「窒化ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

低損失な窒化ガリウム系電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a low loss nitriding gallium system electronic device. - 特許庁

窒化ガリウム・インジウム結晶層の気相成長方法例文帳に追加

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD OF GALLIUM INDIUM NITRIDE CRYSTAL LAYER - 特許庁

窒化ガリウム単結晶の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁

窒化ガリウム単結晶厚膜およびその製造方法例文帳に追加

SINGLE CRYSTALLINE GALLIUM NITRIDE THICK FILM AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁

窒化ガリウム系ダイオード装置のバッファ層構造例文帳に追加

BUFFER LAYER STRUCTURE OF GALLIUM NITRIDE BASED DIODE DEVICE - 特許庁

単結晶窒化ガリウム基板の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE - 特許庁

窒化ガリウム単結晶基板の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE THICK FILM - 特許庁

窒化ガリウム単結晶の成長方法例文帳に追加

METHOD OF GROWING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁

窒化ガリウム系半導体をエッチングする方法例文帳に追加

METHOD FOR ETCHING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

窒化ガリウム系半導体電極構造例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR ELECTRODE STRUCTURE - 特許庁

窒化ガリウムバルク結晶の製造方法および製造装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTAL - 特許庁

窒化ガリウム系半導体レーザ及び画像露光装置例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LASER AND IMAGE ALIGNER - 特許庁

窒化ガリウム系半導体レーザ及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

窒化ガリウム単結晶基板及び表面加工方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND SURFACE TREATMENT METHOD - 特許庁

窒化インジウムガリウム半導体およびその成長方法例文帳に追加

INDIUM/GALLIUM NITRIDE AND METHOD FOR GROWING THE SAME - 特許庁

窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

窒化ガリウムナノチューブの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE NANOTUBE - 特許庁

窒化ガリウム系素子用半導体基板例文帳に追加

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR GALLIUM NITRIDE ELEMENTS - 特許庁

逆耐圧を有する縦型窒化ガリウム半導体装置例文帳に追加

VERTICAL GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REVERSE WITHSTAND VOLTAGE - 特許庁

窒化ガリウム結晶基板の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

窒化ガリウム系半導体の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SYSTEM SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR ELECTRONIC DEVICE - 特許庁

高輝度窒化ガリウム系発光ダイオード例文帳に追加

HIGH LUMINANCE GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE - 特許庁

窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING DIODE - 特許庁

窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR - 特許庁

ｐ型窒化ガリウム系半導体領域を形成する方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR REGION - 特許庁

窒化ガリウム系トランジスタとその製造方法例文帳に追加

GALLIUM-NITRIDE TRANSISTOR AND ITS FABRICATION PROCESS - 特許庁

窒化ガリウム系発光ダイオード及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

窒化ガリウム半導体装置の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

窒化ガリウム系の単結晶基板の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

窒化ガリウム系半導体素子の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

窒化ガリウム単結晶の育成方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁

窒化ガリウム基板及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

単結晶窒化ガリウムの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE - 特許庁

窒化ガリウム半導体及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME - 特許庁

窒化ガリウム独立基板を製造する方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE INDEPENDENT SUBSTRATE - 特許庁

窒化ガリウム部材の気相エッチング方法例文帳に追加

VAPOR PHASE ETCHING METHOD FOR GALLIUM NITRIDE MATERIALS - 特許庁

窒化ガリウムのヘテロエピタキシャル成長方法例文帳に追加

HETEROEPITAXIAL GROWTH METHOD OF GALLIUM NITRIDE - 特許庁

ＣＶＤとＨＶＰＥによる窒化ガリウムの生長方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE BY CVD AND HVPE - 特許庁

窒化ガリウム系半導体装置を製造する方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SYSTEM SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム系半導体層の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

ガリウム含有窒化物の単結晶の製造法及び装置例文帳に追加

PROCESS AND APPARATUS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL GALLIUM-CONTAINING NITRIDE - 特許庁

窒化ガリウム単結晶基板ならびにその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁