「窒化ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

高絶縁性単結晶窒化ガリウム薄膜の作製装置例文帳に追加

APPARATUS FOR PRODUCING HIGHLY INSULATIVE SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE THIN FILM - 特許庁

垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING VERTICAL GALLIUM NITRIDE BASED LED DEVICE - 特許庁

ガリウム含有窒化物単結晶の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM-CONTAINING NITRIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁

非極性窒化ガリウム薄膜における転位の低減例文帳に追加

DISLOCATION REDUCTION IN NON-POLAR GALLIUM NITRIDE THIN FILM - 特許庁

窒化ガリウム系単結晶基板の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

窒化ガリウム反応容器の撹拌方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR STIRRING REACTION VESSEL FOR GALLIUM NITRIDE - 特許庁

窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT - 特許庁

次に凹部に第３の窒化ガリウム層８を形成する。例文帳に追加

Fourthly, a third nitride gallium layer 8 is formed in the recess. - 特許庁

ｐ型窒化ガリウム薄膜およびその製造方法例文帳に追加

P-TYPE GALLIUM NITRIDE THIN LAYER AND ITS PRODUCTION - 特許庁

低抵抗率Ｐ型窒化ガリウムの形成例文帳に追加

FORMATION OF LOW-RESISTIVITY P-TYPE GALLIUM NITRIDE - 特許庁

窒化ガリウム系発光素子及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SYSTEM LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

窒化ガリウム系半導体積層構造体例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR MULTILAYER STRUCTURE - 特許庁

窒化ガリウム蛍光体及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE PHOSPHOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

窒化ガリウム系材料及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

窒化ガリウム系ハイブリッド素子及びその作製方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED HYBRID ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

非極性ａ面窒化ガリウム単結晶の製造方法例文帳に追加

METHOD OF GROWING NON-POLAR A-PLANE GALLIUM NITRIDE - 特許庁

窒化ガリウム系粒子、その製造方法及び装置例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED PARTICLE, AND METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

窒化ガリウムウエハ１１は、実質的な円形を有する。例文帳に追加

This gallium nitride wafer 11 is substantially a disk. - 特許庁

窒化ガリウム系発光ダイオード素子例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE DEVICE - 特許庁

窒化ガリウムを高効率かつ安価に製造する。例文帳に追加

To produce gallium nitride in high efficiency and at a low cost. - 特許庁

窒化ガリウム系発光ダイオードの発光層の構造例文帳に追加

STRUCTURE OF LIGHT EMITTING LAYER IN GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE - 特許庁

窒化ガリウム結晶積層基板及びその製造方法例文帳に追加

SUBSTRATE WITH GALLIUM NITRIDE CRYSTAL LAYER, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE - 特許庁

窒化ガリウム結晶超微粒子とその製造方法例文帳に追加

ULTRA-FINE PARTICLE OF GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND METHOD OF MANUFACTURING IT - 特許庁

窒化ガリウム成形物及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE MOLDED ARTICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子例文帳に追加

GALLIUM-NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING DIODE ELEMENT OF PERPENDICULAR STRUCTURE - 特許庁

窒化ガリウム系発光装置の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING DEVICE - 特許庁

窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法例文帳に追加

GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

窒化ガリウム系固溶体薄膜の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF GALLIUM NITRIDE-BASED SOLID SOLUTION THIN FILM - 特許庁

高温動作可能窒化ガリウムトランジスタ例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE TRANSISTOR THAT CAN OPERATE AT HIGH TEMPERATURES - 特許庁

この窒化ガリウム層は、ガリウム砒素半導体のエッチング液に対して不溶あるいは難溶となる。例文帳に追加

This gallium nitride layer becomes insoluble or hardly soluble to the etchant of the gallium arsenic semiconductor. - 特許庁

トリメチルガリウムとアンモニアガスを成長ガスとして使用し、窒化ガリウム層１３を成長させる。例文帳に追加

Trimethyl gallium and ammonia gas are used as growth gas and a gallium nitride layer 13 is grown. - 特許庁

テルル化ガリウムをガリウム原料として窒素源と加熱下で反応させる。例文帳に追加

Gallium telluride as a gallium raw material is reacted with a nitride source under heating. - 特許庁

ガリウム供給管の閉塞を防止することができる窒化ガリウム結晶製造装置のガリウム供給方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for supplying gallium to an apparatus for producing a gallium nitride crystal, which can prevent clogging of a gallium supply pipe. - 特許庁

窒化ガリウム結晶核生成部１０で、ガリウム蒸気とアンモニアガスとを化学的に反応させて窒化ガリウム結晶核を生成した後、この窒化ガリウム結晶核を窒化ガリウム粒子成長部３０に窒素キャリアガスなどによって輸送する。例文帳に追加

Gallium vapor is chemically reacted with ammonia gas to produce a crystal nucleus of gallium nitride in the zone 10 for producing a crystal nucleus of gallium nitride, and then the crystal nucleus of gallium nitride is transported by a nitrogen carrier gas and the like to the zone 30 for growing the gallium nitride particle. - 特許庁

非窒化ガリウム柱１００ａを含み、それらの間に溝１００ｂを規定する基板１００であって、その非窒化ガリウム柱１００ａは非窒化ガリウム側壁１００ｃおよび非窒化ガリウム頂部１００ｄを含み、溝１００ｂは非窒化ガリウム底１００ｅを含むものを用いる。例文帳に追加

A substrate 100 includes non-gallium nitride posts 100a that define trenches 100b therebetween, wherein the non-gallium nitride posts 100a include non-gallium nitride sidewalls 100c and non-gallium nitride tops 100d and the trenches 100b include non-gallium floors 100e. - 特許庁

その後、窒化ガリウム粒子成長部３０において、予備反応管２１内で生成した塩化ガリウムと、窒化ガリウム結晶核生成部１０から輸送されたアンモニアガスとを、前記窒化ガリウム結晶核上で化学的に反応させ、成長させることによって目的とする窒化ガリウム粉末を得る。例文帳に追加

The objective gallium nitride powder is produced by subsequently chemically reacting gallium chloride produced in a preparatory reaction tube 21 with ammonia gas transported from the zone 10 for producing the gallium nitride crystal nucleus and growing the resultant product on the crystal nucleus of gallium nitride in the zone 30 for growing the gallium nitride particle. - 特許庁

酸化ガリウム（Ga_2O_3）単結晶の表層部に窒化ガリウム（GaN）を含有した窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、酸化ガリウム単結晶の表面に窒素イオンをイオン注入して窒化ガリウム変性層を形成する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法である。例文帳に追加

In the method for manufacturing a gallium oxide single crystal complex having a nitrided gallium modification layer containing gallium nitride (GaN) on a surface layer part of the gallium oxide (Ga_2O_3) single crystal, nitrogen ions are implanted in the surface of the gallium oxide single crystal to form a gallium nitride modification layer. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体素子及び窒化ガリウムエピタキシャル基板例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL SUBSTRATE - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物デバイスのための窒化ガリウムインジウム平滑構造例文帳に追加

GALLIUM INDIUM NITRIDE SMOOTH STRUCTURE FOR GROUP III NITRIDE DEVICES - 特許庁

窒化ガリウム及び窒化アルミニウムのエピタキシャル成長方法例文帳に追加

EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR GALLIUM NITRIDE AND ALUMINUM NITRIDE - 特許庁

窒化ガリウム基板および窒化物半導体エピタクシャル基板例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE - 特許庁

窒化物ベースの半導体構造に用いる窒化ガリウム基板を製造する。例文帳に追加

To manufacture a gallium nitride substrate used for a nitride-based semiconductor structure. - 特許庁

炭化ケイ素基板１１の表面にアルミ窒化ガリウム／窒化ガリウム層１２（III−Ｖ族窒化物半導体層）を形成する。例文帳に追加

An aluminum gallium nitride/gallium nitride layer 12 (a III-V nitride semiconductor layer) is formed on a surface of a silicon carbide substrate 11. - 特許庁

単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法、窒化ガリウム基板、および窒化物半導体エピタクシャル基板例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, AND NITRIDED SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE - 特許庁