「窒化ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

この基板１００上に第１の温度で窒化ガリウムを成長させる。例文帳に追加

Gallium nitride is grown on the substrate 100 at a first temperature. - 特許庁

本発明は窒化ガリウム系半導体発光素子に関するものである。例文帳に追加

To provide a gallium nitride semiconductor light emitting element. - 特許庁

本発明は、高純度の単層窒化ガリウムを得ることを課題とする。例文帳に追加

To obtain high purity monolayer gallium nitride. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体発光素子及びエピタキシャルウエハ例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND EPITAXIAL WAFER - 特許庁

窒化ガリウム結晶の成長方法は、キャリアガスと、窒化ガリウムの原料と、ドーパントとしてのシリコンを含むガスとを用いて、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法により下地基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる窒化ガリウム結晶の成長方法である。例文帳に追加

In the growth method of gallium nitride crystal, the gallium nitride crystal is grown by the hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method on a base substrate by using carrier gas, row material of gallium nitride and gas including silicon as dopant. - 特許庁

本発明は、高純度の単相窒化ガリウムを得ることを課題とする。例文帳に追加

To obtain high purity single-phase gallium nitride. - 特許庁

分子線エピタキシャル法により、窒化ガリウムを成長可能とする。例文帳に追加

To grow gallium nitride by a molecular beam epitaxial method. - 特許庁

窒化ガリウムエピタキシャル層の形成方法及び発光素子例文帳に追加

FORMATION OF GALLIUM NITRIDE EPITAXIAL LAYER AND LIGHT EMITTING ELEMENT - 特許庁

窒化ガリウム系半導体装置および半導体装置の製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD - 特許庁

窒化ガリウム系単結晶基板の製造方法範囲内製造装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

窒化ガリウム単結晶の自立基板15上にデバイス素子を形成する。例文帳に追加

A device element is formed on the standing substrate 15 composed of the gallium nitride single crystal. - 特許庁

窒化ガリウム（ＧａＮ）自立基板の製造方法及び製造装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE (GaN) SELF-SUPPORTING SUBSTRATE - 特許庁

次に、窒化ガリウム層２の表面に付着したシリコン８を除去する。例文帳に追加

Then, silicon 8 adhered to the surface of the gallium nitride layer 2 is removed. - 特許庁

窒化ガリウム半導体及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a gallium nitride semiconductor and a method for manufacturing the same. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体領域３３にはボイド３５が含む。例文帳に追加

A void 35 is contained in the gallium-nitride-based semiconductor region 33. - 特許庁

垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法例文帳に追加

VERTICAL-STRUCTURE GALLIUM NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR VERTICALLY STRUCTURED GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING DIODE - 特許庁

窒化ガリウム系半導体領域にパターンを形成する方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING PATTERN IN GALLIUM-NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR REGION - 特許庁

窒化ガリウム系発光ダイオード及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a gallium nitride based light emitting diode and its manufacturing method. - 特許庁

窒化ガリウム結晶を有する積層体およびその製造方法例文帳に追加

LAMINATE COMPRISING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁

窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING DIODE ELEMENT, AND ITS PROCESS FOR FABRICATION - 特許庁

垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE ELEMENT OF VERTICAL STRUCTURE - 特許庁

ハイドライド気相成長法による平坦な無極性窒化ガリウムの成長例文帳に追加

GROWTH OF PLANAR NONPOLAR GALLIUM NITRIDE BY HYDRIDE-VAPOR PHASE GROWING METHOD - 特許庁

垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a vertical gallium nitride based LED device. - 特許庁

ゲルマニウムドープ窒化ガリウム結晶とその製造方法例文帳に追加

GERMANIUM-DOPED GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

窒化ガリウム系発光素子において、光の取り出し効率を向上させる。例文帳に追加

To improve a light fetching efficiency in a gallium nitride light emitting element. - 特許庁

基板上に堆積された窒化ガリウムフィルムにおける応力の制御方法例文帳に追加

METHOD OF CONTROLLING STRESS IN GALLIUM NITRIDE FILMS DEPOSITED ON SUBSTRATES - 特許庁

窒化ガリウム材料デバイスおよびその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide gallium nitride material devices and methods of forming the same. - 特許庁

次に、窒化ガリウム層２の表面に接する金属膜を形成する。例文帳に追加

Then, a metal film in contact with the surface of the gallium nitride layer 2 is formed. - 特許庁

不純物含有窒化ガリウム粉体およびその製造方法例文帳に追加

IMPURITY-CONTAINING GALLIUM NITRIDE POWDER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

マルチ−フリースタンディング窒化ガリウム基板の製造方法例文帳に追加

METHOD OF FABRICATING MULTIPLE-FREESTANDING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE - 特許庁

携帯型デバイス用の窒化ガリウムを用いた電源を提供する。例文帳に追加

To provide an electric power source using a gallium nitride for a portable-type device. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium-nitride-based semiconductor element and a manufacturing method thereof. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体発光素子の評価方法および製造方法例文帳に追加

METHODS OF EVALUATING AND MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT - 特許庁

垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium-nitride-based light-emitting diode element of perpendicular structure. - 特許庁

実用的な基板厚さの窒化ガリウム層を、異種基板に積層させる際、基板との格子不整合に起因して窒化ガリウム層に誘起される結晶欠陥もしくは転位を抑制することが可能な窒化ガリウム結晶の製造方法および、窒化ガリウム結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a gallium nitride crystal capable of suppressing a crystal defect or dislocation induced on a gallium nitride layer due to the lattice unconformity thereof with a substrate in the lamination of the gallium nitride layer having a practical substrate thickness on a different substrate, and also provide the gallium nitride crystal produced by the method. - 特許庁

窒化ガリウム系発光ダイオードの構造とその製造方法例文帳に追加

STRUCTURE OF GALLIUM-NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING DIODE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

半導体積層１７は、窒化ガリウム半導体層２５を含む。例文帳に追加

A semiconductor laminate 17 includes a gallium nitride semiconductor layer 25. - 特許庁

活性層１７は窒化ガリウム系半導体層２１ａを含む。例文帳に追加

An active layer 17 contains a gallium nitride-based semiconductor layer 21a. - 特許庁

低欠陥密度を有する窒化ガリウム半導体層を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride semiconductor layer having a low defect density. - 特許庁

窒化ガリウム系マルチビーム半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride-based semiconductor light-emitting element, composed of a gallium nitride-based multi-beam semiconductor laser element. - 特許庁

ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３は、基板１９上に設けられている。例文帳に追加

The layer 13 is provided over a substrate 19. - 特許庁

基板上に予形成された窒化ガリウム（０００１）表面上に、ガリウム金属クラスタが成長阻害要因として生成されない比率以下で、窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとの供給比を１：２以上としたガリウム原子供給過多状態において窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとを供給することにより、分子線エピタキシャル法で窒化ガリウムを成長させる。例文帳に追加

Gallium nitride is grown by the molecular beam epitaxial method by supplying nitrogen atoms N and gallium atoms Ga under a gallium atom oversupply condition under which the supply ratio of nitrogen atoms N and gallium atoms Ga is set at 1:2 or above at a ratio at which gallium clusters are not formed as a factor to hinder their growth or below onto a gallium nitride (0001) surface preformed on a substrate. - 特許庁

メタンガスと窒素ガスとを流しながら、窒化ガリウム粉末を１３００℃に加熱することで、ガリウムを内含したカーボンナノチューブ１１を形成する。例文帳に追加

A carbon nanotube 11 including gallium can be formed by heating gallium nitride powder at 1,300°C, while circulating methane gas and nitrogen gas. - 特許庁

窒素元素とガリウム元素を含む粉末の製造方法、およびそれを利用した窒化ガリウム単結晶の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING POWDER CONTAINING NITROGEN AND GALLIUM ELEMENTS AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL USING THE POWDER - 特許庁