「窒化ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体成長用基板の洗浄方法例文帳に追加

METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE FOR GROWTH OF GALLIUM-NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

結晶成長方法及び窒化ガリウム系化合物薄膜の製造方法例文帳に追加

METHOD OF CRYSTAL GROWING AND METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND THIN FILM - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の発光強度の向上。例文帳に追加

To enhance emission intensity of a gallium nitride based compound semiconductor light emitting element. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体装置の製造方法及び発光装置例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF GALLIUM NITRIDE BASE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体の積層体を含む発光素子である。例文帳に追加

The light-emitting device contains a laminate of a gallium-nitride-based compound semiconductor. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法と積層体例文帳に追加

METHOD FOR CROWING GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MULTILAYERED BODY - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体基板とその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

窒化ガリウム系発光装置において、発光スペクトルの狭帯化をはかる。例文帳に追加

To narrow a band of an emission spectrum of a gallium nitride system light emitting device. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその実装体例文帳に追加

GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND PACKAGING BODY THEREOF - 特許庁

成長されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の全体をアニーリングして、ｐ型不純物の含まれる窒化ガリウム系化合物半導体層を、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とする。例文帳に追加

The entirely grown n-type gallium nitride-based compound semiconductor layer and a p-type gallium nitride-based compound semiconductor layer and annealed, and the gallium nitride-based compound semiconductor layer that contains the p-type impurities is set to the p-type gallium nitride-based compound semiconductor layer. - 特許庁

本発明は表面粗化した窒化ガリウム系素子を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride-based light emitting device with a roughened surface. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a fabrication method of a gallium nitride-based compound semiconductor. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子および製造方法例文帳に追加

GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND-SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

サファイア基板上に窒化ガリウム半導体層を製造するペンディオエピタキシャル方法およびそれにより製造された窒化ガリウム半導体構造体例文帳に追加

PENDEOEPITAXIAL METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER ON SAPPHIRE SUBSTRATE AND GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE MANUFACTURED BY THE METHOD - 特許庁

窒化ガリウム基板４３および窒化ガリウムエピタキシャル膜６５の界面は層状領域６７内に位置している。例文帳に追加

The interface of the gallium nitride substrate 63 and the gallium nitride epitaxial film 65 is located within the laminar region 67. - 特許庁

エピタキシャルウエハは、窒化ガリウム膜１７上に設けられた窒化ガリウム系半導体領域３３を含む。例文帳に追加

The epitaxial wafer contains a gallium-nitride-based semiconductor region 33 provided on the gallium nitride film 17. - 特許庁

窒化ガリウム結晶基板、半導体デバイス、半導体デバイスの製造方法および窒化ガリウム結晶基板の識別方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR DISCRIMINATING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

層状領域６７が、窒化ガリウム基板６３および窒化ガリウムエピタキシャル膜６５内に設けられている。例文帳に追加

A laminar region 67 is provided within the gallium nitride substrate 63 and the gallium nitride epitaxial film 65. - 特許庁

低酸素含有量窒化ガリウム焼結体ならびに低酸素含有量窒化ガリウムスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a low oxygen content gallium nitride sintered body and a low oxygen content gallium nitride sputtering target. - 特許庁

高いキャリア濃度を有するｐ型窒化ガリウムを用いること無い窒化ガリウム系縦型トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride system vertical transistor not using a p-type gallium nitride having higher carrier concentration. - 特許庁

窒化ガリウム系トランジスタを作製する方法、窒化ガリウム系半導体領域を加工する方法、およびレジストを除去する方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE TRANSISTOR, METHOD OF PROCESSING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR REGION, AND METHOD OF ELIMINATING RESIST - 特許庁

良好な結晶品質の窒化ガリウム系半導体層を有する窒化ガリウム系半導体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride-based semiconductor device having a gallium nitride-based semiconductor layer of a good crystal quality. - 特許庁

窒化ガリウム単結晶基板の製造方法、窒化ガリウム単結晶のエピタキシャル成長自立基板、及びその上に形成したデバイス素子例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, FREE STANDING SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH OF GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND DEVICE ELEMENT FORMED ON THE SAME - 特許庁

Ｐ型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びＰ型窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND LIGHT-EMITTING ELEMENT USING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

第２の窒化ガリウム系半導体層１９は、第１の窒化ガリウム系半導体層１７の主面１７ａの全体を覆う。例文帳に追加

A second gallium nitride-based semiconductor layer 19 covers the whole major surface 17a of the first gallium nitride-based semiconductor layer 17. - 特許庁

表面処理された窒化ガリウム基板を作製する方法は、窒化ガリウム基板を準備する工程を有する。例文帳に追加

The method for manufacturing the surface-treated gallium-nitride substrate comprises a process for preparing the gallium-nitride substrate. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体領域１５及び窒化ガリウム系半導体領域１９は、基板１３の主面１３ａ上に設けられる。例文帳に追加

A gallium nitride-based semiconductor region 15 and a gallium nitride-based semiconductor region 19 are provided on a principal surface 13a of a substrate 13. - 特許庁

フラックス法により種結晶基板上に窒化ガリウムの結晶を生成させた窒化ガリウム結晶板であって、高品質なものを提供する。例文帳に追加

To provide a high-quality gallium nitride crystal plate by growing a gallium nitride crystal on a seed crystal substrate by a flux method. - 特許庁

窒化ガリウム側壁は少なくとも一つの溝内に横方向成長され、それによって窒化ガリウム半導体層を形成する。例文帳に追加

The gallium nitride side wall is grown in a lateral direction in at least one groove to form a gallium nitride semiconductor layer. - 特許庁

接合ダイオード１１は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３と、ｐ型窒化ガリウム系半導体層１５とを備える。例文帳に追加

The junction diode 11 comprises an n-type gallium nitride-based semiconductor layer 13, and a p-type gallium nitride-based semiconductor layer 15. - 特許庁

サファイア基板１０上に、バッファ層１１、ノンドープの窒化ガリウム層１２及びｎ型窒化ガリウム活性層１３を形成する。例文帳に追加

A buffer layer 11, a non-doped gallium nitride layer 12 and an n-type gallium nitride active layer 13 are formed on a sapphire substrate 10. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体光素子、窒化ガリウム系半導体光素子を製造する方法、及びエピタキシャルウエハ例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE, METHOD OF FABRICATING GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE, AND EPITAXIAL WAFER - 特許庁

窒化ガリウム半導体膜１５の導電型は、ナノコラム領域１３の窒化ガリウムの導電型と同じである。例文帳に追加

The conductivity type of the gallium nitride semiconductor film 15 is the same as that of gallium nitride of the nanocolumn area 13. - 特許庁

窒化ガリウム半導体表面を保護するために表面処理された窒化ガリウム基板を作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a surface-treated gallium-nitride substrate for protecting the surface of a gallium-nitride semiconductor. - 特許庁

次いで窒化ガリウム層をサファイア基板までエッチングしてトレンチを形成し、サファイア基板上に窒化ガリウムの区分領域を設ける。例文帳に追加

Then, the gallium nitride layer is etched up to the sapphire substrate for forming a trench, and the section region of gallium nitride is provided on the sapphire substrate. - 特許庁

窒化ガリウム支持基体３３は主面３３ａを有しており、窒化ガリウム系半導体層３５は、この主面３３ａ上に設けられている。例文帳に追加

The gallium nitride support substrate 33 has the main face 33a and the gallium nitride-based semiconductor layer 35 is provided on this main face 33a. - 特許庁

窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハの製造方法およびエピウエハ例文帳に追加

GROWTH METHOD OF GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, GALLIUM NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, PRODUCTION PROCESS OF EPITAXIAL WAFER, AND EPITAXIAL WAFER - 特許庁

そしてこのｎ型窒化ガリウム層Ｎが露出した部位にｎ電極ＮＴを、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ上にｐ電極ＰＴを形成する。例文帳に追加

An N electrode NT is formed on a part where the N-type gallium nitride layer N is exposed, and a P electrode PT is formed on the P-type gallium nitride layer P. - 特許庁

次に、窒化ガリウム基板２の表面とアライメントマーク４を覆うようにｎ型の第１の窒化ガリウム層６を結晶成長させる。例文帳に追加

Then, an n-type first nitride gallium layer 6 is so crystal-grown as to cover the surface of the nitride gallium substrate 2 and the alignment mark 4. - 特許庁

キャリア濃度が高く、クラックの発生率が低い窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム層の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-carrier-concentration, low-cracking-incidence gallium nitride substrate; and a method of forming the gallium nitride film. - 特許庁

積層体は、窒化ガリウムからなる第１の障壁層８０１、８０５と、窒化ガリウムからなる第２の障壁層８０２、８０４とからなる。例文帳に追加

The laminates each include a first barrier layer 801 or 805 composed of gallium nitride and a second barrier layer 802 or 804 composed of gallium nitride. - 特許庁