| 意味 | 例文 (999件) |
窒化ガリウムの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1460件
１つの発光面１１０を有する窒化ガリウム系半導体であって上面のみに電極１７０Ａ、１７０Ｂを有し且つ裏面に反射膜を設けたチップ１００と、発光面１１０に形成される薄膜１６０とを備えており、薄膜１６０は、チップ１００の発光面１１０からの光による励起で可視光を発する蛍光材料を含んでいる。例文帳に追加
This gallium-nitride based semiconductor having one luminescence surface 110 is provided with a chip 100 which has electrodes 170A, 170B only on an upper surface and a reflective film provided on a rear surface, and a thin film 160 formed in the luminescence surface 110, wherein the thin film 160 includes a fluorescence material for emitting visible light due to excitation by a light beam from the luminescence surface 110 of the chip 100. - 特許庁
Ｇａ及びＮを含む混晶からなり、窒化ガリウム系半導体の結晶成長に用いられる種結晶１０であって、種結晶１０の表面を、種結晶１０のｃ軸と平行な２つの方向の中の一方から観察したときの視野に、＋ｃ極性領域２０と、−ｃ極性領域３０とが含まれる種結晶１０を提供する。例文帳に追加
A seed crystal 10 is formed of a mixed crystal containing Ga and N, and is used for crystal growth of a gallium nitride-based semiconductor, wherein the seed crystal 10 contains a +c polar region 20 and a -c polar region 30 in the visual field of observation of the surface of the seed crystal 10 from one direction of two directions parallel with the c axis of the seed crystal 10. - 特許庁
本発明による窒化ガリウム系発光素子は、基板と；上記基板上の第１領域に形成され第１ｐ側電極と第１ｎ側電極を設けるメインＧａＮ系ＬＥＤと；上記基板上の第２領域に形成され第２ｐ側電極と第２ｎ側電極を設けるＥＳＤ保護用ＧａＮ系ＬＥＤとを含む。例文帳に追加
The gallium nitride-based light emitting element includes a substrate; a main GaN-based LED formed in a first region on the substrate and having a first p side electrode and a first n side electrode; and an ESD protecting GaN-based LED formed in a second region of the substrate and having a second p side electrode and a second n side electrode. - 特許庁
気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面が集合した三次元的な凹部のファセット構造を持つようにし、最後までファセット構造を持ったまま、成長の終了までファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位をファセット底部に集合させ、ファセット底部に続く線領域以外の部分の転位を低減するようにして得た単結晶窒化ガリウム。例文帳に追加
The gallium nitride crystal is obtained by performing vapor-phase deposition so that a growth surface achieves a three-dimensional facet structure having a pit with assembly of facets instead of a flat state and retains the facet structure which is not buried throughout the growth to accumulate dislocations to the bottom of the facets and reduce dislocations in parts other than a linear region continuing from the bottom of the facets. - 特許庁
第２半導体層１３における発光層１２の反対側の面上には、厚さが約１００μｍと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体２０を構成する各半導体層１１、１２、１３よりも大きい、ｎ型窒化ガリウムからなる第３半導体層１４が接合されて形成されている。例文帳に追加
A relatively thick third semiconductor layer 14 of n-type gallium nitride having a thickness of approximately 100 μm and a crystal defect density higher than that of each layer 11, 12, 13 constituting the device structure 20 is bonded on the side of the second semiconductor layer 13 opposite to the emission layer 12. - 特許庁
化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。例文帳に追加
When a GaN crystal is grown on an AlN layer after sequentially forming an SiC layer and the AlN layer on an Si substrate 12 by a chemical vapor deposition method, the Si substrate 12 having a nitride semiconductor thin film is manufactured by generating nitrogen-based radical by blowing ammonia gas onto a heated mesh-shaped tungsten catalyst 14 and growing the GaN crystal by reacting the generated radical and an organic gallium compound on the AlN layer. - 特許庁
半導体チップ１０が透明なサファイア基板１１に透明なガリウム窒素系化合物半導体層１２，１３を積層して成る発光ダイオード１などのように、該半導体チップ１０が透明な材料から成る場合、該半導体チップ１０の表面に形成される電極１５，１６における金バンプ電極２１の当接部位に、前記電極１５，１６よりも硬い材料から成る粒体３０を付着しておく。例文帳に追加
When a semiconductor chip 10 is composed of a transparent material similar to a light-emitting diode 1 made by forming gallium nitride based compound semiconductor layers 12 and 13 on a transparent sapphire substrate 11, grains 30 composed of a material harder than that of electrodes 15 and 16 are stuck to the abutting portion of a gold bump electrode 21 in the electrodes 15 and 16 formed on the surface of the semiconductor chip 10. - 特許庁
そのための本発明は、キャリア増幅器及び第１及び第２のピーク増幅器を含む高周波用３ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタドハティ電力増幅器において、前記キャリア増幅器と第１及び第２のピーク増幅器に入力信号を分配するための１０ｄＢ電力分配器；前記キャリア増幅器の入力電力を調整するための第１の経路部；及び広い出力電力範囲で高い効率を維持させるための第２の経路部を含むことを特徴とする。例文帳に追加
The three-stage GaN HEMT Doherty power amplifier for high frequency applications including a carrier amplifier and first and second peaking amplifiers includes: a 10-dB power divider for dividing an input signal to the carrier amplifier and the first and second peaking amplifiers; a first path section for controlling input power of the carrier amplifier; and a second path section for maintaining high efficiency in a wide output power range. - 特許庁
この変換器は、ＡＣ入力を受け取り、かつ整流器出力を提供する整流器と、前記整流器の出力の両端間に接続された直列接続された電流−磁界エネルギ蓄積デバイスおよび電流断続器と、前記直列接続された磁界エネルギ蓄積デバイスおよび電流断続器の中間点と前記整流器出力の端子との間に接続された直列接続された窒化ガリウム・ダイオードおよび出力電荷蓄積デバイスとを備え、前記変換器は過渡電圧抑制回路を必要としないことを特徴とする。例文帳に追加
The converter eliminates the need for an overvoltage suppressing circuit. - 特許庁
一般式（５）：２（Ｍ^5_1-aＥｕ_a）Ｏ・ＳｉＯ_2（式中、Ｍ^5はＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、０．００５≦ａ≦０．１０である） また、１次光を発する窒化ガリウム系半導体からなる発光素子と該１次光を吸収して該１次光のピーク波長以上のピーク波長を有する２次光を発する波長変換部とを備えた発光装置であって、該波長変換部は該被覆蛍光体を含む発光装置に関する。例文帳に追加
The present invention further relates to a light emitting device having a luminous element composed of a gallium nitride-based semiconductor emitting primary light and a wavelength converting part containing the coated phosphor and absorbing the primary light and emitting secondary light having a peak wavelength not shorter than that of the primary light. - 特許庁
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