, a resonator 12 where a quantum well active layer 11 constituted of a barrier layer formed of gallium nitride and a well layer formed of indium gallium nitride is sandwiched by optical guide layers constituted of n-type and p-type aluminium gallium nitride from upper/lower directions is formed. - 特許庁

横方向成長工程を行う前に、溝底からの窒化ガリウムの成長が少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁の少なくとも一つの溝内への横方向成長と干渉するのを防止するために、サファイア底および窒化ガリウム頂部をマスクする。例文帳に追加

Before performing a lateral growth process, in order to prevent the growth of gallium nitride from a groove bottom from interfering with the lateral growth into at least one groove of the gallium nitride side wall of at least one pillar of growing, the sapphire bottom portion and the gallium nitride top portion are masked. - 特許庁

窒化ガリウム単結晶基板１１０の表面加工方法は、支持台上に位置する窒化ガリウム原板の上面及び底面を平坦化する工程、平坦化された窒化ガリウム原板に波長３７０〜８００ｎｍの光を照射する工程、窒化ガリウム原板の透過率を測定する工程、及び透過率が６５〜９０％であるか否かを確認する工程を含む。例文帳に追加

The surface treatment method for a gallium nitride single crystal substrate 110 includes: a process of flattening the upper and bottom faces of a gallium nitride original plate positioned on a support; a process of irradiating the flattened original plate with light having a wavelength of 370-800 nm; a process of measuring the transmittance of the original plate; and a process of determining whether the transmittance is 65 to 90% or not. - 特許庁

例文

井戸領域５は、窒素、インジウムおよびガリウムを含むIII−Ｖ化合物半導体から成る。例文帳に追加

The well region 5 consists of a III-V compound semiconductor comprising nitrogen, indium and gallium. - 特許庁

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